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트랜지스터(3592)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
R6520KNJTL Rohm Semiconductor R6520KNJTL 6.2900
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 ECAD 98 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB R6520 MOSFET(금속) LPTS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 650V 20A(TC) 10V 205m옴 @ 9.5A, 10V 5V @ 630μA 40nC @ 10V ±20V 25V에서 1550pF - 231W(Tc)
DTA115TUAT106 Rohm Semiconductor DTA115TUAT106 0.0463
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 ECAD 9973 0.00000000 로옴 DTA115T 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 DTA115 200mW UMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 100μA에서 300mV, 1mA 100 @ 1mA, 5V 250MHz 100kΩ
2SD1862TV2P Rohm Semiconductor 2SD1862TV2P -
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 ECAD 4814 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 3-SIP 2SD1862 1W ATV - ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-2SD1862TV2PTR 2,500 32V 2A 1μA(ICBO) PNP 400mV @ 5mA, 50mA 120 @ 2mA, 1V
EMG1T2R Rohm Semiconductor EMG1T2R 0.3800
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 ECAD 5 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-SMD(5리드), 플랫 리드 EMG1T2 150mW EMT5 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 500μA, 10mA에서 300mV 56 @ 5mA, 5V 250MHz 22k옴 22k옴
DTD143ECT116 Rohm Semiconductor DTD143ECT116 0.3800
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTD143 200mW SST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 500mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 300mV @ 2.5mA, 50mA 47 @ 50mA, 5V 200MHz 4.7kΩ 4.7kΩ
EM6K7T2CR Rohm Semiconductor EM6K7T2CR 0.4200
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 ECAD 8 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 EM6K7 MOSFET(금속) 150mW EMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 8,000 2 N채널(듀얼) 20V 200mA(타) 1.2옴 @ 200mA, 2.5V 1V @ 1mA - 25pF @ 10V -
R6055VNZ4C13 Rohm Semiconductor R6055VNZ4C13 11.7500
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 ECAD 677 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 R6055 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-R6055VNZ4C13 EAR99 8541.29.0095 30 N채널 600V 55A(Tc) 10V, 15V 71m옴 @ 16A, 15V 6.5V @ 1.5mA 80nC @ 10V ±30V 100V에서 3700pF - 543W(Tc)
RDX120N50FU6 Rohm Semiconductor RDX120N50FU6 -
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 ECAD 7814 0.00000000 로옴 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 RDX120 MOSFET(금속) TO-220FM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 500 N채널 500V 12A(타) 10V 500m옴 @ 6A, 10V 4V @ 1mA 45nC @ 10V ±30V 25V에서 1600pF - 45W(Tc)
R5021ANX Rohm Semiconductor R5021ANX 3.3797
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 ECAD 4461 0.00000000 로옴 - 대부분 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 R5021 MOSFET(금속) TO-220FM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 500 N채널 500V 21A(TC) 10V 210m옴 @ 10.5A, 10V 4.5V @ 1mA 64nC @ 10V ±30V 2300pF @ 25V - 50W(Tc)
RQ1E050RPTR Rohm Semiconductor RQ1E050RPTR 0.8700
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-SMD, 플랫 리드 RQ1E050 MOSFET(금속) TSMT8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 30V 5A(타) 4V, 10V 31m옴 @ 5A, 10V 2.5V @ 1mA 28nC @ 10V ±20V 1300pF @ 10V - 700mW(타)
RCJ220N25TL Rohm Semiconductor RCJ220N25TL 3.0500
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 ECAD 988 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB RCJ220 MOSFET(금속) LPTS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 250V 22A(TC) 10V 140m옴 @ 11A, 10V 5V @ 1mA 60nC @ 10V ±30V 3200pF @ 25V - 1.56W(Ta), 40W(Tc)
R6020ENZC8 Rohm Semiconductor R6020ENZC8 -
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 ECAD 6975 0.00000000 로옴 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-3PF 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 360 N채널 600V 20A(TC) 10V 196m옴 @ 9.5A, 10V 4V @ 1mA 60nC @ 10V ±20V 25V에서 1400pF - 120W(Tc)
IMB11AT110 Rohm Semiconductor IMB11AT110 0.4000
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-74, SOT-457 IMB11 300mW SMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 500μA, 10mA에서 300mV 30 @ 5mA, 5V 250MHz 10kΩ 10kΩ
IMH23T110 Rohm Semiconductor IMH23T110 0.5000
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-74, SOT-457 IMH23 300mW SMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 20V 600mA - 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 150mV @ 2.5mA, 50mA 820 @ 50mA, 5V 150MHz 4.7k옴 -
RSJ400N06FRATL Rohm Semiconductor RSJ400N06FRATL 1.7800
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 ECAD 770 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB RSJ400 MOSFET(금속) LPTS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 60V 40A(타) 10V 16m옴 @ 40A, 10V 3V @ 1mA 52nC @ 10V ±20V 10V에서 2400pF - 50W(타)
R6011KNXC7G Rohm Semiconductor R6011KNXC7G 3.2900
