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트랜지스터 (5714)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	입력	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	얻다	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	vce (on) (max) @ vge, ic	현재- 컷오프 수집기 (최대)	NTC 스터 서머	입력 입력 (cie) @ vce	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	노이즈 노이즈 (db typ @ f)
2C6284-MSCL	33.2700	RFQ	6686	마이크로 마이크로 기술	*	대부분	활동적인									-			영향을받지 영향을받지	150-2C6284-MSCL			1
JANSD2N2221AUBC/TR	231.9816	RFQ	2626	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/255	테이프 & tr (TR)	활동적인	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	표면 표면	3-smd,, 없음			500MW		UBC	-			영향을받지 영향을받지	150-jansd2n2221aubc/tr			50															50 v	800 MA		50NA			NPN	1V @ 50MA, 500MA	100 @ 150ma, 10V	-
JANSD2N5154L	98.9702	RFQ	5152	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/544	대부분	활동적인	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-205AA, TO-5-3 금속 캔			1 W.		TO-5AA	-			영향을받지 영향을받지	150-JANSD2N5154L			1															80 v	2 a		50µA			NPN	1.5v @ 500ma, 5a	70 @ 2.5a, 5V	-
TN2540N8-G	1.6700	RFQ	2080	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-243AA	TN2540	MOSFET (금속 (()			TO-243AA (SOT-89)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널		400 v	260MA (TJ)	4.5V, 10V	12ohm @ 500ma, 10V	2V @ 1mA		± 20V	125 pf @ 25 v	-	1.6W (TA)
APTM120H29FG	385.2100	RFQ	1649	마이크로 마이크로 기술	Power MOS 7®	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	SP6	APTM120	MOSFET (금속 (()	780W		SP6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1	4 n 채널 (채널 교량)			1200V (1.2kv)	34A		348mohm @ 17a, 10V	5V @ 5MA	374NC @ 10V		10300pf @ 25v	-
2N5339	32.8909	RFQ	3784	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	TO-205AD, TO-39-3 금속 캔	2N5339		1 W.		To-39	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1															100 v	5 a		100µA			NPN	1.2v @ 500ma, 5a	60 @ 2a, 2v	-
JANS2N2919L	143.3710	RFQ	2986	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/355	대부분	활동적인	200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	78-6 금속 6					To-78-6	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지			0000.00.0000	1															60 v	30 MA		-			NPN	-	-	-
jantxv2n3867s	32.1195	RFQ	1511	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/350	대부분	활동적인	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-205AD, TO-39-3 금속 캔	2N3867		1 W.		TO-39 (TO-205AD)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1															40 v	3 MA		100µA (ICBO)			PNP	1.5V @ 250MA, 2.5A	40 @ 1.5a, 2v	-
2N2218AL	9.0041	RFQ	3819	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-205AA, TO-5-3 금속 캔	2N2218		800MW		To-5	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	1															50 v	800 MA		10NA			NPN	1V @ 50MA, 500MA	40 @ 150ma, 10V	-
VN2410L-G-P013	0.9800	RFQ	3646	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & t (TB)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드	VN2410	MOSFET (금속 (()			To-92-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널		240 v	190ma (TJ)	2.5V, 10V	10ohm @ 500ma, 10V	2V @ 1mA		± 20V	125 pf @ 25 v	-	1W (TC)
2C5686	131.4300	RFQ	9723	마이크로 마이크로 기술	*	대부분	활동적인									-			영향을받지 영향을받지	150-2C5686			1
JANS2N5339U3	-	RFQ	5460	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/560	대부분	sic에서 중단되었습니다	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	표면 표면	5-SMD			1 W.		SMD5	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1															100 v	5 a		100µA			NPN	1.2v @ 500ma, 5a	60 @ 2a, 2v	-
jantxv2n3740	-	RFQ	7992	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/441	대부분	활동적인	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-213AA, TO-66-2	2N3740		25 W.		TO-66 (TO-213AA)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1															60 v	4 a		10µA			PNP	600mv @ 125ma, 1a	30 @ 250ma, 1V	-
aptgt50a120t1g	64.1000	RFQ	8679	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	SP1	APTGT50		277 w	기준	SP1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1	반 반													트렌치 트렌치 정지	1200 v	75 a	2.1V @ 15V, 50A	250 µA	예	3.6 NF @ 25 v
JANS2N3507	70.3204	RFQ	6848	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/349	대부분	활동적인	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-205AD, TO-39-3 금속 캔			1 W.		TO-39 (TO-205AD)	-			영향을받지 영향을받지	150-JANS2N3507			1															50 v	3 a		1µA			NPN	1.5V @ 250MA, 2.5A	35 @ 500ma, 1V	-
