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영상 | 제품 번호 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 가능한 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 상태 | 작동 온도 | 장착 유형 | 패키지 / 케이스 | 기본 제품 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 업체 장치 패키지 | 데이터 시트 | ROHS 상태 | 수분 감도 수준 (MSL) | 상태에 도달하십시오 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 표준 패키지 | 구성 | FET 유형 | 소스 전압 (VDS)으로 배수 | 전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 ° C | 구동 전압 (최대 RDS 켜짐, 최소 RDS) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 충전 (QG) (Max) @ Vgs | VGS (Max) | 입력 커패시턴스 (CISS) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 소실 (최대) | 전압 - 수집기 이미 터 고장 (최대) | Current -Collector (IC) (Max) | 현재 - 수집기 컷오프 (최대) | 트랜지스터 유형 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, VCE | 주파수 - 전환 | 저항 -베이스 (R1) | 저항 - 이미 터베이스 (R2) |
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![]() | R8008anx | 3.3082 | ![]() | 4350 | 0.00000000 | ROHM 반도체 | - | 대부분 | 새로운 디자인이 아닙니다 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 통해 | TO-220-3 풀 팩 | R8008 | MOSFET (금속 산화물) | TO-220FM | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 800 v | 8A (TA) | 10V | 1.03ohm @ 4a, 10V | 5V @ 1MA | 39 NC @ 10 v | ± 30V | 1080 pf @ 25 v | - | 50W (TC) | |||||||||||||
![]() | rp1h065sptr | - | ![]() | 3004 | 0.00000000 | ROHM 반도체 | - | 테이프 & 릴 (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 마운트 | 6-SMD, 평평한 리드 | RP1H065 | MOSFET (금속 산화물) | MPT6 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | P 채널 | 45 v | 6.5A (TA) | 4V, 10V | 31mohm @ 6.5a, 10V | 3V @ 1mA | 28 NC @ 5 v | ± 20V | 3200 pf @ 10 v | - | 2W (TA) | |||||||||||||
![]() | RSH100N03TB1 | 0.4998 | ![]() | 7702 | 0.00000000 | ROHM 반도체 | - | 테이프 & 릴 (TR) | 새로운 디자인이 아닙니다 | - | 표면 마운트 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | RSH100 | MOSFET (금속 산화물) | 8-SOP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 10A (TA) | 4V, 10V | 13.3MOHM @ 10A, 10V | 2.5V @ 1mA | 20 nc @ 5 v | ± 20V | 1070 pf @ 10 v | - | 2W (TA) | |||||||||||||
![]() | SH8M24TB1 | 1.6800 | ![]() | 7 | 0.00000000 | ROHM 반도체 | - | 테이프 & 릴 (TR) | 새로운 디자인이 아닙니다 | 150 ° C (TJ) | 표면 마운트 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | Sh8m24 | MOSFET (금속 산화물) | 2W | 8-SOP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N 및 P 채널 | 45V | 4.5A, 3.5A | 46MOHM @ 4.5A, 10V | 2.5V @ 1mA | 9.6NC @ 5V | 550pf @ 10V | - | |||||||||||||||
![]() | 2SB1182TLQ | 1.0600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ROHM 반도체 | - | 테이프 & 릴 (TR) | 새로운 디자인이 아닙니다 | 150 ° C (TJ) | 표면 마운트 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | 2SB1182 | 10 W. | CPT3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 2,500 | 32 v | 2 a | 1µA (ICBO) | PNP | 800mv @ 200ma, 2a | 120 @ 500ma, 3v | 100MHz | |||||||||||||||||
![]() | BSM300D12P2E001 | 852.5400 | ![]() | 67 | 0.00000000 | ROHM 반도체 | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 마운트 | 기준 치수 | BSM300 | 실리콘 카바이드 (sic) | 1875W | 기준 치수 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4 | 2 N 채널 (반 교량) | 1200V (1.2kv) | 300A (TC) | - | 4V @ 68MA | - | 35000pf @ 10V | - | |||||||||||||||
