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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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![]() | APTGT100H120G | 247.6700 | ![]() | 2258 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP6 | APTGT100 | 480 W. | 기준 | SP6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 전체 전체 인버터 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 140 a | 2.1V @ 15V, 100A | 250 µA | 아니요 | 7.2 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT150H60TG | 170.4914 | ![]() | 3168 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP4 | APTGT150 | 480 W. | 기준 | SP4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 전체 전체 인버터 | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 225 a | 1.9V @ 15V, 150A | 250 µA | 예 | 9.2 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||
APTGT150DU120G | 202.7917 | ![]() | 4499 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 섀시 섀시 | SP6 | APTGT150 | 690 W. | 기준 | SP6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 이중, 소스 일반적인 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 220 a | 2.1V @ 15V, 150A | 350 µA | 아니요 | 10.7 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MSCSM70AM10T3AG | 206.3200 | ![]() | 4240 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | MSCSM70 | 실리콘 실리콘 (sic) | 690W (TC) | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSCSM70AM10T3AG | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널 다리) | 700V | 241A (TC) | 9.5mohm @ 80a, 20V | 2.4V @ 8mA | 430NC @ 20V | 9000pf @ 700V | - | |||||||||||||||||||||||
JANS2N3735L | 89.9200 | ![]() | 9108 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/395 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 1 W. | To-5 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANS2N3735L | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 v | 1.5 a | 200na | NPN | 900mv @ 100ma, 1a | 40 @ 500ma, 1V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
APTGT200DU60TG | 118.2500 | ![]() | 2405 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP4 | APTGT200 | 625 w | 기준 | SP4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 이중, 소스 일반적인 | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 290 a | 1.9V @ 15V, 200a | 250 µA | 예 | 12.3 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||
![]() | TN2106N3-G | 0.6800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 가방 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TN2106 | MOSFET (금속 (() | To-92-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1,000 | n 채널 | 60 v | 300MA (TJ) | 4.5V, 10V | 2.5ohm @ 500ma, 10V | 2V @ 1mA | ± 20V | 50 pf @ 25 v | - | 740MW (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | APT39F60J | 31.2000 | ![]() | 6802 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MOS 8 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | APT39F60 | MOSFET (금속 (() | ISOTOP® | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 600 v | 42A (TC) | 10V | 110mohm @ 28a, 10V | 5V @ 2.5MA | 280 nc @ 10 v | ± 30V | 11300 pf @ 25 v | - | 480W (TC) | ||||||||||||||||||||||
JANKCB2N2906A | 31.5343 | ![]() | 4586 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/291 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 2N2906 | 500MW | TO-18 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jankcb2n2906a | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 600 MA | 50NA | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 40 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||
APTGT100DA60T1G | 48.0105 | ![]() | 3428 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP1 | APTGT100 | 340 W. | 기준 | SP1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 하나의 | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 150 a | 1.9V @ 15V, 100A | 250 µA | 예 | 6.1 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||
APT50GF120LRG | 21.7100 | ![]() | 27 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-264-3, TO-264AA | APT50GF120 | 기준 | 781 w | TO-264 [L] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 800V, 50a, 1ohm, 15V | NPT | 1200 v | 135 a | 150 a | 3V @ 15V, 50A | 3.6mj (on), 2.64mj (OFF) | 340 NC | 25ns/260ns | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N2369AU | 54.8625 | ![]() | 5163 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | - | 2N2369 | 500MW | SMD | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 15 v | 400NA | NPN | 450mv @ 10ma, 100ma | 20 @ 100ma, 1v | - | |||||||||||||||||||||||||||
JANSM2N2219A | 114.6304 | ![]() | 2201 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 800MW | TO-39 (TO-205AD) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jansm2n2219a | 1 | 50 v | 800 MA | 10NA | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
