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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | vce (on) (max) @ vge, ic | 전압 - 테스트 | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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![]() | jantxv2n5339u3 | - | ![]() | 5149 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/560 | 대부분 | sic에서 중단되었습니다 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-276AA | 1 W. | U-3 (TO-276AA) | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 5 a | 100µA | NPN | 1.2v @ 500ma, 5a | 60 @ 2a, 2v | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N4209 | 18.1200 | ![]() | 4890 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N4209 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JANTX2N3498 | 12.2600 | ![]() | 105 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/366 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 2N3498 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 500 MA | 10µA (ICBO) | NPN | 600mv @ 30ma, 300ma | 40 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv2n3498u4/tr | - | ![]() | 6539 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/366 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 1 W. | U4 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantxv2n3498u4/tr | 50 | 100 v | 500 MA | 50NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 30ma, 300ma | 40 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
JAN2N3468 | - | ![]() | 4929 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/348 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 50 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 1.2v @ 100ma, 1a | 25 @ 500ma, 1V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANSP2N3636L | - | ![]() | 1215 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/357 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 1 W. | To-5 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 175 v | 10 µA | 10µA | PNP | 600mv @ 5ma, 50ma | 50 @ 50MA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
APT29F100B2 | 18.9800 | ![]() | 43 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MOS 8 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 7 | APT29F100 | MOSFET (금속 (() | T-Max ™ [B2] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 1000 v | 30A (TC) | 10V | 440mohm @ 16a, 10V | 5V @ 2.5MA | 260 NC @ 10 v | ± 30V | 8500 pf @ 25 v | - | 1040W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv2n6058 | 89.8548 | ![]() | 2956 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/502 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3 | 2N6058 | 150 W. | TO-3 (TO-204AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 12 a | 1MA | npn-달링턴 | 3V @ 120ma, 12a | 1000 @ 6A, 3V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2C6284 | 29.4994 | ![]() | 3545 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-2C6284 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT35GP120J | - | ![]() | 3760 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | Power MOS 7® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 동위 동위 | APT35GP120 | 284 w | 기준 | ISOTOP® | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 하나의 | Pt | 1200 v | 64 a | 3.9V @ 15V, 35A | 250 µA | 아니요 | 3.24 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||
apt6010lllg | 29.6000 | ![]() | 3898 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | Power MOS 7® | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-264-3, TO-264AA | APT6010 | MOSFET (금속 (() | TO-264 [L] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 600 v | 54A (TC) | 100mohm @ 27a, 10V | 5V @ 2.5MA | 150 nc @ 10 v | 6710 pf @ 25 v | - | |||||||||||||||||||||||||||||
2N3635 | - | ![]() | 9686 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | sic에서 중단되었습니다 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 140 v | 1 a | 10µA | PNP | 600mv @ 5ma, 50ma | 100 @ 50MA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | vn2410l-g | 1.1600 | ![]() | 7564 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 가방 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | VN2410 | MOSFET (금속 (() | To-92-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 240 v | 190ma (TJ) | 2.5V, 10V | 10ohm @ 500ma, 10V | 2V @ 1mA | ± 20V | 125 pf @ 25 v | - | 1W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | ICPB1010-1-110I | - | ![]() | 3591 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 상자 | 활동적인 | 28 v | 표면 표면 | 주사위 | 14GHz | 간 간 | 주사위 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 | - | 4a | 500 MA | 50W | 6.1db | - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N1131L | 26.5950 | ![]() | 6010 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 600MW | TO-5AA | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N1131L | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 40 v | 600 MA | 10MA | PNP | 1.3v @ 15ma, 150ma | 20 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
JANKCBP2N3700 | - | ![]() | 8414 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/391 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 500MW | TO-18 (TO-206AA) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jankcbp2n3700 | 100 | 80 v | 1 a | 10NA | NPN | 500mv @ 50ma, 500ma | 100 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N336AT2 | 65.1035 | ![]() | 6404 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | 2N336 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VN3205N8-G | 1.8200 | ![]() | 1639 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-243AA | VN3205 | MOSFET (금속 (() | TO-243AA (SOT-89) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 50 v | 1.5A (TJ) | 4.5V, 10V | 300mohm @ 1.5a, 10V | 2.4V @ 10MA | ± 20V | 300 pf @ 25 v | - | 1.6W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N1724A | 334.7344 | ![]() | 1751 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 쟁반 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 스터드 스터드 | TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, 스터드 | 2N1724 | 3 w | To-61 | - | 영향을받지 영향을받지 | 2N1724AMS | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 120 v | 5 a | 100µA | NPN | 1.5v @ 500ma, 5a | 30 @ 2a, 15V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5405 | 26.8050 | ![]() | 1944 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 7.5 w | TO-5AA | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N5405 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 5 a | - | PNP | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTM10TAM19FPG | 178.9900 | ![]() | 9523 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP6 | APTM10 | MOSFET (금속 (() | 208W | SP6-P | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 6 n 채널 (3 채널 교량) | 100V | 70A | 21mohm @ 35a, 10V | 4V @ 1MA | 200nc @ 10v | 5100pf @ 25V | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT30M19JVR | 74.5100 | ![]() | 5489 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MOS V® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | APT30M19 | MOSFET (금속 (() | ISOTOP® | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 300 v | 130A (TC) | 10V | 19mohm @ 500ma, 10V | 4V @ 5MA | 975 NC @ 10 v | ± 30V | 21600 pf @ 25 v | - | 700W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
2N2432A | - | ![]() | 8229 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | sic에서 중단되었습니다 | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 300MW | TO-18 (TO-206AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 30 v | 100 MA | 10NA | NPN | - | 80 @ 1ma, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANSP2N2222AUB/TR | 108.5100 | ![]() | 6971 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 150-JANSP2N2222AUB/TR | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5796U | 63.0154 | ![]() | 7675 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | 2N5796 | 500MW | 유 | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 2N5796UMS | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 600ma | 10µA (ICBO) | 2 PNP (() | 1.6V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3019 | 14.4600 | ![]() | 843 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 2N3019 | 800MW | To-5 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2N3019ms | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 v | 1 a | 10µA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50ma, 500ma | 50 @ 500ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2C5237-MSCL | 13.3950 | ![]() | 6507 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2C5237-MSCL | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
jantxv2n3724 | - | ![]() | 5537 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | TO-39 (TO-205AD) | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 1 | 30 v | - | NPN | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv2n3767p | 172.9000 | ![]() | 5867 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-213AA, TO-66-2 | 25 W. | TO-66 (TO-213AA) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantxv2n3767p | 1 | 80 v | 4 a | 500µA | NPN | 2.5V @ 100MA, 1A | 40 @ 500ma, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
APT24M120B2 | 13.8000 | ![]() | 12 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MOS 8 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 7 | APT24M120 | MOSFET (금속 (() | T-Max ™ [B2] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 1200 v | 24A (TC) | 10V | 630mohm @ 12a, 10V | 5V @ 2.5MA | 260 NC @ 10 v | ± 30V | 8370 pf @ 25 v | - | 1040W (TC) |
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