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트랜지스터(3592)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 테스트 조건 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 카드가 사라졌습니다 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
DTA123EMT2L Rohm Semiconductor DTA123EMT2L 0.0615
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 ECAD 2482 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 DTA123 150mW VMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 20 @ 5mA, 5V 250MHz 2.2kΩ 2.2kΩ
EMD22FHAT2R Rohm Semiconductor EMD22FHAT2R 0.0611
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 ECAD 8801 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 SOT-563, SOT-666 EMD22 150mW EMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 - 100mA - NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7k옴 47k옴
DTA114TCAHZGT116 Rohm Semiconductor DTA114TCAHZGT116 0.2100
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA114 350mW SST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 300mV @ 1mA, 10mA 100 @ 1mA, 5V 250MHz 10kΩ
DTC123EKAT146 Rohm Semiconductor DTC123EKAT146 0.2600
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 ECAD 42 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC123 200mW SMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 20 @ 20mA, 5V 250MHz 2.2kΩ 2.2kΩ
RGW40TS65GC11 Rohm Semiconductor RGW40TS65GC11 4.5300
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 ECAD 5672 0.00000000 로옴 - 튜브 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -40°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 기준 136W TO-247N 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 450 400V, 20A, 10옴, 15V 트렌치 필드스톱 650V 40A 80A 1.9V @ 15V, 20A 330μJ(켜짐), 300μJ(꺼짐) 59nC 33ns/76ns
2SC4081U3HZGT106R Rohm Semiconductor 2SC4081U3HZGT106R 0.3800
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 ECAD 5 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 2SC4081 200mW UMT3 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) NPN 400mV @ 5mA, 50mA 120@1mA, 6V 180MHz
2SC2413KT146P Rohm Semiconductor 2SC2413KT146P 0.4100
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC2413 200mW SMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 25V 50mA 500nA(ICBO) NPN 300mV @ 1mA, 10mA 82 @ 1mA, 6V 300MHz
DTA015EUBTL Rohm Semiconductor DTA015EUBTL 0.0536
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 ECAD 3872 0.00000000 로옴 DTA015E 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-85 DTA015 200mW UMT3F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 500μA에서 150mV, 5mA 80 @ 5mA, 10V 250MHz 100kΩ 100kΩ
EMD4T2R Rohm Semiconductor EMD4T2R 0.3900
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 ECAD 5 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 EMD4T2 150mW EMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 300mV @ 500μA, 10mA / 300mV @ 250μA, 5mA 68 @ 5mA, 5V 250MHz 47k옴, 10k옴 47k옴
DTB513ZMT2L Rohm Semiconductor DTB513ZMT2L 0.4400
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 ECAD 7 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 DTB513 150mW VMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 12V 500mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 300mV @ 5mA, 100mA 140 @ 100mA, 2V 260MHz 1kΩ 10kΩ
IMD14T108 Rohm Semiconductor IMD14T108 0.1659
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 ECAD 7931 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 SC-74, SOT-457 IMD14 300mW SMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 500mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 300mV @ 5mA, 100mA 82 @ 100mA, 5V 250MHz 220옴 10k옴
DTC113ZMT2L Rohm Semiconductor DTC113ZMT2L 0.3500
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 ECAD 5 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 DTC113 150mW VMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 33 @ 5mA, 5V 250MHz 1kΩ 10kΩ
DTC623TKT146 Rohm Semiconductor DTC623TKT146 0.4300
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 ECAD 7 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC623 200mW SMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 20V 600mA 500nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 150mV @ 2.5mA, 50mA 820 @ 50mA, 5V 150MHz 2.2kΩ
2SD2701TL Rohm Semiconductor 2SD2701TL 0.5700
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 ECAD 6 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 3-SMD, 플랫 리드 2SD2701 800mW TUMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 12V 2A 100nA(ICBO) NPN 350mV @ 50mA, 1A 270 @ 100mA, 2V 300MHz
DTA024XUBTL Rohm Semiconductor DTA024XUBTL 0.0488
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 ECAD 6589 0.00000000 로옴 DTA024X 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-85 DTA024 200mW UMT3F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 500μA에서 150mV, 5mA 80 @ 5mA, 10V 250MHz 22kΩ 47kΩ
DTC023JUBTL Rohm Semiconductor DTC023JUBTL 0.3000
