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![]() | 2N4857ub/tr | 86.9554 | ![]() | 9296 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 2N4857 | 360 MW | - | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-2n4857ub/tr | 1 | n 채널 | 40 v | 18pf @ 10V | 40 v | 100 ma @ 15 v | 6 V @ 500 PA | 40 | |||||||||||||||||
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![]() | JANSL2N2906AUA/TR | 153.0406 | ![]() | 7611 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/291 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | 2N2906 | 500MW | UA | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jansl2n2906aua/tr | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 600 MA | 50NA | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 40 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||
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JANKCCF2N5153 | - | ![]() | 2014 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/545 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jankccf2n5153 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 2 a | 50µA | PNP | 1.5v @ 500ma, 5a | 70 @ 2.5a, 5V | - | |||||||||||||||||
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![]() | mx2n4858ub/tr | 68.9206 | ![]() | 5163 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-mx2n4858ub/tr | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | jantx2n3810u/tr | 34.6864 | ![]() | 6609 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/336 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 78-6 금속 6 | 2N3810 | 350MW | To-78-6 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantx2n3810u/tr | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 50ma | 10µA (ICBO) | 2 PNP (() | 250mv @ 100µa, 1ma | 150 @ 1ma, 5V | - | |||||||||||||||
JANKCB2N3439 | 22.6366 | ![]() | 2595 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/368 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 800MW | TO-39 (TO-205AD) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jankcb2n3439 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 350 v | 1 a | 2µA | NPN | 500mv @ 4ma, 50ma | 40 @ 20MA, 10V | - | |||||||||||||||||
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![]() | MV2N4093UB | 92.3419 | ![]() | 3107 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/431 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 360 MW | 3-UB (3.09x2.45) | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | n 채널 | 40 v | 16pf @ 20V | 40 v | 8 ma @ 20 v | 80 옴 | ||||||||||||||||||
![]() | 2N5003 | 287.5460 | ![]() | 1109 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | 2N5003 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5661 | 21.1736 | ![]() | 8979 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-213AA, TO-66-2 | 2N5661 | 2 w | TO-66 (TO-213AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 v | 2 a | 200na | NPN | 800mv @ 400ma, 2a | 25 @ 500ma, 5V | - | |||||||||||||||
![]() | APTGLQ200A120T3AG | 144.4800 | ![]() | 4965 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | APTGLQ200 | 1250 w | 기준 | SP3F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 독립 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 400 a | 2.4V @ 15V, 160A | 100 µa | 예 | 9.3 NF @ 25 v | ||||||||||||||
![]() | APTGLQ30H65T3G | 63.7100 | ![]() | 8461 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | APTGLQ30 | 95 W. | 기준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 전체 전체 | 트렌치 트렌치 정지 | 650 v | 40 a | 2.3V @ 15V, 30A | 50 µA | 예 | 1.9 NF @ 25 v | |||||||||||||||
![]() | APTGTQ200A65T3G | 120.8100 | ![]() | 2587 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | APTGTQ200 | 483 w | 기준 | SP3F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 반 반 | - | 650 v | 200a | 2.2V @ 15V, 200a | 200 µA | 예 | 12 nf @ 25 v | ||||||||||||||
![]() | 2N4091E3 | 41.2566 | ![]() | 1176 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
MQ2N5114 | 55.0487 | ![]() | 4839 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 500MW | TO-18 (TO-206AA) | - | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | p 채널 | 30 v | 25pf @ 15V | 30 v | 30 ma @ 18 v | 10 V @ 1 na | 75 옴 | |||||||||||||||||||
![]() | JAN2N5666U3 | 204.8112 | ![]() | 5255 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/455 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-276AA | 2N5666 | 1.2 w | U-3 (TO-276AA) | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 200 v | 5 a | 200na | NPN | 1V @ 1A, 5A | 40 @ 1a, 5V | - | ||||||||||||||||
![]() | APTCV60TLM70T3G | 90.4208 | ![]() | 7374 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | APTCV60 | 176 w | 기준 | SP3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 3 레벨 인버터 | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 80 a | 1.9V @ 15V, 50A | 250 µA | 예 | 3.15 NF @ 25 v | ||||||||||||||
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![]() | APTGL700SK120D3G | 312.7200 | ![]() | 9898 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | APTGL700 | 3000 W. | 기준 | D3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 하나의 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 840 a | 2.2V @ 15V, 600A | 5 MA | 아니요 | 37.2 NF @ 25 v | |||||||||||||
![]() | APTGT75DH120T3G | 90.1600 | ![]() | 2666 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP3 | APTGT75 | 357 w | 기준 | SP3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 비대칭 비대칭 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 110 a | 2.1V @ 15V, 75A | 250 µA | 예 | 5.34 NF @ 25 v | |||||||||||||
APT40GL120JU2 | 24.2202 | ![]() | 8463 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시, 마운트 스터드 | SOT-227-4, 미니 블록 | APT40GL120 | 220 w | 기준 | SOT-227 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 하나의 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 65 a | 2.25V @ 15V, 35A | 250 µA | 아니요 | 1.95 NF @ 25 v |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
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