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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
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![]() | RTF020P02TL | 0.3700 | ![]() | 6496 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 리드 | RTF020 | MOSFET (금속 (() | tumt3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 2A (TA) | 2.5V, 4.5V | 85mohm @ 2a, 4.5v | 2V @ 1mA | 7 NC @ 4.5 v | ± 12V | 640 pf @ 10 v | - | 800MW (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | MP6M14TCR | - | ![]() | 4723 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-SMD,, 리드 | MP6M14 | MOSFET (금속 (() | 2W | MPT6 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 및 p 채널 | 30V | 8A, 6A | 25mohm @ 8a, 10V | 2.5V @ 1mA | 7.3NC @ 5V | 470pf @ 10V | 논리 논리 게이트, 4v 드라이브 | ||||||||||||||||||||||||
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R6515ENZC8 | - | ![]() | 2743 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3 p 팩 | R6515 | MOSFET (금속 (() | to-3pf | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 846-R6515ENZC8 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 650 v | 15A (TC) | 10V | 315mohm @ 6.5a, 10V | 4V @ 430µA | 40 nc @ 10 v | ± 20V | 910 pf @ 25 v | - | 60W (TC) | ||||||||||||||||||||||
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![]() | DTC114TSATP | - | ![]() | 9284 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | SC-72 형성 2 리드 | DTC114 | 300MW | spt | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 50 v | 100 MA | 500NA (ICBO) | npn-사전- | 300mv @ 1ma, 10ma | 100 @ 1ma, 5V | 250MHz | 10 KOHMS | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SAR543DTL | 0.6045 | ![]() | 9578 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | 2SAR543 | 10 W. | CPT3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 2,500 | 50 v | 4 a | 1µA (ICBO) | PNP | 400mv @ 100ma, 2a | 180 @ 100MA, 3V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||
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일일 평균 RFQ 볼륨
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