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 ECAD 17 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-85 DTC023 200mW UMT3F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA - NPN - 사전 바이어스됨 500μA에서 150mV, 5mA 80 @ 5mA, 10V 250MHz 2.2kΩ 47kΩ
SCT3060ARC15 Rohm Semiconductor SCT3060ARC15 14.7600
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 ECAD 3300 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-4 SCT3060 SiC(실리콘 카바이드 및 반도체) TO-247-4L 다운로드 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-SCT3060ARC15 EAR99 8541.29.0095 450 N채널 650V 39A(티제이) 18V 78m옴 @ 13A, 18V 5.6V @ 6.67mA 58nC @ 18V +22V, -4V 500V에서 852pF - 165W
RTQ035N03HZGTR Rohm Semiconductor RTQ035N03HZGTR 0.7000
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 ECAD 1910년 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 RTQ035 MOSFET(금속) TSMT6 (SC-95) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 30V 3.5A(타) 2.5V, 4.5V 54m옴 @ 3.5A, 4.5V 1.5V @ 1mA 6.4nC @ 4.5V ±12V 10V에서 285pF - 950mW(타)
RJU003N03T106 Rohm Semiconductor RJU003N03T106 0.4700
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 ECAD 176 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 RJ003 MOSFET(금속) UMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 30V 300mA(타) 2.5V, 4.5V 1.1옴 @ 300mA, 4.5V 1.5V @ 1mA ±12V 10V에서 24pF - 200mW(타)
DTA014YUBTL Rohm Semiconductor DTA014YUBTL 0.3000
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-85 DTA014 200mW UMT3F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 70mA - PNP - 사전 바이어스됨 500μA에서 150mV, 5mA 80 @ 5mA, 10V 250MHz 10kΩ 47kΩ
SCT3040KRC15 Rohm Semiconductor SCT3040KRC15 27.1400
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 ECAD 2661 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-4 SCT3040 SiC(실리콘 카바이드 및 반도체) TO-247-4L 다운로드 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-SCT3040KRC15 EAR99 8541.29.0095 450 N채널 1200V 55A(티제이) 18V 52m옴 @ 20A, 18V 5.6V @ 10mA 107nC @ 18V +22V, -4V 800V에서 1337pF - 262W
SSTA56T116 Rohm Semiconductor SSTA56T116 0.4400
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 ECAD 5 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSTA56 350mW SST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 80V 500mA 1μA PNP 250mV @ 10mA, 100mA 100 @ 100mA, 1V 50MHz
BSM600D12P3G001 Rohm Semiconductor BSM600D12P3G001 1.0000
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 대부분 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 방역 기준기준 BSM600 실리콘 카바이드(SiC) 2450W(Tc) 기준기준 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-BSM600D12P3G001 EAR99 8541.29.0095 4 2 N 채널(하프 다리) 1200V(1.2kV) 600A(Tc) - 5.6V @ 182mA - 31000pF @ 10V -
DTA115ECAT116 Rohm Semiconductor DTA115ECAT116 0.2700
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 ECAD 50 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA115 200mW SST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 82 @ 5mA, 5V 250MHz 100kΩ 100kΩ
RUQ050N02TR Rohm Semiconductor RUQ050N02TR 0.8200
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 RUQ050 MOSFET(금속) TSMT6 (SC-95) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 20V 5A(타) 1.5V, 4.5V 30m옴 @ 5A, 4.5V 1.3V @ 1mA 12nC @ 4.5V ±10V 10V에서 900pF - 1.25W(타)
RGW00TS65HRC11 Rohm Semiconductor RGW00TS65HRC11 6.8500
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 ECAD 4064 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 RGW00 기준 254W TO-247N 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-RGW00TS65HRC11 EAR99 8541.29.0095 450 400V, 25A, 10옴, 15V 트렌치 필드스톱 650V 96A 200A 1.9V @ 15V, 50A 141nC 48ns/186ns
RQ3E075ATTB Rohm Semiconductor RQ3E075ATTB 1.2300
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 ECAD 5 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN RQ3E075 MOSFET(금속) 8-HSMT(3.2x3) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 30V 18A(TC) 10V 23m옴 @ 7.5A, 10V 2.5V @ 1mA 10.4nC @ 4.5V ±20V 930pF @ 15V - 15W(Tc)
RXR035N03TCL Rohm Semiconductor RXR035N03TCL 0.2392
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 ECAD 3372 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 SC-96 RXR035 MOSFET(금속) TSMT3 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 3.5A(타) 4V, 10V 50m옴 @ 3.5A, 10V 2.5V @ 1mA 3.3nC @ 5V ±20V 10V에서 180pF - 1W(타)
EMH9FHAT2R Rohm Semiconductor EMH9FHAT2R 0.3500
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 ECAD 115 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 SOT-563, SOT-666 EMH9FHAT2 150mW EMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 - 100mA - 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 68 @ 5mA, 5V 250MHz 10k옴 47k옴
RDN080N25FU6 Rohm Semiconductor RDN080N25FU6 -
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 ECAD 8843 0.00000000 로옴 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 RDN080 MOSFET(금속) TO-220FN 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 500 N채널 250V 8A(타) 10V 500m옴 @ 4A, 10V 4V @ 1mA 30nC @ 10V ±30V 10V에서 543pF - 35W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

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