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트랜지스터(3592)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 테스트 조건 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 역복구 시간(trr) IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 카드가 사라졌습니다 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
BSM300D12P3E005 Rohm Semiconductor BSM300D12P3E005 1.0000
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 ECAD 6 0.00000000 로옴 - 대부분 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 방역 기준기준 BSM300 실리콘 카바이드(SiC) 1260W(Tc) 기준기준 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-BSM300D12P3E005 EAR99 8541.29.0095 4 2 N 채널(하프 다리) 1200V(1.2kV) 300A(Tc) - 5.6V @ 91mA - 14000pF @ 10V -
DTA123JMT2L Rohm Semiconductor DTA123JMT2L 0.3500
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 ECAD 6 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 DTA123 150mW VMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2kΩ 47kΩ
UMD12NTR Rohm Semiconductor UMD12NTR 0.4700
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 ECAD 4 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMD12 150mW UMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 500μA, 10mA에서 300mV 68 @ 5mA, 5V 250MHz 47k옴 47k옴
UMB1NTN Rohm Semiconductor UMB1NTN 0.0848
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 ECAD 5871 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMB1 150mW UMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 500μA, 10mA에서 300mV 56 @ 5mA, 5V - 22k옴 22k옴
SP8K33HZGTB Rohm Semiconductor SP8K33HZGTB 1.9700
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) SP8K33 MOSFET(금속) 2W(타) 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 2 N채널(듀얼) 60V 5A(타) 48m옴 @ 5A, 10V 2.5V @ 1mA 12nC @ 5V 620pF @ 10V -
DTC123JEBTL Rohm Semiconductor DTC123JEBTL 0.2700
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-89, SOT-490 DTC123 150mW EMT3F (SOT-416FL) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2kΩ 47kΩ
DTD143ECHZGT116 Rohm Semiconductor DTD143ECHZGT116 0.2500
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTD143 200mW SST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 500mA - NPN - 사전 바이어스됨 300mV @ 2.5mA, 50mA 47 @ 50mA, 5V 200MHz 4.7kΩ 4.7kΩ
QS5U27TR Rohm Semiconductor QS5U27TR 0.7400
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 ECAD 128 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-5 플라이, TSOT-23-5 QS5U27 MOSFET(금속) TSMT5 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 20V 1.5A(타) 2.5V, 4.5V 200m옴 @ 1.5A, 4.5V 2V @ 1mA 4.2nC @ 4.5V ±12V 10V에서 325pF 쇼트키 다이오드(절연) 1.25W(타)
DTB113ZCT116 Rohm Semiconductor DTB113ZCT116 0.3700
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTB113 200mW SST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 500mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 300mV @ 2.5mA, 50mA 56 @ 50mA, 5V 200MHz 1kΩ 10kΩ
DTC143ZCAHZGT116 Rohm Semiconductor DTC143ZCAHZGT116 0.1900
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 ECAD 26 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC143 350mW SST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 100mA - NPN - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ 47kΩ
R6015ANZFU7C8 Rohm Semiconductor R6015ANZFU7C8 -
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 ECAD 5471 0.00000000 로옴 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3 풀팩 R6015 MOSFET(금속) TO-3PF 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. 846-R6015ANZFU7C8 EAR99 8541.29.0095 30 N채널 600V 15A(Tc) 10V 300m옴 @ 7.5A, 10V 4.15V @ 1mA 50nC @ 10V ±30V 25V에서 1700pF - 110W(Tc)
RW1C025ZPT2CR Rohm Semiconductor RW1C025ZPT2CR 0.4700
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 ECAD 5 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 RW1C025 MOSFET(금속) 6-WEMT 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 8,000 P채널 20V 2.5A(타) 1.5V, 4.5V 65m옴 @ 2.5A, 4.5V 1V @ 1mA 21nC @ 4.5V ±10V 1300pF @ 10V - 700mW(타)
DTA143TUAT106 Rohm Semiconductor DTA143TUAT106 0.0536
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 ECAD 6960 0.00000000 로옴 DTA143T 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 SC-70, SOT-323 DTA143 200mW UMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 100 @ 1mA, 5V 250MHz 4.7kΩ
MMSTA13T146 Rohm Semiconductor MMSTA13T146 0.1417
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 ECAD 8600 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMSTA13 200mW SMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 30V 300mA 100nA(ICBO) NPN-달링턴 1.5V @ 100μA, 100mA 10000 @ 100mA, 5V 125MHz
R6011ENX Rohm Semiconductor R6011ENX 3.0700
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 ECAD 500 0.00000000 로옴 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 R6011 MOSFET(금속) TO-220FM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 500 N채널 600V 11A(티씨) 10V 390m옴 @ 3.8A, 10V 4V @ 1mA 32nC @ 10V ±20V 25V에서 670pF - 40W(Tc)
2SCR572D3TL1 Rohm Semiconductor 2SCR572D3TL1 0.8500