![]() | umd2nfhatr | 0.4800 | ![]() | 24 | 0.00000000 | ROHM 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & 릴 (TR) | 활동적인 | 표면 마운트 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | UMD2 | 150MW | UMT6 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 않습니다 | 846-umd2nfhatr | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100ma | 500NA | 1 NPN, 1 PNP- 사전 바이어스 (이중) | 300MV @ 500µA, 10MA | 56 @ 5MA, 5V | 250MHz | 22kohms | 22kohms | |||||||||||||||
![]() | 2SK2740 | - | ![]() | 7821 | 0.00000000 | ROHM 반도체 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 통해 | TO-220-3 풀 팩 | 2SK27 | MOSFET (금속 산화물) | TO-220FN | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 600 v | 7A (TA) | 10V | 1.2ohm @ 4a, 10V | 4V @ 1MA | ± 30V | 1050 pf @ 10 v | - | 30W (TC) | ||||||||||||||
![]() | SST6839T216 | 0.0487 | ![]() | 8561 | 0.00000000 | ROHM 반도체 | - | 테이프 & 릴 (TR) | 새로운 디자인이 아닙니다 | 150 ° C (TJ) | 표면 마운트 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SST6839 | 200 MW | SST3 | - | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 40 v | 200 MA | 500NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 10ma, 100ma | 100 @ 100ma, 5V | 140MHz | |||||||||||||||||
![]() | DTA143TUBTL | 0.0366 | ![]() | 5803 | 0.00000000 | ROHM 반도체 | - | 테이프 & 릴 (TR) | 새로운 디자인이 아닙니다 | 표면 마운트 | SC-70, SOT-323 | DTA143 | 200 MW | UMT3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 500NA (ICBO) | PNP- 사전 바이어스 | 300MV @ 250µA, 5MA | 100 @ 1ma, 5V | 250MHz | 4.7 Kohms | |||||||||||||||||
![]() | DTA124TCAT116 | 0.3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ROHM 반도체 | - | 테이프 & 릴 (TR) | 활동적인 | 표면 마운트 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DTA124 | 200 MW | SST3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 500NA (ICBO) | PNP- 사전 바이어스 | 300MV @ 500µA, 5MA | 100 @ 1ma, 5V | 250MHz | 22 KOHMS | |||||||||||||||||
![]() | 2SAR523UBTL | 0.2100 | ![]() | 4304 | 0.00000000 | ROHM 반도체 | - | 테이프 & 릴 (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 마운트 | SC-85 | 2SAR523 | 200 MW | umt3f | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 100NA (ICBO) | PNP | 400mv @ 5ma, 50ma | 120 @ 1ma, 6V | 300MHz | |||||||||||||||||
![]() | ema8t2r | 0.1035 | ![]() | 6135 | 0.00000000 | ROHM 반도체 | - | 테이프 & 릴 (TR) | 새로운 디자인이 아닙니다 | 표면 마운트 | 6-SMD (5 리드), 플랫 리드 | EMA8T2 | 300MW | EMT5 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50V | 100ma | 500NA | 2 PNP- 사전 바이어스 (듀얼) | 300MV @ 500µA, 10MA | 68 @ 5MA, 5V | - | 10kohms | 47kohms | ||||||||||||||||
![]() | DTC363EUT106 | - | ![]() | 5816 | 0.00000000 | ROHM 반도체 | - | 테이프 & 릴 (TR) | 쓸모없는 | 표면 마운트 | SC-70, SOT-323 | DTC363 | 200 MW | UMT3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 20 v | 600 MA | 500NA | NPN- 사전 바이어스 | 80MV @ 2.5MA, 50MA | 70 @ 50MA, 5V | 200MHz | 6.8 Kohms | 6.8 Kohms | ||||||||||||||||
