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트랜지스터 (3592)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
EMB11T2R Rohm Semiconductor EMB11T2R 0.3900
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 EMB11 150MW EMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 50V 100ma 500NA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 500µA, 10MA 20 @ 5ma, 5V 250MHz 10kohms 10kohms
DTA124XCAHZGT116 Rohm Semiconductor DTA124XCAHZGT116 0.2100
RFQ
 ECAD 615 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA124 350 MW SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 100 MA - pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 22 KOHMS 47 Kohms
RSS050P03TB Rohm Semiconductor RSS050P03TB 0.4572
RFQ
 ECAD 2115 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RSS050 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 5A (TA) 4V, 10V 42mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 1mA 13 nc @ 5 v ± 20V 1200 pf @ 10 v - 2W (TA)
SH8KA1GZETB Rohm Semiconductor Sh8ka1gzetb 0.8200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) Sh8ka1 MOSFET (금속 (() 2W (TA) 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 4.5A (TA) 80mohm @ 4.5a, 10V 2.5V @ 1mA 3NC @ 10V 125pf @ 15V -
RSQ035P03TR Rohm Semiconductor rsq035p03tr 0.7500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 RSQ035 MOSFET (금속 (() TSMT6 (SC-95) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 3.5A (TA) 4V, 10V 65mohm @ 3.5a, 10V 2.5V @ 1mA 9.2 NC @ 5 v ± 20V 780 pf @ 10 v - 1.25W (TA)
2SB1241TV2Q Rohm Semiconductor 2SB1241TV2Q -
RFQ
 ECAD 8606 0.00000000 Rohm 반도체 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 3-sip 2SB1241 1 W. ATV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 80 v 1 a 1µA (ICBO) PNP 400mv @ 50ma, 500ma 120 @ 100MA, 3V 100MHz
DTA143TE3TL Rohm Semiconductor DTA143TE3TL 0.3700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 DTC114T 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTA143 150 MW EMT3 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 300mv @ 1ma, 10ma 100 @ 1ma, 5V 250MHz 10 KOHMS
2SC5659T2LP Rohm Semiconductor 2SC5659T2LP 0.4400
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-723 2SC5659 150 MW VMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 25 v 50 MA 500NA (ICBO) NPN 300mv @ 1ma, 10ma 82 @ 1ma, 6V 300MHz
2SD1757KT146Q Rohm Semiconductor 2SD1757KT146Q 0.5100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SD1757 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 15 v 500 MA 500NA (ICBO) NPN 400mv @ 50ma, 500ma 120 @ 100MA, 3V 150MHz
R8008ANJGTL Rohm Semiconductor R8008ANJGTL 5.8200
RFQ
 ECAD 978 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB R8008 MOSFET (금속 (() TO-263S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-R8008ANJGTLTR 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 8A (TC) 10V 1.03ohm @ 4a, 10V 5V @ 1MA 38 NC @ 10 v ± 30V 1100 pf @ 25 v - 195W (TC)
DTC115EE3TL Rohm Semiconductor dtc115ee3tl 0.3700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 DTA113E 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTC115 150 MW EMT3 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 33 @ 5MA, 5V 250MHz 1 KOHMS 10 KOHMS
DTD123TKT146 Rohm Semiconductor DTD123TKT146 0.5400
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTD123 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 500 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 100 @ 50MA, 5V 200MHz 2.2 Kohms
RSF014N03TL Rohm Semiconductor RSF014N03TL 0.6500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 리드 RSF014 MOSFET (금속 (() tumt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 1.4A (TA) 4V, 10V 240mohm @ 1.4a, 10V 2.5V @ 1mA 2 nc @ 5 v 20V 70 pf @ 10 v - 800MW (TA)
DTA114EUBTL Rohm Semiconductor dta114eubtl -
RFQ
 ECAD 8649 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-85 DTA114 200 MW umt3f 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 50 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 20 @ 5ma, 5V 250MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
2SAR544PT100 Rohm Semiconductor 2SAR544PT100 0.7000
RFQ
 ECAD 465 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SAR544 2 w MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 80 v 2.5 a 1µA (ICBO) PNP 400mv @ 50ma, 1a 120 @ 100MA, 3V 280MHz
