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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 입력 입력 (ciss) (max) @ vds 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 현재- 컷오프 수집기 (최대) 저항 -rds (on) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
2N5795AU/TR Microchip Technology 2N5795AU/TR 71.0700
RFQ
ECAD 5427 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 없음 2N5795 600MW 영향을받지 영향을받지 150-2n5795au/tr 귀 99 8541.21.0095 100 60V 600ma 10µA (ICBO) 2 PNP (() 1.6V @ 50MA, 500MA 40 @ 150ma, 10V -
JANTX2N3439UA/TR Microchip Technology jantx2n3439ua/tr 177.0496
RFQ
ECAD 6232 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/368 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 없음 800MW UA 영향을받지 영향을받지 150-jantx2n3439ua/tr 100 350 v 1 a 2µA NPN 500mv @ 4ma, 50ma 40 @ 20MA, 10V -
MX2N5115UB/TR Microchip Technology mx2n5115ub/tr 87.0884
RFQ
ECAD 9352 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 500MW ub 영향을받지 영향을받지 150-mx2n5115ub/tr 100 p 채널 30 v 25pf @ 15V 30 v 15 ma @ 15 v 3 v @ 1 na 100 옴
MQ2N5115UB/TR Microchip Technology mq2n5115ub/tr 75.7701
RFQ
ECAD 7429 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 500MW ub 영향을받지 영향을받지 150-mq2n5115ub/tr 100 p 채널 30 v 25pf @ 15V 30 v 15 ma @ 15 v 3 v @ 1 na 100 옴
MSR2N3700UB/TR Microchip Technology MSR2N3700UB/TR 42.1477
RFQ
ECAD 1053 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 500MW ub 영향을받지 영향을받지 150-msr2n3700ub/tr 100 80 v 1 a 10NA NPN 500mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 10V -
MQ2N4093UB/TR Microchip Technology MQ2N4093UB/TR 81.3960
RFQ
ECAD 4547 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/431 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 360 MW ub 영향을받지 영향을받지 150-mq2n4093ub/tr 100 n 채널 40 v 16pf @ 20V 40 v 8 ma @ 20 v 80 옴
JANSP2N2906AUBC/TR Microchip Technology JANSP2N2906AUBC/TR 306.0614
RFQ
ECAD 5006 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/291 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 500MW UBC 영향을받지 영향을받지 150-JANSP2N2906AUBC/TR 50 60 v 600 MA 50NA PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 40 @ 150ma, 10V -
JANSM2N2221AUA/TR Microchip Technology JANSM2N2221AUA/TR 150.3406
RFQ
ECAD 1506 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/255 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 없음 650 MW UA 영향을받지 영향을받지 150-jansm2n2221aua/tr 50 50 v 800 MA 50NA NPN 1V @ 50MA, 500MA 40 @ 150ma, 10V -
MQ2N5114UB/TR Microchip Technology mq2n5114ub/tr 75.7701
RFQ
ECAD 4033 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 500MW ub 영향을받지 영향을받지 150-mq2n5114ub/tr 100 p 채널 30 v 25pf @ 15V 30 v 30 ma @ 18 v 5 v @ 1 na 75 옴
JANSL2N3439 Microchip Technology JANSL2N3439 270.2400
RFQ
ECAD 2698 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/368 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 800MW TO-39 (TO-205AD) 영향을받지 영향을받지 150-jansl2N3439 1 350 v 1 a 2µA NPN 500mv @ 4ma, 50ma 40 @ 20MA, 10V -
2N6385P Microchip Technology 2N6385P 80.7150
RFQ
ECAD 9575 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 6 w TO-204AA (TO-3) 영향을받지 영향을받지 150-2N6385P 귀 99 8541.29.0095 1 80 v 10 a 1MA npn-달링턴 3V @ 100MA, 10A 1000 @ 5a, 3v -
JANSD2N2369AU Microchip Technology JANSD2N2369AU 130.1402
RFQ
ECAD 4216 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/317 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 없음 500MW 영향을받지 영향을받지 150-jansd2n2369au 1 15 v 400NA NPN 450mv @ 10ma, 100ma 40 @ 10ma, 1v -
JANSM2N2906AL Microchip Technology JANSM2N2906AL 99.9500
RFQ
ECAD 3980 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/291 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 500MW TO-18 (TO-206AA) 영향을받지 영향을받지 150-JANSM2N2906AL 1 60 v 600 MA 50NA PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 40 @ 150ma, 10V -
MQ2N4392UB Microchip Technology MQ2N4392UB 69.3861
RFQ
ECAD 7893 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 - 표면 표면 3-smd,, 없음 ub 영향을받지 영향을받지 150-mq2n4392ub 1 n 채널 -
2N5612 Microchip Technology 2N5612 43.0350