2N5609	43.0350	RFQ	1733	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-213AA, TO-66-2			25 W.		TO-66 (TO-213AA)	-			영향을받지 영향을받지	150-2N5609	귀 99	8541.29.0095	1															80 v	5 a		-			PNP	750MV @ 250µa, 2.5ma	-	-
JAN2N6989U	57.6821	RFQ	9743	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/559	대부분	활동적인	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	표면 표면	6-SMD,, 없음	2N6989		1W		6-SMD	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1															50V	800ma		10NA (ICBO)			4 PNP (()	1V @ 50MA, 500MA	100 @ 150ma, 10V	-
MSCGLQ75X120CTYZBNMG	-	RFQ	1513	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준			452 W.	3 정류기 정류기 브리지	-	-				150-MSCGLQ75X120CTYZBNMG			1	브레이크가있는 3 인버터 단계													-	1200 v	150 a	2.4V @ 15V, 75A	50 µA	예	4400 pf @ 25 v
2N1890	20.6815	RFQ	2848	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-205AA, TO-5-3 금속 캔			800MW		To-5	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	1															80 v	500 MA		10NA (ICBO)			NPN	5V @ 15ma, 150ma	100 @ 150ma, 10V	-
2N3055	46.5234	RFQ	8135	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-204AA, TO-3	2N3055		6 w		TO-3	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2N3055ms	귀 99	8541.29.0095	1															70 v	15 a		1MA			NPN	2V @ 3.3A, 10A	20 @ 4a, 4v	-
2N3439U4	238.2562	RFQ	6300	마이크로 마이크로 기술	-	쟁반	활동적인	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	표면 표면	3-smd,, 없음	2N3439		800MW		U4	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	1															350 v	1 a		2µA			NPN	500mv @ 4ma, 50ma	40 @ 20MA, 10V	-
JANSR2N3635	129.5906	RFQ	5746	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/357	대부분	활동적인	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-205AD, TO-39-3 금속 캔			1 W.		TO-39 (TO-205AD)	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1															140 v	10 µA		10µA			PNP	600mv @ 5ma, 50ma	100 @ 50MA, 10V	-
jantxv2n3636	13.6990	RFQ	9862	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/357	대부분	활동적인	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-205AD, TO-39-3 금속 캔			1 W.		TO-39 (TO-205AD)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1															175 v	1 a		10µA			PNP	600mv @ 5ma, 50ma	50 @ 50MA, 10V	-
2N6189	287.8650	RFQ	7623	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	스터드 스터드	TO-210AA, TO-59-4, 스터드			60 W.		To-59	-			영향을받지 영향을받지	150-2N6189	귀 99	8541.29.0095	1															100 v	10 a		-			PNP	1.2v @ 100µa, 2ma	-	-
2N4150	10.1745	RFQ	7141	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-205AA, TO-5-3 금속 캔	2N4150		1 W.		TO-5AA	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1															70 v	10 a		10µA			NPN	2.5V @ 1A, 10A	50 @ 1a, 5V	-
2N5581	7.1953	RFQ	5358	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-206AB, to-46-3 금속 캔	2N5581		500MW		TO-46 (TO-206AB)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	1															50 v	800 MA		10µA (ICBO)			NPN	1V @ 50MA, 500MA	40 @ 150ma, 10V	-
JANSR2N3439	265.3700	RFQ	1545	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/368	대부분	활동적인	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-205AD, TO-39-3 금속 캔			800MW		TO-39 (TO-205AD)	-			영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	1															350 v	2 µA		2µA			NPN	500mv @ 4ma, 50ma	40 @ 20MA, 10V	-
JANSP2N3057A	127.0302	RFQ	3008	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/391	대부분	활동적인	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-206AB, to-46-3 금속 캔			500MW		To-46	-			영향을받지 영향을받지	150-jansp2n3057a			1															80 v	1 a		10NA			NPN	500mv @ 50ma, 500ma	100 @ 150ma, 10V	-
2N3496	33.6900	RFQ	8690	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-206AA, TO-18-3 금속 캔			600MW		TO-18 (TO-206AA)	-			영향을받지 영향을받지	150-2N3496	귀 99	8541.21.0095	1			-												80V	100ma					PNP		35 @ 100MA, 10V	250MHz	-
2N5006	537.9600	RFQ	7861	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	스터드 스터드	TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, 스터드			100 W.		To-61	-			영향을받지 영향을받지	150-2N5006	귀 99	8541.29.0095	1															80 v	10 a		-			PNP	900MV @ 500µA, 5MA	-	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (5714)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²