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트랜지스터(3592)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
SSTA14T116 Rohm Semiconductor SSTA14T116 -
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 ECAD 5226 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSTA14 SST3 - ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-SSTA14T116TR 3,000 30V 500mA 100nA(ICBO) - - 20000 @ 100mA, 5V 125MHz
2SC5916TLQ Rohm Semiconductor 2SC5916TLQ -
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 ECAD 3531 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-96 2SC5916 500mW TSMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 30V 2A 1μA(ICBO) NPN 400mV @ 100mA, 1A 120 @ 100mA, 2V 250MHz
EMD9T2R Rohm Semiconductor EMD9T2R 0.3900
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 ECAD 7 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 EMD9T2 150mW EMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 68 @ 5mA, 5V 250MHz 10k옴 47k옴
2SD1484KT146R Rohm Semiconductor 2SD1484KT146R 0.4100
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 ECAD 716 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SD1484 200mW SMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 500mA 500nA(ICBO) NPN 400mV @ 15mA, 150mA 180 @ 10mA, 3V 250MHz
US6X6TR Rohm Semiconductor US6X6TR 0.2628
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 ECAD 9789 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 US6X6 1W TUMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 3,000 30V 1.5A 100nA(ICBO) NPN 350mV @ 50mA, 1A 270 @ 100mA, 2V 300MHz
DTA144WKAT146 Rohm Semiconductor DTA144WKAT146 0.2800
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA144 200mW SMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 30mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 56 @ 5mA, 5V 250MHz 47kΩ 22kΩ
2SD1857TV2Q Rohm Semiconductor 2SD1857TV2Q -
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 ECAD 4454 0.00000000 로옴 - 테이프 및 박스(TB) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 3-SIP 2SD1857 1W ATV 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 2,500 120V 2A 1μA(ICBO) NPN 2V @ 100mA, 1A 120 @ 100mA, 5V 80MHz
QSZ2TR Rohm Semiconductor QSZ2TR 0.5600
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-5 플라이, TSOT-23-5 QSZ2 1.25W TSMT5 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 3,000 30V 1.5A 100nA(ICBO) NPN, PNP(이미터) 350mV @ 50mA, 1A / 370mV @ 50mA, 1A 270 @ 100mA, 2V 300MHz, 280MHz
UMB4NTN Rohm Semiconductor UMB4NTN 0.0848
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 ECAD 1507 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMB4 150mW UMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA - 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 300mV @ 1mA, 10mA 100 @ 1mA, 5V 250MHz 10k옴 -
DTC143ZEBHZGTL Rohm Semiconductor DTC143ZEBHZGTL -
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 ECAD 6835 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 SC-89, SOT-490 DTC143 150mW EMT3F (SOT-416FL) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 100mA - NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ 47kΩ
DTA114EU3T106 Rohm Semiconductor DTA114EU3T106 0.2000
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 ECAD 6 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 DTA114 200mW UMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 100mA - PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 30 @ 5mA, 5V 250MHz 10kΩ 10kΩ
US6M2TR Rohm Semiconductor US6M2TR 0.6700
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 ECAD 99 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 US6M2 MOSFET(금속) 1W TUMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N 및 P 채널 30V, 20V 1.5A, 1A 240m옴 @ 1.5A, 4.5V 1.5V @ 1mA 2.2nC @ 4.5V 80pF @ 10V -
2SAR554PT100 Rohm Semiconductor 2SAR554PT100 0.2680
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 ECAD 7712 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 2SAR554 2W MPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 1,000 80V 1.5A 1μA(ICBO) PNP 400mV @ 25mA, 500mA 120 @ 100mA, 3V 340MHz
2SK2731T146 Rohm Semiconductor 2SK2731T146 0.3900
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SK2731 MOSFET(금속) SMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 30V 200mA(타) 4V, 10V 2.8옴 @ 100mA, 10V 2.5V @ 1mA ±20V 10V에서 25pF - 200mW(타)
R6055VNZ4C13 Rohm Semiconductor R6055VNZ4C13 11.7500
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 ECAD 677 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 R6055 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-R6055VNZ4C13 EAR99 8541.29.0095 30 N채널 600V 55A(Tc) 10V, 15V 71m옴 @ 16A, 15V 6.5V @ 1.5mA 80nC @ 10V ±30V 100V에서 3700pF - 543W(Tc)