RFQ
ECAD 5901 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-213AA, TO-66-2 25 W. TO-66 (TO-213AA) 영향을받지 영향을받지 150-2N5612 귀 99 8541.29.0095 1 100 v 5 a - NPN - - -
JANTXV2N3879P Microchip Technology jantxv2n3879p 47.9199
RFQ
ECAD 3272 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/526 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-213AA, TO-66-2 35 W. TO-66 (TO-213AA) 영향을받지 영향을받지 150-jantxv2n3879p 1 75 v 7 a 25MA (ICBO) NPN 1.2v @ 400ma, 4a 40 @ 500ma, 5V -
MX2N4861UB Microchip Technology MX2N4861UB 68.7743
RFQ
ECAD 6263 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/385 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 360 MW ub 영향을받지 영향을받지 150-mx2n4861ub 1 n 채널 30 v 18pf @ 10V 30 v 8 ma @ 15 v 800 mV @ 500 PA 60 옴
2C5238-MSCL Microchip Technology 2C5238-MSCL 13.3950
RFQ
ECAD 2475 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 영향을받지 영향을받지 150-2C5238-MSCL 1
MQ2N4092UB Microchip Technology MQ2N4092UB 81.2497
RFQ
ECAD 7749 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 360 MW ub 영향을받지 영향을받지 150-mq2n4092ub 1 n 채널 40 v 16pf @ 20V 40 v 15 ma @ 20 v 50 옴
MQ2N4091 Microchip Technology MQ2N4091 63.2947
RFQ
ECAD 6085 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 360 MW TO-18 (TO-206AA) 영향을받지 영향을받지 150-MQ2N4091 1 n 채널 40 v 16pf @ 20V 40 v 30 ma @ 20 v 30 옴
MQ2N5115 Microchip Technology MQ2N5115 54.5300
RFQ
ECAD 4936 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 500MW TO-18 (TO-206AA) 영향을받지 영향을받지 150-MQ2N5115 1 p 채널 30 v 25pf @ 15V 30 v 15 ma @ 15 v 3 v @ 1 na 100 옴
F2N5154 Microchip Technology F2N5154 36.6548
RFQ
ECAD 5778 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 1 W. TO-39 (TO-205AD) 영향을받지 영향을받지 150-F2N5154 귀 99 8541.29.0095 1 80 v 2 a 50µA NPN 1.5v @ 500ma, 5a 70 @ 2.5a, 5V -
JANSR2N3498L Microchip Technology JANSR2N3498L 41.5800
RFQ
ECAD 5769 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/366 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 1 W. TO-5AA 영향을받지 영향을받지 150-JANSR2N3498L 1 100 v 500 MA 10µA (ICBO) NPN 600mv @ 30ma, 300ma 40 @ 150ma, 10V -
2N4234L Microchip Technology 2N4234L 40.7850
RFQ
ECAD 9952 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 1 W. TO-39 (TO-205AD) 영향을받지 영향을받지 150-2N4234L 귀 99 8541.29.0095 1 40 v 1 a 1MA PNP 600mv @ 100ma, 1a 40 @ 100ma, 1v -
2N5319 Microchip Technology 2N5319 519.0900
RFQ
ECAD 3772 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 스터드 스터드 TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, 스터드 87 w To-61 영향을받지 영향을받지 150-2N5319 귀 99 8541.29.0095 1 100 v 10 a - PNP - - -
JANTX2N2920A Microchip Technology jantx2n2920a 35.9632
RFQ
ECAD 2525 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/355 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 78-6 금속 6 2N2920 350MW To-78-6 영향을받지 영향을받지 150-jantx2n2920a 1 60V 30ma 10µA (ICBO) 2 NPN (() 300mv @ 100µa, 1ma 300 @ 1ma, 5V -
JANKCAM2N3636 Microchip Technology jankcam2n3636 -
RFQ
ECAD 8424 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/357 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 1 W. TO-39 (TO-205AD) 영향을받지 영향을받지 150-jankcam2n3636 100 175 v 1 a 10µA PNP 600mv @ 5ma, 50ma 50 @ 50MA, 10V -
JANSL2N4449 Microchip Technology JANSL2N4449 129.0708
RFQ
ECAD 3789 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/317 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AB, to-46-3 금속 캔 500MW To-46 영향을받지 영향을받지 150-jansl2N4449 1 15 v 400NA NPN 450mv @ 10ma, 100ma 20 @ 100ma, 1v -
2N2108 Microchip Technology 2N2108 30.5100
RFQ
ECAD 8832 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 1 W. TO-5AA 영향을받지 영향을받지 150-2N2108 귀 99 8541.29.0095 1 60 v 500 MA - PNP 2V @ 10µA, 200µA - -
JANSL2N2221AUB Microchip Technology JANSL2N2221AUB 150.3406
RFQ
ECAD 3450 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/255 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 500MW ub 영향을받지 영향을받지 150-jansl2n2221aub 1 50 v 800 MA 50NA NPN 1V @ 50MA, 500MA 40 @ 150ma, 10V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고