SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
MSCSM120HM16TBL3NG Microchip Technology MSCSM120HM16TBL3NG -
RFQ
ECAD 1024 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 MSCSM120 실리콘 실리콘 (sic) 560W - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-MSCSM120HM16TBL3NG 귀 99 8541.29.0095 1 6 n 채널 (채널 다리) 1200V (1.2kv) 150a 16mohm @ 80a, 20V 2.8V @ 6MA 464NC @ 20V 6040pf @ 1000V -
APT24M80B Microchip Technology APT24M80B 10.6400
RFQ
ECAD 7481 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MOS 8 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 APT24M80 MOSFET (금속 (() TO-247 [B] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 800 v 25A (TC) 10V 390mohm @ 12a, 10V 5V @ 1MA 150 nc @ 10 v ± 30V 4595 pf @ 25 v - 625W (TC)
JANS2N5152 Microchip Technology JANS2N5152 75.2802
RFQ
ECAD 5012 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/544 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 1 W. TO-39 (TO-205AD) - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 80 v 1 MA 1MA NPN 1.5v @ 500ma, 5a 30 @ 2.5a, 5V -
2C5666-MSCL Microchip Technology 2C5666-MSCL 16.8000
RFQ
ECAD 7606 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 - 영향을받지 영향을받지 150-2C5666-MSCL 1
JANTX2N2219 Microchip Technology jantx2n2219 -
RFQ
ECAD 3328 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/251 대부분 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 2N2219 800MW To-39 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 30 v 800 MA 10NA NPN 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V -
2N6352P Microchip Technology 2N6352P 43.2300
RFQ
ECAD 5840 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-213AA, TO-66-3 2 w TO-66 (TO-213AA) - 영향을받지 영향을받지 150-2N6352P 귀 99 8541.29.0095 1 80 v 5 a 1µA npn-달링턴 2.5V @ 10MA, 5A 2000 @ 5a, 5V -
JAN2N918 Microchip Technology JAN2N918 -
RFQ
ECAD 6733 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/301 대부분 sic에서 중단되었습니다 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 To-72-3 2 캔 200 MW To-72 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 15 v 50 MA 1µA (ICBO) NPN 400mv @ 1ma, 10ma 20 @ 3ma, 1v -
JANKCA2N3439 Microchip Technology Jankca2N3439 17.7023
RFQ
ECAD 9542 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/368 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 800MW TO-39 (TO-205AD) - 영향을받지 영향을받지 150-jankca2n3439 1 350 v 1 a 2µA NPN 500mv @ 4ma, 50ma 40 @ 20MA, 10V -
2N5867 Microchip Technology 2N5867 63.9597
RFQ
ECAD 6981 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 87.5 w TO-3 - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 60 v 5 a - PNP - - -
JANTX2N718A Microchip Technology jantx2n718a -
RFQ
ECAD 4866 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/181 대부분 sic에서 중단되었습니다 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 500MW TO-18 (TO-206AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 30 v 500 MA 10µA (ICBO) NPN 1.5V @ 15ma, 150ma 40 @ 150ma, 10V -
2N5540 Microchip Technology 2N5540 519.0900
RFQ
ECAD 1425 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 스터드 스터드 TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, 스터드 87 w To-61 - 영향을받지 영향을받지 150-2N5540 귀 99 8541.29.0095 1 300 v 10 a - PNP - - -
MSCSM120TLM08CAG Microchip Technology MSCSM120TLM08CAG 1.0000
RFQ
ECAD 4 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 MSCSM120 실리콘 실리콘 (sic) 1378W (TC) SP6C - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-MSCSM120TLM08CAG 귀 99 8541.29.0095 1 4 n 채널 (3 채널 인버터) 1200V (1.2kv) 333A (TC) 7.8mohm @ 80a, 20V 2.8V @ 4MA 928NC @ 20V 12000pf @ 1000V -
APT9F100B Microchip Technology APT9F100B 4.8944
RFQ
ECAD 8456 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MOS 8 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 APT9F100 MOSFET (금속 (() TO-247 [B] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 1000 v 9A (TC) 10V 1.6ohm @ 5a, 10V 5V @ 1MA 80 nc @ 10 v ± 30V 2606 pf @ 25 v - 337W (TC)
APT7F100B Microchip Technology APT7F100B 4.0698
RFQ
ECAD 8118 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 APT7F100 MOSFET (금속 (() TO-247 [B] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 1000 v 7A (TC) 10V 2ohm @ 4a, 10V 5v @ 500µa 58 NC @ 10 v ± 30V 1800 pf @ 25 v - 290W (TC)
APT44F80L Microchip Technology APT44F80L 22.1900
RFQ
ECAD 1213 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA APT44F80 MOSFET (금속 (() TO-264 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 800 v 47A (TC) 10V 240mohm @ 24a, 10V 5V @ 2.5MA 305 NC @ 10 v ± 30V 9330 pf @ 25 v - 1135W (TC)
