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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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![]() | MSCSM120HM16TBL3NG | - | ![]() | 1024 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | MSCSM120 | 실리콘 실리콘 (sic) | 560W | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSCSM120HM16TBL3NG | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 6 n 채널 (채널 다리) | 1200V (1.2kv) | 150a | 16mohm @ 80a, 20V | 2.8V @ 6MA | 464NC @ 20V | 6040pf @ 1000V | - | ||||||||||||
![]() | APT24M80B | 10.6400 | ![]() | 7481 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MOS 8 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | APT24M80 | MOSFET (금속 (() | TO-247 [B] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 800 v | 25A (TC) | 10V | 390mohm @ 12a, 10V | 5V @ 1MA | 150 nc @ 10 v | ± 30V | 4595 pf @ 25 v | - | 625W (TC) | |||||||||||
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jantx2n2219 | - | ![]() | 3328 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/251 | 대부분 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 2N2219 | 800MW | To-39 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 30 v | 800 MA | 10NA | NPN | 1.6V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||
![]() | 2N6352P | 43.2300 | ![]() | 5840 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-213AA, TO-66-3 | 2 w | TO-66 (TO-213AA) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N6352P | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 5 a | 1µA | npn-달링턴 | 2.5V @ 10MA, 5A | 2000 @ 5a, 5V | - | |||||||||||||||||
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Jankca2N3439 | 17.7023 | ![]() | 9542 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/368 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 800MW | TO-39 (TO-205AD) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jankca2n3439 | 1 | 350 v | 1 a | 2µA | NPN | 500mv @ 4ma, 50ma | 40 @ 20MA, 10V | - | ||||||||||||||||||||
![]() | 2N5867 | 63.9597 | ![]() | 6981 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 87.5 w | TO-3 | - | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 5 a | - | PNP | - | - | - | ||||||||||||||||||
jantx2n718a | - | ![]() | 4866 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/181 | 대부분 | sic에서 중단되었습니다 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 500MW | TO-18 (TO-206AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 30 v | 500 MA | 10µA (ICBO) | NPN | 1.5V @ 15ma, 150ma | 40 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||
![]() | 2N5540 | 519.0900 | ![]() | 1425 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 스터드 스터드 | TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, 스터드 | 87 w | To-61 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N5540 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 v | 10 a | - | PNP | - | - | - | |||||||||||||||||
![]() | MSCSM120TLM08CAG | 1.0000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | MSCSM120 | 실리콘 실리콘 (sic) | 1378W (TC) | SP6C | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSCSM120TLM08CAG | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 n 채널 (3 채널 인버터) | 1200V (1.2kv) | 333A (TC) | 7.8mohm @ 80a, 20V | 2.8V @ 4MA | 928NC @ 20V | 12000pf @ 1000V | - | ||||||||||||
![]() | APT9F100B | 4.8944 | ![]() | 8456 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MOS 8 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | APT9F100 | MOSFET (금속 (() | TO-247 [B] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 1000 v | 9A (TC) | 10V | 1.6ohm @ 5a, 10V | 5V @ 1MA | 80 nc @ 10 v | ± 30V | 2606 pf @ 25 v | - | 337W (TC) | |||||||||||
![]() | APT7F100B | 4.0698 | ![]() | 8118 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | APT7F100 | MOSFET (금속 (() | TO-247 [B] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 1000 v | 7A (TC) | 10V | 2ohm @ 4a, 10V | 5v @ 500µa | 58 NC @ 10 v | ± 30V | 1800 pf @ 25 v | - | 290W (TC) | |||||||||||
APT44F80L | 22.1900 | ![]() | 1213 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-264-3, TO-264AA | APT44F80 | MOSFET (금속 (() | TO-264 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 800 v | 47A (TC) | 10V | 240mohm @ 24a, 10V | 5V @ 2.5MA | 305 NC @ 10 v | ± 30V | 9330 pf @ 25 v | - | 1135W (TC) | ||||||||||||
