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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전압- v (V (BR) GSS) | 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) | 전압- v (vgs off) @ id | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 저항 -rds (on) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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![]() | 2N5795AU/TR | 71.0700 | ![]() | 5427 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | 2N5795 | 600MW | 유 | 영향을받지 영향을받지 | 150-2n5795au/tr | 귀 99 | 8541.21.0095 | 100 | 60V | 600ma | 10µA (ICBO) | 2 PNP (() | 1.6V @ 50MA, 500MA | 40 @ 150ma, 10V | - | ||||||||
![]() | jantx2n3439ua/tr | 177.0496 | ![]() | 6232 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/368 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | 800MW | UA | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantx2n3439ua/tr | 100 | 350 v | 1 a | 2µA | NPN | 500mv @ 4ma, 50ma | 40 @ 20MA, 10V | - | |||||||||||
![]() | mx2n5115ub/tr | 87.0884 | ![]() | 9352 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 500MW | ub | 영향을받지 영향을받지 | 150-mx2n5115ub/tr | 100 | p 채널 | 30 v | 25pf @ 15V | 30 v | 15 ma @ 15 v | 3 v @ 1 na | 100 옴 | |||||||||||
![]() | mq2n5115ub/tr | 75.7701 | ![]() | 7429 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 500MW | ub | 영향을받지 영향을받지 | 150-mq2n5115ub/tr | 100 | p 채널 | 30 v | 25pf @ 15V | 30 v | 15 ma @ 15 v | 3 v @ 1 na | 100 옴 | |||||||||||
![]() | MSR2N3700UB/TR | 42.1477 | ![]() | 1053 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 500MW | ub | 영향을받지 영향을받지 | 150-msr2n3700ub/tr | 100 | 80 v | 1 a | 10NA | NPN | 500mv @ 50ma, 500ma | 100 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||
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![]() | JANSM2N2221AUA/TR | 150.3406 | ![]() | 1506 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/255 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | 650 MW | UA | 영향을받지 영향을받지 | 150-jansm2n2221aua/tr | 50 | 50 v | 800 MA | 50NA | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 40 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||
![]() | mq2n5114ub/tr | 75.7701 | ![]() | 4033 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 500MW | ub | 영향을받지 영향을받지 | 150-mq2n5114ub/tr | 100 | p 채널 | 30 v | 25pf @ 15V | 30 v | 30 ma @ 18 v | 5 v @ 1 na | 75 옴 | |||||||||||
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![]() | 2N6385P | 80.7150 | ![]() | 9575 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 6 w | TO-204AA (TO-3) | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N6385P | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 10 a | 1MA | npn-달링턴 | 3V @ 100MA, 10A | 1000 @ 5a, 3v | - | |||||||||
![]() | JANSD2N2369AU | 130.1402 | ![]() | 4216 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/317 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | 500MW | 유 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jansd2n2369au | 1 | 15 v | 400NA | NPN | 450mv @ 10ma, 100ma | 40 @ 10ma, 1v | - | ||||||||||||
JANSM2N2906AL | 99.9500 | ![]() | 3980 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/291 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 500MW | TO-18 (TO-206AA) | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANSM2N2906AL | 1 | 60 v | 600 MA | 50NA | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 40 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||
![]() | MQ2N4392UB | 69.3861 | ![]() | 7893 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | ub | 영향을받지 영향을받지 | 150-mq2n4392ub | 1 | n 채널 | - | |||||||||||||||||
![]() | 2N5612 | 43.0350 | ![]() | 5901 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-213AA, TO-66-2 | 25 W. | TO-66 (TO-213AA) | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N5612 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 5 a | - | NPN | - | - | - | |||||||||
![]() | jantxv2n3879p | 47.9199 | ![]() | 3272 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/526 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-213AA, TO-66-2 | 35 W. | TO-66 (TO-213AA) | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantxv2n3879p | 1 | 75 v | 7 a | 25MA (ICBO) | NPN | 1.2v @ 400ma, 4a | 40 @ 500ma, 5V | - | |||||||||||
