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트랜지스터 (5714)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | vce (on) (max) @ vge, ic | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | JANSM2N3499L | 41.5800 |  | 8939 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/366 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 1 W. | TO-5AA | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jansm2N3499L | 1 | 100 v | 500 MA | 10µA (ICBO) | NPN | 600mv @ 30ma, 300ma | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||
 | MSC017SMA120B | 46.5600 | | 27 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | MSC017SMA | sicfet ((카바이드) | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSC017SMA120B | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 1200 v | 113A (TC) | 20V | 22mohm @ 40a, 20V | 2.7V @ 4.5MA (유형) | 249 NC @ 20 v | +22V, -10V | 5280 pf @ 1000 v | - | 455W (TC) | |||||||||||||||
 | jantx2n4234 | 40.5517 | | 4050 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/580 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 2N4234 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 v | 1 a | 1MA | PNP | 600mv @ 100ma, 1a | 30 @ 250ma, 1V | - | ||||||||||||||||||||
 | MNSKC2N2907A | 8.5253 | | 3373 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-MNSKC2N2907A | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANSM2N3501 | 41.5800 | | 8763 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/366 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANSM2N3501 | 1 | 150 v | 300 MA | 10µA (ICBO) | NPN | 400mv @ 15ma, 150ma | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||
| 2N2992 | 27.6600 | | 3883 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 5 w | TO-5AA | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N2992 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 1 a | - | PNP | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
| 2N5744 | 37.1850 | | 4358 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-213AA, TO-66-2 | 43.7 w | TO-66 (TO-213AA) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N5744 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 20 a | - | PNP | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
 | 2N6049 | 48.1194 | | 4492 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | 2N6049 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MSCSM120AM042CD3AG | 936.0500 | | 9 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 상자 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | MSCSM120 | 실리콘 실리콘 (sic) | 2.031kW (TC) | D3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSCSM120AM042CD3AG | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널 다리) | 1200V (1.2kv) | 495A (TC) | 5.2MOHM @ 240A, 20V | 2.8V @ 6MA | 1392NC @ 20V | 18.1pf @ 1000V | - | |||||||||||||||||
| 2N5487-1 | 17.5500 | | 9035 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N5487-1 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANS2N3439U4/tr | - | | 1756 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jans2N3439U4/tr | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | JANSF2N2484 | 60.8602 | | 7664 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/376 | 쟁반 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 2N2484 | TO-18 (TO-206AA) | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 1 | 60 v | 50 MA | 2NA | NPN | 300mv @ 100µa, 1ma | 225 @ 10ma, 5V | - | |||||||||||||||||||||||
 | JAN2N1613L | 103.7400 | | 4389 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/181 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 800MW | To-5 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 30 v | 500 MA | 10µA (ICBO) | NPN | 1.5V @ 15ma, 150ma | 40 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||
| CMSDC60H19B3G | - | | 8142 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 쟁반 | 쓸모없는 | - | 150-CMSDC60H19B3G | 쓸모없는 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5805 | 59.6106 | | 3356 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 62 w | TO-3 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 v | 5 a | - | PNP | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
| aptgt30a170t1g | 65.8600 | | 8522 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP1 | APTGT30 | 210 W. | 기준 | SP1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 반 반 | 트렌치 트렌치 정지 | 1700 v | 45 a | 2.4V @ 15V, 30A | 250 µA | 예 | 2.5 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||
| JANS2N3506AL | 70.3204 | | 8235 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/349 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 1 W. | TO-5AA | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jans2n3506al | 1 | 40 v | 3 a | 1µA | NPN | 1.5V @ 250MA, 2.5A | 50 @ 500ma, 1V | - | ||||||||||||||||||||||||
| 2N4913 | 60.8475 | | 4620 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | 2N4913 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MSCSM120HM31CT3AG | 270.3700 | | 7670 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | MSCSM120 | 실리콘 실리콘 (sic) | 395W (TC) | SP3F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSCSM120HM31CT3AG | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 n 채널 | 1200V (1.2kv) | 89A (TC) | 31mohm @ 40a, 20V | 2.8V @ 1MA | 232NC @ 20V | 3020pf @ 1000V | - | |||||||||||||||||
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| 2C3810-MSCL | 22.3650 | | 7070 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2C3810-MSCL | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5633 | 74.1300 | | 8599 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 150 W. | TO-204AD (TO-3) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N5633 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 120 v | 10 a | - | PNP | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
| MSCSM70HM05CAG | 792.4000 | | 3596 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | MSCSM70 | - | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSCSM70HM05CAG | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 2C2484 | 6.1978 | | 4324 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-2C2484 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jan2n4033ub/tr | 21.6524 | | 4803 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/512 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 500MW | ub | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JAN2N4033UB/TR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 100 | 80 v | 1 a | 25NA | PNP | 1V @ 100MA, 1A | 100 @ 100ma, 5V | - | ||||||||||||||||||||||
 | Jan2n3725ub/tr | - | | 5034 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | ub | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-JAN2N3725ub/tr | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 500 MA | - | NPN | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
| 2N997 | 30.5700 | | 5590 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N997 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MSC090SMA070S | 8.5300 | | 3 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA | MSC090 | sicfet ((카바이드) | d3pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 691-MSC090SMA070S | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 700 v | 25A (TC) | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||
| jantxv2n1613L | 365.7500 | | 14 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/181 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 2N1613 | 800MW | To-39 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 30 v | 500 MA | 10µA (ICBO) | NPN | 1.5V @ 15ma, 150ma | 40 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||
 | JANSD2N3501UB/TR | 94.4906 | | 1920 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/366 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 500MW | ub | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jansd2n3501ub/tr | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 150 v | 300 MA | 10µA (ICBO) | NPN | 400mv @ 15ma, 150ma | 100 @ 150ma, 10V | - |
2000+
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