![]() | RSD160P05TL | 1.0100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ROHM 반도체 | - | 테이프 & 릴 (TR) | 새로운 디자인이 아닙니다 | 150 ° C (TJ) | 표면 마운트 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | RSD160 | MOSFET (금속 산화물) | CPT3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P 채널 | 45 v | 16A (TA) | 4V, 10V | 50mohm @ 16a, 10V | 3V @ 1mA | 16 nc @ 5 v | ± 20V | 2000 pf @ 10 v | - | 20W (TC) | |||||||||||||
![]() | umb11ntn | 0.4700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | ROHM 반도체 | - | 테이프 & 릴 (TR) | 활동적인 | 표면 마운트 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | UMB11 | 150MW | UMT6 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100ma | 500NA | 2 PNP- 사전 바이어스 (듀얼) | 300MV @ 500µA, 10MA | 20 @ 5ma, 5V | 250MHz | 10kohms | 10kohms | ||||||||||||||||
![]() | RSD050N06TL | 0.2999 | ![]() | 6469 | 0.00000000 | ROHM 반도체 | - | 테이프 & 릴 (TR) | 새로운 디자인이 아닙니다 | 150 ° C (TJ) | 표면 마운트 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | RSD050 | MOSFET (금속 산화물) | CPT3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 5A (TA) | 4V, 10V | 109mohm @ 5a, 10V | 3V @ 1mA | 8 nc @ 10 v | ± 20V | 290 pf @ 10 v | - | 15W (TC) | |||||||||||||
![]() | DTC024XMT2L | 0.3000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ROHM 반도체 | - | 테이프 & 릴 (TR) | 활동적인 | 표면 마운트 | SOT-723 | DTC024 | 150 MW | VMT3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 v | 50 MA | 500NA | NPN- 사전 바이어스 | 150MV @ 500µA, 5MA | 80 @ 5ma, 10V | 250MHz | 22 KOHMS | 47 Kohms | ||||||||||||||||
![]() | 2SA2071T100Q | 0.7500 | ![]() | 120 | 0.00000000 | ROHM 반도체 | - | 테이프 & 릴 (TR) | 새로운 디자인이 아닙니다 | 150 ° C (TJ) | 표면 마운트 | TO-243AA | 2SA2071 | 2 w | MPT3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 60 v | 3 a | 1µA (ICBO) | PNP | 500mv @ 200ma, 2a | 120 @ 100MA, 2V | 180MHz | |||||||||||||||||
![]() | 2SB1197KT146Q | 0.4200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ROHM 반도체 | - | 테이프 & 릴 (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 마운트 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2SB1197 | 200 MW | smt3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 32 v | 800 MA | 500NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 50ma, 500ma | 120 @ 100MA, 3V | 200MHz | |||||||||||||||||
![]() | RHP020N06T100 | 0.8000 | ![]() | 130 | 0.00000000 | ROHM 반도체 | - | 테이프 & 릴 (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 마운트 | TO-243AA | RHP020 | MOSFET (금속 산화물) | MPT3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1,000 | n 채널 | 60 v | 2A (TA) | 4V, 10V | 200mohm @ 2a, 10V | 2.5V @ 1mA | 14 nc @ 10 v | ± 20V | 140 pf @ 10 v | - | 500MW (TA) | |||||||||||||
![]() | umf8ntr | 0.1329 | ![]() | 1047 | 0.00000000 | ROHM 반도체 | - | 테이프 & 릴 (TR) | 새로운 디자인이 아닙니다 | 표면 마운트 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | UMF8 | 150MW | UMT6 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V, 15V | 100ma, 500ma | 500NA | 1 NPN 사전 바이어스, 1 NPN | 300mv @ 500µa, 10ma / 250mv @ 10ma, 200ma | 68 @ 5ma, 5v / 270 @ 10ma, 2v | 250MHz | 47kohms | 47kohms | ||||||||||||||||
