전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전압 - 테스트 | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N6235 | 45.6855 | ![]() | 8633 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-213AA, TO-66-2 | 2N6235 | 50 W. | To-66 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 v | 5 a | 1MA | NPN | 2.5V @ 1a, 5a | 25 @ 1a, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||
2N1714S | 20.3850 | ![]() | 5346 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | TO-39 (TO-205AD) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N1714S | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 750 MA | - | NPN | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv2n2920u | - | ![]() | 6861 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/355 | 대부분 | sic에서 중단되었습니다 | 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | 2N2920 | 350MW | 6-SMD | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 30ma | 10µA (ICBO) | 2 NPN (() | 300mv @ 100µa, 1ma | 300 @ 1ma, 5V | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5867 | 63.9597 | ![]() | 6981 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 87.5 w | TO-3 | - | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 5 a | - | PNP | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT24M80B | 10.6400 | ![]() | 7481 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MOS 8 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | APT24M80 | MOSFET (금속 (() | TO-247 [B] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 800 v | 25A (TC) | 10V | 390mohm @ 12a, 10V | 5V @ 1MA | 150 nc @ 10 v | ± 30V | 4595 pf @ 25 v | - | 625W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | JANSF2N7373 | 1.0000 | ![]() | 2578 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/613 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-254-3, TO-254AA | 4 w | TO-254AA | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANSF2N7373 | 1 | 80 v | 5 a | 50µA | NPN | 1.5v @ 500ma, 5a | 70 @ 2.5a, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | JAN2N3765U4 | - | ![]() | 2006 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/396 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 500MW | U4 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 1.5 a | 100µA (ICBO) | PNP | 900mv @ 100ma, 1a | 40 @ 500ma, 1V | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | JANSR2N3634ub/tr | - | ![]() | 3740 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/357 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | 1 W. | ub | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 140 v | 10 µA | 10µA | PNP | 600mv @ 5ma, 50ma | 50 @ 50MA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||
JANS2N5152 | 75.2802 | ![]() | 5012 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/544 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 1 MA | 1MA | NPN | 1.5v @ 500ma, 5a | 30 @ 2.5a, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv2n2222aub | 7.1000 | ![]() | 2540 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/255 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 2N2222 | 500MW | ub | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 800 MA | 50NA | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | MSCSM120HM16TBL3NG | - | ![]() | 1024 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | MSCSM120 | 실리콘 실리콘 (sic) | 560W | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSCSM120HM16TBL3NG | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 6 n 채널 (채널 다리) | 1200V (1.2kv) | 150a | 16mohm @ 80a, 20V | 2.8V @ 6MA | 464NC @ 20V | 6040pf @ 1000V | - | ||||||||||||||||||||
![]() | jantxv2n3637ub | 23.4612 | ![]() | 4776 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/357 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 2N3637 | 1.5 w | 3-smd | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 175 v | 1 a | 10µA | PNP | 600mv @ 5ma, 50ma | 100 @ 50MA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | JAN2N6649 | 104.1523 | ![]() | 2472 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/527 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 5 w | TO-204AA (TO-3) | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 10 a | 1MA (ICBO) | pnp- 달링턴 | 3V @ 100MA, 10A | 1000 @ 5a, 3v | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | jantx2n5302 | 162.7388 | ![]() | 8797 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/456 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 2N5302 | 5 w | TO-3 (TO-204AA) | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 30 a | 10µA | NPN | 3V @ 6A, 30A | 15 @ 15a, 2v | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv2n3419 | - | ![]() | 4039 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/393 | 대부분 | sic에서 중단되었습니다 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 2N3419 | 1 W. | To-5 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 3 a | 5µA | NPN | 500mv @ 200ma, 2a | 20 @ 1a, 2v | - | |||||||||||||||||||||||
