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트랜지스터(3592)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 테스트 조건 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 역복구 시간(trr) IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 카드가 사라졌습니다 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
DTD143ECHZGT116 Rohm Semiconductor DTD143ECHZGT116 0.2500
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTD143 200mW SST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 500mA - NPN - 사전 바이어스됨 300mV @ 2.5mA, 50mA 47 @ 50mA, 5V 200MHz 4.7kΩ 4.7kΩ
DTB113ZCT116 Rohm Semiconductor DTB113ZCT116 0.3700
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTB113 200mW SST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 500mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 300mV @ 2.5mA, 50mA 56 @ 50mA, 5V 200MHz 1kΩ 10kΩ
DTC143ZCAHZGT116 Rohm Semiconductor DTC143ZCAHZGT116 0.1900
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 ECAD 26 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC143 350mW SST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 100mA - NPN - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ 47kΩ
DTC015EMT2L Rohm Semiconductor DTC015EMT2L 0.2500
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 ECAD 15 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 DTC015 150mW VMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 50V 20mA - NPN - 사전 바이어스됨 500μA에서 100mV, 5mA 80 @ 5mA, 10V 250MHz 100kΩ 100kΩ
QS5U27TR Rohm Semiconductor QS5U27TR 0.7400
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 ECAD 128 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-5 플라이, TSOT-23-5 QS5U27 MOSFET(금속) TSMT5 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 20V 1.5A(타) 2.5V, 4.5V 200m옴 @ 1.5A, 4.5V 2V @ 1mA 4.2nC @ 4.5V ±12V 10V에서 325pF 쇼트키 다이오드(절연) 1.25W(타)
2SD2226KT146W Rohm Semiconductor 2SD2226KT146W 0.4400
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SD2226 200mW SMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 150mA 300nA(ICBO) NPN 300mV @ 5mA, 50mA 1200@1mA, 5V 250MHz
2SAR502E3TL Rohm Semiconductor 2SAR502E3TL 0.3900
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-75, SOT-416 2SAR502 150mW EMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 30V 500mA 200nA(ICBO) PNP 400mV @ 10mA, 200mA 200 @ 100mA, 2V 520MHz
2SCR523EBTL Rohm Semiconductor 2SCR523EBTL 0.3500
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 ECAD 23 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-89, SOT-490 2SCR523 150mW EMT3F (SOT-416FL) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN 300mV @ 5mA, 50mA 120@1mA, 6V 350MHz
R5205CNDTL Rohm Semiconductor R5205CNDTL 0.9710
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 ECAD 8123 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 R5205 MOSFET(금속) CPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 525V 5A(타) 10V 1.6옴 @ 2.5A, 10V 4.5V @ 1mA 10.8nC @ 10V ±30V 320pF @ 25V - 40W(Tc)
DTB543ZMT2L Rohm Semiconductor DTB543ZMT2L -
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 ECAD 5503 0.00000000 로옴 DTB543Z 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 DTB543 150mW VMT3 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-DTB543ZMT2LTR EAR99 8541.21.0075 8,000 12V 500mA 500nA PNP - 사전 바이어스 + 의무 300mV @ 5mA, 100mA 140 @ 100mA, 2V 260MHz 4.7kΩ 47kΩ
RGCL60TK60DGC11 Rohm Semiconductor RGCL60TK60DGC11 5.6200
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 ECAD 74 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-3PFM, SC-93-3 RGCL60 기준 54W TO-3PFM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 400V, 30A, 10옴, 15V 58ns 트렌치 필드스톱 600V 30A 120A 1.8V @ 15V, 30A 770μJ(켜짐), 1.11mJ(꺼짐) 68nC 44ns/186ns
2SCR572D3TL1 Rohm Semiconductor 2SCR572D3TL1 0.8500
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 ECAD 14 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 2SCR572 10W TO-252 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 2,500 30V 5A 1μA(ICBO) NPN 400mV @ 100mA, 2A 200 @ 500mA, 3V 300MHz
SP8K52HZGTB Rohm Semiconductor SP8K52HZGTB 1.8000
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) SP8K52 MOSFET(금속) 2W(타) 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 2 N채널(듀얼) 100V 3A(타) 170m옴 @ 3A, 10V 2.5V @ 1mA 8.5nC @ 5V 610pF @ 25V -
R6530KNZC17 Rohm Semiconductor R6530KNZC17 6.5000
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 ECAD 300 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3 풀팩 R6530 MOSFET(금속) TO-3PF 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-R6530KNZC17 EAR99 8541.29.0095 30 N채널 650V 30A(Tc) 10V 140m옴 @ 14.5A, 10V 5V @ 960μA 56nC @ 10V ±20V 2350pF @ 25V - 86W(Tc)