![]() | MX2N4861UB | 68.7743 | ![]() | 6263 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/385 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 360 MW | ub | 영향을받지 영향을받지 | 150-mx2n4861ub | 1 | n 채널 | 30 v | 18pf @ 10V | 30 v | 8 ma @ 15 v | 800 mV @ 500 PA | 60 옴 | |||||||||||
![]() | 2C5238-MSCL | 13.3950 | ![]() | 2475 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | 영향을받지 영향을받지 | 150-2C5238-MSCL | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | MQ2N4092UB | 81.2497 | ![]() | 7749 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 360 MW | ub | 영향을받지 영향을받지 | 150-mq2n4092ub | 1 | n 채널 | 40 v | 16pf @ 20V | 40 v | 15 ma @ 20 v | 50 옴 | ||||||||||||
MQ2N4091 | 63.2947 | ![]() | 6085 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 360 MW | TO-18 (TO-206AA) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MQ2N4091 | 1 | n 채널 | 40 v | 16pf @ 20V | 40 v | 30 ma @ 20 v | 30 옴 | |||||||||||||
MQ2N5115 | 54.5300 | ![]() | 4936 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 500MW | TO-18 (TO-206AA) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MQ2N5115 | 1 | p 채널 | 30 v | 25pf @ 15V | 30 v | 15 ma @ 15 v | 3 v @ 1 na | 100 옴 | ||||||||||||
F2N5154 | 36.6548 | ![]() | 5778 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | 영향을받지 영향을받지 | 150-F2N5154 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 2 a | 50µA | NPN | 1.5v @ 500ma, 5a | 70 @ 2.5a, 5V | - | ||||||||||
![]() | JANSR2N3498L | 41.5800 | ![]() | 5769 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/366 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 1 W. | TO-5AA | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANSR2N3498L | 1 | 100 v | 500 MA | 10µA (ICBO) | NPN | 600mv @ 30ma, 300ma | 40 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||
2N4234L | 40.7850 | ![]() | 9952 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N4234L | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 v | 1 a | 1MA | PNP | 600mv @ 100ma, 1a | 40 @ 100ma, 1v | - | ||||||||||
![]() | 2N5319 | 519.0900 | ![]() | 3772 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 스터드 스터드 | TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, 스터드 | 87 w | To-61 | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N5319 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 10 a | - | PNP | - | - | - | |||||||||
![]() | jantx2n2920a | 35.9632 | ![]() | 2525 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/355 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 78-6 금속 6 | 2N2920 | 350MW | To-78-6 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantx2n2920a | 1 | 60V | 30ma | 10µA (ICBO) | 2 NPN (() | 300mv @ 100µa, 1ma | 300 @ 1ma, 5V | - | ||||||||||
jankcam2n3636 | - | ![]() | 8424 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/357 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | 영향을받지 영향을받지 | 150-jankcam2n3636 | 100 | 175 v | 1 a | 10µA | PNP | 600mv @ 5ma, 50ma | 50 @ 50MA, 10V | - | ||||||||||||
![]() | JANSL2N4449 | 129.0708 | ![]() | 3789 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/317 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AB, to-46-3 금속 캔 | 500MW | To-46 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jansl2N4449 | 1 | 15 v | 400NA | NPN | 450mv @ 10ma, 100ma | 20 @ 100ma, 1v | - | ||||||||||||
![]() | 2N2108 | 30.5100 | ![]() | 8832 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 1 W. | TO-5AA | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N2108 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 500 MA | - | PNP | 2V @ 10µA, 200µA | - | - | |||||||||
![]() | JANSL2N2221AUB | 150.3406 | ![]() | 3450 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/255 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 500MW | ub | 영향을받지 영향을받지 | 150-jansl2n2221aub | 1 | 50 v | 800 MA | 50NA | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 40 @ 150ma, 10V | - |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
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