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트랜지스터(3592)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 최대 공급업체 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 테스트 조건 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 역복구 시간(trr) IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 카드가 사라졌습니다 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
2SAR523EBTL Rohm Semiconductor 2SAR523EBTL 0.1900
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-89, SOT-490 2SAR523 150mW EMT3F (SOT-416FL) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) PNP 400mV @ 5mA, 50mA 120@1mA, 6V 300MHz
HP8MA2TB1 Rohm Semiconductor HP8MA2TB1 1.8500
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN HP8MA2 MOSFET(금속) 3W(타) 8-HSOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N 및 P 채널 30V 18A(타), 15A(타) 9.6m옴 @ 18A, 10V, 17.9m옴 @ 15A, 10V 2.5V @ 1mA 22nC @ 10V, 25nC @ 10V 1100pF @ 15V, 1250pF @ 15V -
RSS070N05HZGTB Rohm Semiconductor RSS070N05HZGTB 1.9900
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) RSS070 MOSFET(금속) 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-RSS070N05HZGTBCT EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 45V 7A(타) 4V, 10V 25m옴 @ 7A, 10V 2.5V @ 1mA 16.8nC @ 5V ±20V 10V에서 1000pF - 1.4W(타)
R6511END3TL1 Rohm Semiconductor R6511END3TL1 2.8100
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 R6511 MOSFET(금속) TO-252 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-R6511END3TL1DKR EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 650V 11A(티씨) 10V 400m옴 @ 3.8A, 10V 4V @ 320μA 32nC @ 10V ±20V 25V에서 670pF - 124W(Tc)
RJ1L08CGNTLL Rohm Semiconductor RJ1L08CGNTLL 2.5800
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 ECAD 40 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB RJ1L08 MOSFET(금속) LPTL 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 60V 80A(타) 4.5V, 10V 7.7m옴 @ 80A, 10V 2.5V @ 50μA 55nC @ 10V ±20V 30V에서 2600pF - 96W(타)
DTA123YUAT106 Rohm Semiconductor DTA123YUAT106 0.0536
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 ECAD 5936 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 SC-70, SOT-323 DTA123 200mW UMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 33 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2kΩ 10kΩ
R6004ENXC7G Rohm Semiconductor R6004ENXC7G 2.5300
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 R6004 MOSFET(금속) TO-220FM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-R6004ENXC7G EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 4A(TC) 10V 980m옴 @ 1.5A, 10V 4V @ 1mA 15nC @ 10V ±20V 25V에서 250pF - 40W(Tc)
R5013ANXFU6 Rohm Semiconductor R5013ANXFU6 -
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 ECAD 8121 0.00000000 로옴 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-220FM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 500 N채널 500V 13A(타) 10V 380m옴 @ 6.5A, 10V 4.5V @ 1mA 35nC @ 10V ±30V 25V에서 1300pF - 50W(Tc)
R6006JNJGTL Rohm Semiconductor R6006JNJGTL 2.6500
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB R6006 MOSFET(금속) LPTS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 600V 6A(TC) 15V 936m옴 @ 3A, 15V 7V @ 800μA 15.5nC @ 15V ±30V 100V에서 410pF - 86W(Tc)
SH8KC6TB1 Rohm Semiconductor SH8KC6TB1 0.9900
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 ECAD 7 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) SH8KC6 MOSFET(금속) 2W(타) 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 2 N채널(듀얼) 60V 6.5A(타) 32m옴 @ 6.5A, 10V 2.5V @ 1mA 7.6nC @ 10V 460pF @ 30V -
DTD123YCHZGT116 Rohm Semiconductor DTD123YCHZGT116 0.3700
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 ECAD 4 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTD123 200mW SST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 500mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 300mV @ 2.5mA, 50mA 56 @ 50mA, 5V 200MHz 2.2kΩ 10kΩ
DTA143ZCAHZGT116 Rohm Semiconductor DTA143ZCAHZGT116 0.3700
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA143 200mW SST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ 47kΩ
RGW00TS65DGC11 Rohm Semiconductor RGW00TS65DGC11 6.5400
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 ECAD 4307 0.00000000 로옴 - 튜브 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -40°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 RGW00 기준 254W TO-247N 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 450 400V, 50A, 10옴, 15V 95ns 트렌치 필드스톱 650V 96A 200A 1.9V @ 15V, 50A 1.18mJ(켜짐), 960μJ(꺼짐) 141nC 52ns/180ns
RTF025N03TL Rohm Semiconductor RTF025N03TL 0.7100
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 ECAD 20 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 3-SMD, 플랫 리드 RTF025 MOSFET(금속) TUMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 30V 2.5A(타) 2.5V, 4.5V 67m옴 @ 2.5A, 4.5V 1.5V @ 1mA 5.2nC @ 4.5V ±12V 10V에서 270pF - 800mW(타)
RV8L002SNHZGG2CR Rohm Semiconductor RV8L002SNHZGG2CR 0.5800