Jankca2N3439 | 17.7023 | ![]() | 9542 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/368 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 800MW | TO-39 (TO-205AD) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jankca2n3439 | 1 | 350 v | 1 a | 2µA | NPN | 500mv @ 4ma, 50ma | 40 @ 20MA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTM10UM02FAG | 302.6400 | ![]() | 7338 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP6 | APTM10 | MOSFET (금속 (() | SP6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 100 v | 570A (TC) | 10V | 2.5mohm @ 200a, 10V | 4V @ 10MA | 1360 NC @ 10 v | ± 30V | 40000 pf @ 25 v | - | 1660W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | 2N5540 | 519.0900 | ![]() | 1425 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 스터드 스터드 | TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, 스터드 | 87 w | To-61 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N5540 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 v | 10 a | - | PNP | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MSCSM70VR1M10CTPAG | 801.0200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | MSCSM70 | 실리콘 실리콘 (sic) | 674W (TC) | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSCSM70VR1M10CTPAG | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 6 n 채널 (채널 다리) | 700V | 238A (TC) | 9.5mohm @ 80a, 20V | 2.4V @ 8mA | 430NC @ 20V | 9000pf @ 700V | - | ||||||||||||||||||||
jantx2n2219 | - | ![]() | 3328 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/251 | 대부분 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 2N2219 | 800MW | To-39 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 30 v | 800 MA | 10NA | NPN | 1.6V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||
jantx2n718a | - | ![]() | 4866 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/181 | 대부분 | sic에서 중단되었습니다 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 500MW | TO-18 (TO-206AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 30 v | 500 MA | 10µA (ICBO) | NPN | 1.5V @ 15ma, 150ma | 40 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv2n3741u4 | - | ![]() | 5927 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/441 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 25 W. | U4 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 10 µA | 10µA | PNP | 600mv @ 1.25ma, 1a | 30 @ 250ma, 1V | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6352P | 43.2300 | ![]() | 5840 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-213AA, TO-66-3 | 2 w | TO-66 (TO-213AA) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N6352P | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 5 a | 1µA | npn-달링턴 | 2.5V @ 10MA, 5A | 2000 @ 5a, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | JANS2N3700UB | 38.6602 | ![]() | 6395 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/391 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | 2N3700 | 500MW | ub | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2266-JANS2N3700UB | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 v | 1 a | 10NA | NPN | 500mv @ 50ma, 500ma | 50 @ 500ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2N4033UA/TR | 18.9126 | ![]() | 8669 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | 500MW | UA | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N4033UA/TR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 v | 1 a | 10µA (ICBO) | PNP | 1V @ 100MA, 1A | 100 @ 100ma, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||
APT8014L2FLLG | 44.5100 | ![]() | 5037 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | Power MOS 7® | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-264-3, TO-264AA | APT8014 | MOSFET (금속 (() | 264 MAX ™ [L2] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 800 v | 52A (TC) | 160mohm @ 26a, 10V | 5V @ 5MA | 285 NC @ 10 v | 7238 pf @ 25 v | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | APT9F100B | 4.8944 | ![]() | 8456 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MOS 8 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | APT9F100 | MOSFET (금속 (() | TO-247 [B] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 1000 v | 9A (TC) | 10V | 1.6ohm @ 5a, 10V | 5V @ 1MA | 80 nc @ 10 v | ± 30V | 2606 pf @ 25 v | - | 337W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | APT7F100B | 4.0698 | ![]() | 8118 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | APT7F100 | MOSFET (금속 (() | TO-247 [B] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 1000 v | 7A (TC) | 10V | 2ohm @ 4a, 10V | 5v @ 500µa | 58 NC @ 10 v | ± 30V | 1800 pf @ 25 v | - | 290W (TC) | |||||||||||||||||||
VRF148A | - | ![]() | 7712 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 쓸모없는 | 170 v | M113 | VRF148 | 175MHz | MOSFET | M113 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 10 | n 채널 | 100µA | 100 MA | 30W | 16db | - | 50 v | |||||||||||||||||||||||||
![]() | JANSL2N2369AUB | 252.5510 | ![]() | 6221 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/317 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 400MW | ub | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jansl2n2369aub | 1 | 20 v | 400NA | NPN | 450mv @ 10ma, 100ma | 40 @ 10ma, 1v | - |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고