![]() | APTM100DA18TG | 122.8400 | ![]() | 2663 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP4 | APTM100 | MOSFET (금속 (() | SP4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 1000 v | 43A (TC) | 10V | 210mohm @ 21.5a, 10V | 5V @ 5MA | 372 NC @ 10 v | ± 30V | 10400 pf @ 25 v | - | 780W (TC) | |||||||||||
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JANKCBP2N2222A | - | ![]() | 6658 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 500MW | TO-18 (TO-206AA) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jankcbp2n2222a | 100 | 50 v | 800 MA | 50NA | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||
![]() | APT10M19BVRG | 12.1700 | ![]() | 2740 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MOS V® | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | APT10M19 | MOSFET (금속 (() | TO-247 [B] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 100 v | 75A (TC) | 19mohm @ 500ma, 10V | 4V @ 1MA | 300 NC @ 10 v | 6120 pf @ 25 v | - | |||||||||||||||
![]() | APT40N60JCU3 | 26.3700 | ![]() | 5094 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | APT40N60 | MOSFET (금속 (() | SOT-227 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 600 v | 40A (TC) | 10V | 70mohm @ 20a, 10V | 3.9V @ 1mA | 259 NC @ 10 v | ± 20V | 7015 pf @ 25 v | - | 290W (TC) | |||||||||||
![]() | 2N5069 | 72.4800 | ![]() | 4143 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 87 w | TO-204AD (TO-3) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N5069 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 5 a | - | NPN | - | - | - | |||||||||||||||||
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![]() | jantx2n3634l | 11.9700 | ![]() | 9245 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/357 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 2N3634 | 1 W. | To-5 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 140 v | 1 a | 10µA | PNP | 600mv @ 5ma, 50ma | 50 @ 50MA, 10V | - | |||||||||||||||
![]() | APT5010JVRU2 | 34.2800 | ![]() | 1900 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | APT5010 | MOSFET (금속 (() | SOT-227 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 500 v | 44A (TC) | 10V | 100mohm @ 22a, 10V | 4V @ 2.5MA | 312 NC @ 10 v | ± 30V | 7410 pf @ 25 v | - | 450W (TC) | |||||||||||
![]() | 2N930A | 12.7414 | ![]() | 6837 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | - | - | 2N930 | - | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | JAN2N6674 | 136.0058 | ![]() | 9526 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/537 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 2N6674 | 6 w | TO-204AA (TO-3) | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 v | 15 a | 1MA | NPN | 5V @ 5a, 15a | 8 @ 10a, 2v | - | |||||||||||||||
![]() | APTM50DHM38G | 212.3600 | ![]() | 9117 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP6 | APTM50 | MOSFET (금속 (() | 694W | SP6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널) 비대칭 | 500V | 90A | 45mohm @ 45a, 10V | 5V @ 5MA | 246NC @ 10V | 11200pf @ 25V | - | |||||||||||||
![]() | jantxv2n5660u3 | 556.8577 | ![]() | 1139 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/454 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 2 w | U3 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantxv2n5660u3 | 1 | 200 v | 2 a | 200na | NPN | 800mv @ 400ma, 2a | 40 @ 500ma, 5V | - | |||||||||||||||||||
APT48M80L | 21.1700 | ![]() | 9399 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-264-3, TO-264AA | APT48M80 | MOSFET (금속 (() | TO-264 [L] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 800 v | 49A (TC) | 10V | 200mohm @ 24a, 10V | 5V @ 2.5MA | 305 NC @ 10 v | ± 30V | 9330 pf @ 25 v | - | 1135W (TC) | ||||||||||||
![]() | JAN2N4854U | 195.1642 | ![]() | 8821 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/421 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | 2N4854 | 600MW | 6-SMD | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 40V | 600ma | 10µA (ICBO) | NPN, PNP | 400mv @ 15ma, 150ma | 100 @ 150ma, 10V | - |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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