![]() | 2SC4617EBTLQ | 0.2600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ROHM 반도체 | - | 테이프 & 릴 (TR) | 새로운 디자인이 아닙니다 | 150 ° C (TJ) | 표면 마운트 | SC-89, SOT-490 | 2SC4617 | 150 MW | EMT3F (SOT-416FL) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 150 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 400mv @ 5ma, 50ma | 120 @ 1ma, 6V | 180MHz | |||||||||||||||||
![]() | DTA143ZEBHZGTL | 0.2000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ROHM 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & 릴 (TR) | 새로운 디자인이 아닙니다 | 표면 마운트 | SC-89, SOT-490 | DTA143 | 150 MW | EMT3F (SOT-416FL) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 100 MA | - | PNP- 사전 바이어스 | 300MV @ 250µA, 5MA | 80 @ 10ma, 5V | 250MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||
![]() | 2SD2150T100R | 0.2271 | ![]() | 5612 | 0.00000000 | ROHM 반도체 | - | 테이프 & 릴 (TR) | 새로운 디자인이 아닙니다 | 150 ° C (TJ) | 표면 마운트 | TO-243AA | 2SD2150 | 500MW | MPT3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 20 v | 3 a | 100µA (ICBO) | NPN | 500mv @ 100ma, 2a | 180 @ 100MA, 2V | 290MHz | |||||||||||||||||
![]() | Rum001L02T2CL | 0.4000 | ![]() | 842 | 0.00000000 | ROHM 반도체 | - | 테이프 & 릴 (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 마운트 | SOT-723 | Rum001 | MOSFET (금속 산화물) | VMT3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 8,000 | n 채널 | 20 v | 100MA (TA) | 1.2V, 4.5V | 3.5ohm @ 100ma, 4.5v | 1V @ 100µA | ± 8V | 7.1 pf @ 10 v | - | 150MW (TA) | ||||||||||||||
![]() | R6076ENZ4C13 | 20.3900 | ![]() | 479 | 0.00000000 | ROHM 반도체 | - | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 통해 | TO-247-3 | R6076 | MOSFET (금속 산화물) | TO-247 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 않습니다 | 846-R6076ENZ4C13 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 600 v | 76A (TC) | 10V | 42MOHM @ 44.4A, 10V | 4V @ 1MA | 260 NC @ 10 v | ± 20V | 6500 pf @ 25 v | - | 735W (TC) | ||||||||||||
![]() | uml2ntr | 0.4600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ROHM 반도체 | - | 테이프 & 릴 (TR) | 새로운 디자인이 아닙니다 | 150 ° C (TJ) | 표면 마운트 | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | UML2 | 150 MW | UMT5 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 150 MA | 100NA (ICBO) | NPN + 다이오드 (분리) | 400mv @ 5ma, 50ma | 120 @ 1ma, 6V | 180MHz | |||||||||||||||||
![]() | EMH61T2R | 0.4700 | ![]() | 319 | 0.00000000 | ROHM 반도체 | - | 테이프 & 릴 (TR) | 활동적인 | 표면 마운트 | SOT-563, SOT-666 | EMH61 | 150MW | EMT6 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50V | 50ma | 500NA | 2 NPN- 사전 바이어스 (듀얼) | 150MV @ 500µA, 5MA | 35 @ 5MA, 10V | 250MHz | 10kohms | 10kohms | ||||||||||||||||
SH8M41GZETB | 1.4800 | ![]() | 5107 | 0.00000000 | ROHM 반도체 | - | 테이프 & 릴 (TR) | 새로운 디자인이 아닙니다 | 150 ° C (TJ) | 표면 마운트 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | Sh8m41 | MOSFET (금속 산화물) | 2W | 8-SOP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N 및 P 채널 | 80V | 3.4a, 2.6a | 130mohm @ 3.4a, 10V | 2.5V @ 1mA | 9.2NC @ 5V | 600pf @ 10V | 논리 레벨 게이트, 4V 드라이브 |
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