BC807-25T116 Rohm Semiconductor BC807-25T116 0.0878
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 ECAD 3843 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. - - BC807 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 45V 500mA - PNP 700mV @ 50mA, 500mA 160 @ 100mA, 1V 100MHz
2SAR574D3TL1 Rohm Semiconductor 2SAR574D3TL1 0.8600
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 2SAR574 10W TO-252 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 2,500 80V 2A 1μA(ICBO) PNP 400mV @ 50mA, 1A 120 @ 100mA, 3V 280MHz
RQ1E050RPTR Rohm Semiconductor RQ1E050RPTR 0.8700
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-SMD, 플랫 리드 RQ1E050 MOSFET(금속) TSMT8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 30V 5A(타) 4V, 10V 31m옴 @ 5A, 10V 2.5V @ 1mA 28nC @ 10V ±20V 1300pF @ 10V - 700mW(타)
RSD200N10TL Rohm Semiconductor RSD200N10TL -
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 ECAD 5729 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 RSD200 MOSFET(금속) CPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 100V 20A(타) 4V, 10V 52m옴 @ 10A, 10V 2.5V @ 1mA 48.5nC @ 10V ±20V 2200pF @ 25V - 20W(Tc)
DTC123YMT2L Rohm Semiconductor DTC123YMT2L 0.4200
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 ECAD 7 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 DTC123 150mW VMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 33 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2kΩ 10kΩ
R8002ANJFRGTL Rohm Semiconductor R8002ANJFRGTL 2.7200
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 ECAD 7191 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB R8002 MOSFET(금속) LPTS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 800V 2A(TC) 10V 4.3옴 @ 1A, 10V 5V @ 1mA 13nC @ 10V ±30V 25V에서 250pF - 62W(Tc)
2SAR513RHZGTL Rohm Semiconductor 2SAR513RHZGTL 0.7200
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-96 500mW TSMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 1A 1μA(ICBO) PNP 400mV @ 25mA, 500mA 180@50mA, 2V 400MHz
US5K3TR Rohm Semiconductor US5K3TR -
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 ECAD 1213 0.00000000 로옴 * 컷테이프(CT) 더 이상 사용하지 않는 경우 US5K3 - 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. US5K3CT EAR99 8541.29.0095 3,000 -
DTA143TMT2L Rohm Semiconductor DTA143TMT2L 0.0615
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 ECAD 16 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 DTA143 150mW VMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 50V 100mA 500nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 100 @ 1mA, 5V 250MHz 4.7kΩ
RU1C002ZPTCL Rohm Semiconductor RU1C002ZPTCL 0.2900
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 ECAD 67 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-85 RU1C002 MOSFET(금속) UMT3F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 20V 200mA(타) 1.2V, 4.5V 1.2옴 @ 200mA, 4.5V 1V @ 100μA 1.4nC @ 4.5V ±10V 115pF @ 10V - 150mW(타)
SH8KA4TB1 Rohm Semiconductor SH8KA4TB1 1.1900
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) SH8KA4 MOSFET(금속) 2W(타) 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 2 N채널(듀얼) 30V 9A(타) 21.4m옴 @ 9A, 10V 2.5V @ 1mA 15.5nC @ 10V 640pF @ 15V -
DTC043EMT2L Rohm Semiconductor DTC043EMT2L 0.2400
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 ECAD 15 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 DTC043 150mW VMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 50V 100mA - NPN - 사전 바이어스됨 500μA에서 150mV, 5mA 20 @ 5mA, 10V 250MHz 4.7kΩ 4.7kΩ
SH8M5TB1 Rohm Semiconductor SH8M5TB1 1.8500
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 ECAD 163 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) SH8M5 MOSFET(금속) 2W 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N 및 P 채널 30V 6A, 7A 30m옴 @ 6A, 10V 2.5V @ 1mA 7.2nC @ 5V 520pF @ 10V 게임 레벨 레벨
DTD123ECT116 Rohm Semiconductor DTD123ECT116 0.3700
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 ECAD 6 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTD123 200mW SST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 500mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 300mV @ 2.5mA, 50mA 39 @ 50mA, 5V 200MHz 2.2kΩ 2.2kΩ
R6504ENJTL Rohm Semiconductor R6504ENJTL 2.3800
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 ECAD 92 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB R6504 MOSFET(금속) LPTS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 650V 4A(TC) 10V 1.05옴 @ 1.5A, 10V 4V @ 130μA 15nC @ 10V ±20V 220pF @ 25V - 58W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

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