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 R6011 MOSFET(금속) TO-220FM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-R6011KNXC7G EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 11A(타) 10V 390m옴 @ 3.8A, 10V 5V @ 1mA 22nC @ 10V ±20V 25V에서 740pF - 53W(Tc)
2SD2703TL Rohm Semiconductor 2SD2703TL 0.6200
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 3-SMD, 플랫 리드 2SD2703 800mW TUMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 30V 1A 100nA(ICBO) NPN 350mV @ 25mA, 500mA 270 @ 100mA, 2V 320MHz
SCT3080KRHRC15 Rohm Semiconductor SCT3080KRHRC15 15.6500
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 ECAD 450 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-4 SCT3080 MOSFET(금속) TO-247-4L 다운로드 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-SCT3080KRHRC15 EAR99 8541.29.0095 450 N채널 1200V 31A(Tc) 18V 104m옴 @ 10A, 18V 5.6V @ 5mA 60nC @ 18V +22V, -4V 800V에서 785pF - 165W
R6007END3TL1 Rohm Semiconductor R6007END3TL1 2.3500
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 ECAD 8331 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 R6007 MOSFET(금속) TO-252 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 600V 7A(TC) 10V 620m옴 @ 2.4A, 10V 4V @ 1mA 20nC @ 10V ±20V 390pF @ 25V - 78W(Tc)
2SB1443TV2P Rohm Semiconductor 2SB1443TV2P -
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 ECAD 7848 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 3-SIP 2SB1443 1W ATV - ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-2SB1443TV2PTR 2,500 50V 2A 100nA(ICBO) PNP 500mV @ 200mA, 2A 120 @ 100mA, 2V
R6008ANX Rohm Semiconductor R6008ANX 1.9208
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 ECAD 9730 0.00000000 로옴 - 대부분 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 R6008 MOSFET(금속) TO-220FM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-R6008ANX EAR99 8541.29.0095 500 N채널 600V 8A(TC) 10V 800m옴 @ 4A, 10V 4.5V @ 1mA 21nC @ 10V ±30V 680pF @ 25V - 50W(Tc)
R6024KNZ1C9 Rohm Semiconductor R6024KNZ1C9 3.2600
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 N채널 600V 24A(TC) 10V 165m옴 @ 11.3A, 10V 5V @ 1mA 45nC @ 10V ±20V 2000pF @ 25V - 245W(Tc)
RQ7G080BGTCR Rohm Semiconductor RQ7G080BGTCR 1.1000
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-SMD, 플랫 리드 RQ7G080 MOSFET(금속) TSMT8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 40V 8A(타) 4.5V, 10V 16.5m옴 @ 8A, 10V 2.5V @ 1mA 10.6nC @ 10V ±20V 20V에서 530pF - 1.1W(타)
SP8M24FU7TB1 Rohm Semiconductor SP8M24FU7TB1 -
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 ECAD 8284 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 SP8M24 - - ROHS3 준수 1(무제한) 846-SP8M24FU7TB1TR 더 이상 사용하지 않는 경우 2,500 -
RRH100P03GZETB Rohm Semiconductor RRH100P03GZETB 1.6800
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 ECAD 7 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) RRH100 MOSFET(금속) 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 2,500 P채널 30V 10A(타) 4V, 10V 12.6m옴 @ 10A, 10V 2.5V @ 1mA 68nC @ 10V ±20V 10V에서 3600pF - 650mW(타)
RCJ050N25TL Rohm Semiconductor RCJ050N25TL 0.4772
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 ECAD 9153 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB RCJ050 MOSFET(금속) LPTS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 250V 5A(Tc) 10V 1.36옴 @ 2.5A, 10V 5.5V @ 1mA 8.5nC @ 10V ±30V 25V에서 350pF - 1.56W(Ta), 30W(Tc)
R6020ENZC17 Rohm Semiconductor R6020ENZC17 6.1700
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 ECAD 300 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3 풀팩 R6020 MOSFET(금속) TO-3PF 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-R6020ENZC17 EAR99 8541.29.0095 30 N채널 600V 20A(TC) 10V 196m옴 @ 9.5A, 10V 4V @ 1mA 60nC @ 10V ±20V 25V에서 1400pF - 120W(Tc)
SH8K26GZ0TB Rohm Semiconductor SH8K26GZ0TB 0.8400
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) SH8K26 MOSFET(금속) 2W(타) 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 2 N채널(듀얼) 40V 6A(타) 38m옴 @ 6A, 10V 2.5V @ 1mA 2.9nC @ 5V 280pF @ 10V -
R6509KNXC7G Rohm Semiconductor R6509KNXC7G 2.7900
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 ECAD 4 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 R6509 MOSFET(금속) TO-220FM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-R6509KNXC7G EAR99 8541.29.0095 50 N채널 650V 9A(타) 10V 585m옴 @ 2.8A, 10V 5V @ 230μA 16.5nC @ 10V ±20V 25V에서 540pF - 48W(Tc)
RND030N20TL Rohm Semiconductor RND030N20TL 0.3700
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 ECAD 6806 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 RND030 MOSFET(금속) CPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 200V 3A(TC) 10V 870m옴 @ 1.5A, 10V 5.2V @ 1mA 6.7nC @ 10V ±30V 270pF @ 25V - 850mW(Ta), 20W(Tc)
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  • Standard Product Unit

    30,000,000

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    전세계 제조업체

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