DTC643TKT146 Rohm Semiconductor DTC643TKT146 0.4300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC643 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 20 v 600 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 150mv @ 2.5ma, 50ma 820 @ 50MA, 5V 150MHz 4.7 Kohms
2SA2094TLQ Rohm Semiconductor 2SA2094TLQ 0.4600
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 2SA2094 500MW TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 60 v 2 a 1µA (ICBO) PNP 500mv @ 100ma, 1a 120 @ 100MA, 2V 300MHz
R6024VNXC7G Rohm Semiconductor R6024VNXC7G 4.9500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 R6024 MOSFET (금속 (() TO-220FM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-R6024VNXC7G 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 13A (TC) 10V, 15V 153mohm @ 6a, 15V 6.5V @ 700µA 38 NC @ 10 v ± 30V 1800 PF @ 100 v - 70W (TC)
SCT4036KEHRC11 Rohm Semiconductor SCT4036KEHRC11 23.1200
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 sicfet ((카바이드) TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 846-SCT4036KEHRC11 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 1200 v 43A (TC) 18V 47mohm @ 21a, 18V 4.8V @ 11.1ma 91 NC @ 18 v +21V, -4V 2335 pf @ 800 v - 176W
R6046ANZ1C9 Rohm Semiconductor R6046ANZ1C9 15.7900
RFQ
 ECAD 448 0.00000000 Rohm 반도체 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-R6046ANZ1C9 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 600 v 46A (TC) 10V 90mohm @ 23a, 10V 4.5V @ 1mA 150 nc @ 10 v ± 30V 6000 pf @ 25 v - 120W (TC)
QH8JA1TCR Rohm Semiconductor qh8ja1tcr 0.8900
RFQ
 ECAD 7230 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 QH8JA1 - 1.5W TSMT8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 5a 38mohm @ 5a, 4.5v 1.2v @ 1ma 10.2NC @ 4.5V 720pf @ 10V -
2SC4115STPS Rohm Semiconductor 2SC4115STPS -
RFQ
 ECAD 7788 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 SC-72 형성 2 리드 2SC4115 400MW spt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 20 v 2 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 100ma, 2a 270 @ 100MA, 2V 290MHz
2SB1243TV2R Rohm Semiconductor 2SB1243TV2R -
RFQ
 ECAD 2322 0.00000000 Rohm 반도체 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 3-sip 2SB1243 1 W. ATV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 50 v 3 a 1µA (ICBO) PNP 1V @ 200MA, 2A 180 @ 500ma, 3v 70MHz
BSM180C12P2E202 Rohm Semiconductor BSM180C12P2E202 720.0000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 - 쟁반 활동적인 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 BSM180 sicfet ((카바이드) 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4 n 채널 1200 v 204A (TC) - - 4V @ 35.2ma +22V, -6V 20000 PF @ 10 v - 1360W (TC)
2SB1412TLQ Rohm Semiconductor 2SB1412TLQ 0.8600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 2SB1412 10 W. CPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,500 20 v 5 a 500NA (ICBO) PNP 1V @ 100MA, 4A 82 @ 500ma, 2V 120MHz
DTA115TUAT106 Rohm Semiconductor DTA115TUAT106 0.0463
RFQ
 ECAD 9973 0.00000000 Rohm 반도체 DTA115T 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 DTA115 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) pnp- 사전- 300mv @ 100µa, 1ma 100 @ 1ma, 5V 250MHz 100 KOHMS
R6509KND3TL1 Rohm Semiconductor R6509KND3TL1 1.8500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 R6509 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 650 v 9A (TC) 10V 585mohm @ 2.8a, 10V 5V @ 230µA 16.5 nc @ 10 v ± 20V 540 pf @ 25 v - 94W (TC)
RT1E040RPTR Rohm Semiconductor rt1e040rptr 0.2100
RFQ
 ECAD 3295 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 RT1E040 MOSFET (금속 (() 8-TSST 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 4A (TA) 4V, 10V 45mohm @ 4a, 10V 2.5V @ 1mA 20 nc @ 10 v ± 20V 1000 pf @ 10 v - 550MW (TA)
SCT4036KRC15 Rohm Semiconductor SCT4036KRC15 22.4500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 SCT4036 sicfet ((카바이드) TO-247-4L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-SCT4036KRC15 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 1200 v 43A (TC) 18V 47mohm @ 21a, 18V 4.8V @ 11.1ma 91 NC @ 18 v +21V, -4V 2335 pf @ 800 v - 176W
BSM600D12P3G001 Rohm Semiconductor BSM600D12P3G001 1.0000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 BSM600 실리콘 실리콘 (sic) 2450W (TC) 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-BSM600D12P3G001 귀 99 8541.29.0095 4 2 n 채널 (채널 교량) 1200V (1.2kv) 600A (TC) - 5.6v @ 182ma - 31000pf @ 10V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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