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 ECAD 14 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 2SCR572 10W TO-252 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 2,500 30V 5A 1μA(ICBO) NPN 400mV @ 100mA, 2A 200 @ 500mA, 3V 300MHz
2SAR544RTL Rohm Semiconductor 2SAR544RTL 0.6500
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 ECAD 6916 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-96 2SAR544 1W TSMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 3,000 80V 2.5A 1μA(ICBO) PNP 400mV @ 50mA, 1A 120 @ 100mA, 3V 280MHz
RF4E075ATTCR Rohm Semiconductor RF4E075ATTCR 0.6500
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 ECAD 7 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerUDFN RF4E075 MOSFET(금속) HUML2020L8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 30V 7.5A(타) 4.5V, 10V 21.7m옴 @ 7.5A, 10V 2.5V @ 1mA 22nC @ 10V ±20V 15V에서 1000pF - 2W(타)
MP6M11TCR Rohm Semiconductor MP6M11TCR -
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 ECAD 9922 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 MP6M11 MOSFET(금속) 2W MPT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N 및 P 채널 30V 3.5A 98m옴 @ 3.5A, 10V 2.5V @ 1mA 1.9nC @ 5V 85pF @ 10V 게임 레벨 레벨
R8002ANX Rohm Semiconductor R8002ANX -
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 ECAD 5448 0.00000000 로옴 - 대부분 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 R8002 MOSFET(금속) TO-220FM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 500 N채널 800V 2A(TC) 10V 4.3옴 @ 1A, 10V 5V @ 1mA 12.7nC @ 10V ±30V 210pF @ 25V - 35W(Tc)
R6020ANJTL Rohm Semiconductor R6020ANJTL 4.1079
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 ECAD 3428 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB R6020 MOSFET(금속) LPTS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 600V 20A(타) 10V 250m옴 @ 10A, 10V 4.5V @ 1mA 65nC @ 10V ±30V 2040pF @ 25V - 100W(Tc)
SCT3080ARHRC15 Rohm Semiconductor SCT3080ARHRC15 2000년 12월
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 ECAD 4373 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-4 SCT3080 MOSFET(금속) TO-247-4L 다운로드 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-SCT3080ARHRC15 EAR99 8541.29.0095 450 N채널 650V 30A(Tc) 18V 104m옴 @ 10A, 18V 5.6V @ 5mA 48nC @ 18V +22V, -4V 571pF @ 500V - 134W
R6530KNZC17 Rohm Semiconductor R6530KNZC17 6.5000
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 ECAD 300 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3 풀팩 R6530 MOSFET(금속) TO-3PF 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-R6530KNZC17 EAR99 8541.29.0095 30 N채널 650V 30A(Tc) 10V 140m옴 @ 14.5A, 10V 5V @ 960μA 56nC @ 10V ±20V 2350pF @ 25V - 86W(Tc)
QS6M3TR Rohm Semiconductor QS6M3TR 0.6200
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 ECAD 11 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 QS6M3 MOSFET(금속) 1.25W TSMT6 (SC-95) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N 및 P 채널 30V, 20V 1.5A 230m옴 @ 1.5A, 4.5V 1.5V @ 1mA 1.6nC @ 4.5V 80pF @ 10V 게임 레벨 레벨
EMD29T2R Rohm Semiconductor EMD29T2R 0.4500
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 EMD29 120mW EMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 8,000 50V, 12V 100mA, 500mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 300mV @ 500μA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V 250MHz, 260MHz 1k옴, 10k옴 10kΩ
2SD2226KT146W Rohm Semiconductor 2SD2226KT146W 0.4400
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SD2226 200mW SMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 150mA 300nA(ICBO) NPN 300mV @ 5mA, 50mA 1200@1mA, 5V 250MHz
RGCL60TK60DGC11 Rohm Semiconductor RGCL60TK60DGC11 5.6200
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 ECAD 74 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-3PFM, SC-93-3 RGCL60 기준 54W TO-3PFM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 400V, 30A, 10옴, 15V 58ns 트렌치 필드스톱 600V 30A 120A 1.8V @ 15V, 30A 770μJ(켜짐), 1.11mJ(꺼짐) 68nC 44ns/186ns
DTC015EMT2L Rohm Semiconductor DTC015EMT2L 0.2500
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 ECAD 15 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 DTC015 150mW VMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 50V 20mA - NPN - 사전 바이어스됨 500μA에서 100mV, 5mA 80 @ 5mA, 10V 250MHz 100kΩ 100kΩ
R5205CNDTL Rohm Semiconductor R5205CNDTL 0.9710
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 ECAD 8123 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 R5205 MOSFET(금속) CPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 525V 5A(타) 10V 1.6옴 @ 2.5A, 10V 4.5V @ 1mA 10.8nC @ 10V ±30V 320pF @ 25V - 40W(Tc)
DTB543ZMT2L Rohm Semiconductor DTB543ZMT2L -
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 ECAD 5503 0.00000000 로옴 DTB543Z 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 DTB543 150mW VMT3 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-DTB543ZMT2LTR EAR99 8541.21.0075 8,000 12V 500mA 500nA PNP - 사전 바이어스 + 의무 300mV @ 5mA, 100mA 140 @ 100mA, 2V 260MHz 4.7kΩ 47kΩ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

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    15,000m2

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