jantx2n3250a | - | ![]() | 4991 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/323 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 2N3250 | 360 MW | TO-39 (TO-205AD) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 200 MA | 10µA (ICBO) | PNP | 500mv @ 5ma, 50ma | 50 @ 10ma, 1v | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | aptm20hm16ftg | 179.8000 | ![]() | 7332 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP4 | APTM20 | MOSFET (금속 (() | 390W | SP4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 n 채널 (채널 교량) | 200V | 104a | 19mohm @ 52a, 10V | 5V @ 2.5MA | 140NC @ 10V | 7220pf @ 25v | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6190 | 17.5500 | ![]() | 9584 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 10 W. | TO-5AA | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N6190 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 5 a | - | PNP | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | vn2222ll-g-p013 | 0.6400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 컷 컷 (CT) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | VN2222 | MOSFET (금속 (() | To-92-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 60 v | 230ma (TJ) | 5V, 10V | 7.5ohm @ 500ma, 10V | 2.5V @ 1mA | ± 30V | 60 pf @ 25 v | - | 400MW (TA), 1W (TC) | |||||||||||||||||||||||
jantxv2n3741 | 23.4080 | ![]() | 4001 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/441 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-213AA, TO-66-2 | 2N3741 | 25 W. | TO-66 (TO-213AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 4 a | 10µA | PNP | 600mv @ 125ma, 1a | 30 @ 250ma, 1V | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantx2n3700ub/tr | 8.7780 | ![]() | 7445 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/391 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | 2N3700 | 500MW | ub | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 100 | 80 v | 1 a | 10NA | NPN | 500mv @ 50ma, 500ma | 50 @ 500ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTM120DA30T1G | 69.4500 | ![]() | 1046 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP1 | APTM120 | MOSFET (금속 (() | SP1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 1200 v | 31A (TC) | 10V | 360mohm @ 25a, 10V | 5V @ 2.5MA | 560 nc @ 10 v | ± 30V | 14560 pf @ 25 v | - | 657W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX2N2481 | - | ![]() | 4351 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | 2N2481 | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan2n2369au | - | ![]() | 3827 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/317 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-Clcc | 2N2369A | 500MW | 6-LCC | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 15 v | 400NA | NPN | 450mv @ 10ma, 100ma | 40 @ 10ma, 1v | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSCSM120HRM163AG | 282.3100 | ![]() | 3105 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | 실리콘 실리콘 (sic) | - | - | 150-MSCSM120HRM163AG | 1 | 4 n 채널 (3 채널 인버터) | 실리콘 실리콘 (sic) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT50M50JVR | 66.9300 | ![]() | 1811 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MOS V® | 튜브 | 활동적인 | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | APT50M50 | MOSFET (금속 (() | ISOTOP® | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 500 v | 77A (TC) | 50mohm @ 500ma, 10V | 4V @ 5MA | 1000 nc @ 10 v | 19600 pf @ 25 v | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSR2N2369AUBC/TR | 306.8310 | ![]() | 1309 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 360 MW | UBC | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-msr2n2369aubc/tr | 100 | 15 v | 400NA | NPN | 250mv @ 3ma, 30ma | 40 @ 10ma, 1v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2C3637 | 6.5303 | ![]() | 2316 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-2C3637 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT8020JFLL | 42.6200 | ![]() | 8842 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | Power MOS 7® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | APT8020 | MOSFET (금속 (() | ISOTOP® | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 800 v | 33A (TC) | 220mohm @ 16.5a, 10V | 5V @ 2.5MA | 195 NC @ 10 v | 5200 pf @ 25 v | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MSCSM70TAM10CTPAG | 792.4750 | ![]() | 4584 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | MSCSM70 | 실리콘 실리콘 (sic) | 674W (TC) | SP6-P | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSCSM70TAM10CTPAG | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 6 n 채널 (3 채널 교량) | 700V | 238A (TC) | 9.5mohm @ 80a, 20V | 2.4V @ 8mA | 430NC @ 20V | 9000pf @ 700V | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6331 | 124.7939 | ![]() | 8588 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 200 w | TO-3 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 30 a | - | PNP | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5793 | 18.8328 | ![]() | 1731 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | 78-6 금속 6 | 2N579 | 500MW | To-78-6 | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 2N5793ms | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 40V | 600ma | 10µA (ICBO) | 2 NPN (() | 900mv @ 30ma, 300ma | 40 @ 150ma, 10V | - |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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