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 ECAD 7 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 3-XFDFN RV8L002 MOSFET(금속) DFN1010-3W 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 8,000 N채널 60V 250mA(타) 2.4옴 @ 250mA, 10V 2.3V @ 1mA ±20V 25V에서 15pF - 1W(타)
R5009FNJTL Rohm Semiconductor R5009FNJTL 1.1754
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 ECAD 4105 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB R5009 MOSFET(금속) LPTS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 500V 9A(TC) 10V 840m옴 @ 4.5A, 10V 4V @ 1mA 18nC @ 10V ±30V 25V에서 630pF - 50W(Tc)
UT6JA2TCR Rohm Semiconductor UT6JA2TCR 0.8300
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 ECAD 5 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-PowerUDFN UT6JA2 - 2W HUML2020L8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 2 P채널(듀얼) 30V 4A 70m옴 @ 4A, 10V 2.5V @ 1mA 6.7nC @ 10V 305pF @ 15V -
RGPR30BM40HRTL Rohm Semiconductor RGPR30BM40HRTL 0.8260
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 ECAD 2776 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -40°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 RGPR30 기준 125W TO-252 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 300V, 8A, 100옴, 5V - 430V 30A 2.0V @ 5V, 10A - 22nC 500ns/4μs
DTC143ESATP Rohm Semiconductor DTC143ESATP -
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 ECAD 8408 0.00000000 로옴 - 테이프 및 박스(TB) 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 SC-72 수정했어요 DTC143 300mW SPT 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 5,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 30 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ 4.7kΩ
UT6KC5TCR Rohm Semiconductor UT6KC5TCR 1.6200
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerUDFN UT6KC5 MOSFET(금속) 2W(타) DFN2020-8D 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 60V 3.5A(타) 95m옴 @ 3.5A, 10V 2.5V @ 1mA 3.1nC @ 10V 30V에서 135pF -
RQ3P300BHTB1 Rohm Semiconductor RQ3P300BHTB1 2.4200
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 ECAD 5 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN RQ3P300 MOSFET(금속) 8-HSMT(3.2x3) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 100V 39A(타) 6V, 10V 15.5m옴 @ 10A, 10V 4V @ 1mA 36nC @ 10V ±20V 2040pF @ 50V - 2W(타)
DTC144TETL Rohm Semiconductor DTC144TETL 0.0707
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 ECAD 6994 0.00000000 로옴 DTC144T 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 SC-75, SOT-416 DTC144 150mW EMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 500μA에서 300mV, 5mA 100 @ 1mA, 5V 250MHz 47kΩ
EMG9T2R Rohm Semiconductor EMG9T2R 0.3900
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 ECAD 7 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-SMD(5리드), 플랫 리드 EMG9T2 150mW EMT5 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 500μA, 10mA에서 300mV 30 @ 5mA, 5V 250MHz 10k옴 10k옴
2SAR514PFRAT100 Rohm Semiconductor 2SAR514PFRAT100 0.5000
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 ECAD 156 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 2SAR514 500mW MPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 1,000 80V 700mA 1μA(ICBO) PNP 400mV @ 15mA, 300mA 120 @ 100mA, 3V 380MHz
ZDX050N50 Rohm Semiconductor ZDX050N50 1.1600
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 ECAD 185 0.00000000 로옴 - 대부분 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 ZDX050 MOSFET(금속) TO-220FM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 500 N채널 500V 5A(Tc) 10V 1.5옴 @ 2.5A, 10V 4.4V @ 1mA 14nC @ 10V ±30V 25V에서 600pF - 40W(Tc)
RQ5L035GNTCL Rohm Semiconductor RQ5L035GNTCL 0.7800
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-96 RQ5L035 MOSFET(금속) TSMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 60V 3.5A(타) 4.5V, 10V 50m옴 @ 3.5A, 10V 50μA에서 2.7V 7.3nC @ 10V ±20V 375pF @ 30V - 700mW(타)
UMB10NFHATN Rohm Semiconductor UMB10NFHATN 0.3900
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 ECAD 6 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMB10 150mW UMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 - 100mA - 2 PNP 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz
RQ5E030RPTL Rohm Semiconductor RQ5E030RPTL 0.5900
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 ECAD 7057 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-96 RQ5E030 MOSFET(금속) TSMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 30V 3A(타) 4V, 10V 75m옴 @ 3A, 10V 2.5V @ 1mA 5.2nC @ 5V ±20V 10V에서 480pF - 700mW(타)
DTC114TEBTL Rohm Semiconductor DTC114TEBTL 0.2600
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 ECAD 820 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-89, SOT-490 DTC114 150mW EMT3F (SOT-416FL) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 300mV @ 1mA, 10mA 100 @ 1mA, 5V 250MHz 10kΩ
2SCR512PHZGT100 Rohm Semiconductor 2SCR512PHZGT100 0.6000
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 500mW SOT-89 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 1,000 30V 2A 1μA(ICBO) NPN 400mV @ 35mA, 700mA 200 @ 100mA, 2V 320MHz
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