APTM100DA18TG Microchip Technology APTM100DA18TG 122.8400
RFQ
ECAD 2663 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP4 APTM100 MOSFET (금속 (() SP4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 1000 v 43A (TC) 10V 210mohm @ 21.5a, 10V 5V @ 5MA 372 NC @ 10 v ± 30V 10400 pf @ 25 v - 780W (TC)
2N6352 Microchip Technology 2N6352 29.9649
RFQ
ECAD 8710 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-213AA, TO-66-3 2N6352 2 w TO-66 (TO-213AA) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 80 v 5 a 1µA npn-달링턴 2.5V @ 10MA, 5A 2000 @ 5a, 5V -
JANKCBP2N2222A Microchip Technology JANKCBP2N2222A -
RFQ
ECAD 6658 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 500MW TO-18 (TO-206AA) - 영향을받지 영향을받지 150-jankcbp2n2222a 100 50 v 800 MA 50NA NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V -
APT10M19BVRG Microchip Technology APT10M19BVRG 12.1700
RFQ
ECAD 2740 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MOS V® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 APT10M19 MOSFET (금속 (() TO-247 [B] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 100 v 75A (TC) 19mohm @ 500ma, 10V 4V @ 1MA 300 NC @ 10 v 6120 pf @ 25 v -
APT40N60JCU3 Microchip Technology APT40N60JCU3 26.3700
RFQ
ECAD 5094 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 APT40N60 MOSFET (금속 (() SOT-227 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 40A (TC) 10V 70mohm @ 20a, 10V 3.9V @ 1mA 259 NC @ 10 v ± 20V 7015 pf @ 25 v - 290W (TC)
2N5069 Microchip Technology 2N5069 72.4800
RFQ
ECAD 4143 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 87 w TO-204AD (TO-3) - 영향을받지 영향을받지 150-2N5069 귀 99 8541.29.0095 1 80 v 5 a - NPN - - -
SG2824J Microchip Technology SG2824J -
RFQ
ECAD 2224 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 구멍을 구멍을 18-CDIP (0.300 ", 7.62mm) SG2824 - 18-cerdip 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-SG2824J 귀 99 8541.29.0095 21 95V 500ma - 8 npn 달링턴 1.6V @ 500µa, 350ma - -
JANTX2N3634L Microchip Technology jantx2n3634l 11.9700
RFQ
ECAD 9245 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/357 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 2N3634 1 W. To-5 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 140 v 1 a 10µA PNP 600mv @ 5ma, 50ma 50 @ 50MA, 10V -
APT5010JVRU2 Microchip Technology APT5010JVRU2 34.2800
RFQ
ECAD 1900 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 APT5010 MOSFET (금속 (() SOT-227 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 500 v 44A (TC) 10V 100mohm @ 22a, 10V 4V @ 2.5MA 312 NC @ 10 v ± 30V 7410 pf @ 25 v - 450W (TC)
2N930A Microchip Technology 2N930A 12.7414
RFQ
ECAD 6837 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 - - 2N930 - - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1
JAN2N6674 Microchip Technology JAN2N6674 136.0058
RFQ
ECAD 9526 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/537 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 2N6674 6 w TO-204AA (TO-3) - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 300 v 15 a 1MA NPN 5V @ 5a, 15a 8 @ 10a, 2v -
APTM50DHM38G Microchip Technology APTM50DHM38G 212.3600
RFQ
ECAD 9117 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP6 APTM50 MOSFET (금속 (() 694W SP6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널) 비대칭 500V 90A 45mohm @ 45a, 10V 5V @ 5MA 246NC @ 10V 11200pf @ 25V -
JANTXV2N5660U3 Microchip Technology jantxv2n5660u3 556.8577
RFQ
ECAD 1139 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/454 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 2 w U3 - 영향을받지 영향을받지 150-jantxv2n5660u3 1 200 v 2 a 200na NPN 800mv @ 400ma, 2a 40 @ 500ma, 5V -
APT48M80L Microchip Technology APT48M80L 21.1700
RFQ
ECAD 9399 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA APT48M80 MOSFET (금속 (() TO-264 [L] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 800 v 49A (TC) 10V 200mohm @ 24a, 10V 5V @ 2.5MA 305 NC @ 10 v ± 30V 9330 pf @ 25 v - 1135W (TC)
JAN2N4854U Microchip Technology JAN2N4854U 195.1642
RFQ
ECAD 8821 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/421 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 없음 2N4854 600MW 6-SMD - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 40V 600ma 10µA (ICBO) NPN, PNP 400mv @ 15ma, 150ma 100 @ 150ma, 10V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고