R6025ANZFU7C8 Rohm Semiconductor R6025ANZFU7C8 -
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 ECAD 5024 0.00000000 로옴 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3 풀팩 R6025 MOSFET(금속) TO-3PF 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. 846-R6025ANZFU7C8 EAR99 8541.29.0095 30 N채널 600V 25A(TC) 10V 150m옴 @ 12.5A, 10V 4.5V @ 1mA 88nC @ 10V ±30V 10V에서 3250pF - 150W(Tc)
RSS090N03FU6TB Rohm Semiconductor RSS090N03FU6TB -
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 ECAD 2530 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) RSS090 MOSFET(금속) 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 9A(타) 4V, 10V 15m옴 @ 9A, 10V 2.5V @ 1mA 15nC @ 5V ±20V 10V에서 810pF - 2W(타)
RGT40TM65DGC9 Rohm Semiconductor RGT40TM65DGC9 3.2800
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 ECAD 799 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 RGT40 기준 39W TO-220NFM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 400V, 20A, 10옴, 15V 58ns 트렌치 필드스톱 650V 17A 60A 2.1V @ 15V, 20A - 40nC 22ns/75ns
QS5U16TR Rohm Semiconductor QS5U16TR 0.2360
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 ECAD 1975년 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-5 플라이, TSOT-23-5 QS5U16 MOSFET(금속) TSMT5 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 30V 2A(타) 2.5V, 4.5V 100m옴 @ 2A, 4.5V 1.5V @ 1mA 3.9nC @ 4.5V ±12V 175pF @ 10V 쇼트키 다이오드(절연) 900mW(타)
SM6K2T110 Rohm Semiconductor SM6K2T110 0.4400
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 SC-74, SOT-457 SM6K2 MOSFET(금속) 300mW SMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 60V 200mA 2.4옴 @ 200mA, 10V 2.5V @ 1mA 4.4nC @ 10V 15pF @ 10V 게임 레벨 레벨
RU1C002ZPTCL Rohm Semiconductor RU1C002ZPTCL 0.2900
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 ECAD 67 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-85 RU1C002 MOSFET(금속) UMT3F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 20V 200mA(타) 1.2V, 4.5V 1.2옴 @ 200mA, 4.5V 1V @ 100μA 1.4nC @ 4.5V ±10V 115pF @ 10V - 150mW(타)
UMB4NTN Rohm Semiconductor UMB4NTN 0.0848
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 ECAD 1507 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMB4 150mW UMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA - 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 300mV @ 1mA, 10mA 100 @ 1mA, 5V 250MHz 10kΩ -
DTC143ZEBHZGTL Rohm Semiconductor DTC143ZEBHZGTL -
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 ECAD 6835 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 SC-89, SOT-490 DTC143 150mW EMT3F (SOT-416FL) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 100mA - NPN - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ 47kΩ
SCT3105KW7TL Rohm Semiconductor SCT3105KW7TL 15.6300
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-8, D²Pak(7리드 + 탭), TO-263CA SCT3105 SiCFET(탄화규소) TO-263-7 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 1200V 23A(TC) 137m옴 @ 7.6A, 18V 5.6V @ 3.81mA 51nC @ 18V +22V, -4V 800V에서 574pF - 125W
SP8M7TB Rohm Semiconductor SP8M7TB -
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 ECAD 8394 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) SP8M7 MOSFET(금속) 2W 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,500 N 및 P 채널 30V 5A, 7A 51m옴 @ 5A, 10V 2.5V @ 1mA 5.5nC @ 5V 230pF @ 10V 게임 레벨 레벨
2SAR543DTL Rohm Semiconductor 2SAR543DTL 0.6045
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 ECAD 9578 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 2SAR543 10W CPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 2,500 50V 4A 1μA(ICBO) PNP 400mV @ 100mA, 2A 180 @ 100mA, 3V 300MHz
DTB123TCHZGT116 Rohm Semiconductor DTB123TCHZGT116 0.4100
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTB123 200mW SST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 40V 500mA 500nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 300mV @ 2.5mA, 50mA 100 @ 50mA, 5V 200MHz 2.2kΩ
DTD143ESTP Rohm Semiconductor DTD143ESTP -
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 ECAD 4676 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 스루홀 SC-72 수정했어요 DTD143 300mW SPT - ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-DTD143ESTPTR 5,000 50V 500mA 500nA NPN - 사전 바이어스 + 의무 300mV @ 2.5mA, 50mA 47 @ 50mA, 5V 200MHz 4.7kΩ 4.7kΩ
R6025JNZC8 Rohm Semiconductor R6025JNZC8 7.8800
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 ECAD 13 0.00000000 로옴 - 가방 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3 풀팩 R6025 MOSFET(금속) TO-3PF - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 360 N채널 600V 25A(TC) 15V 182m옴 @ 12.5A, 15V 7V @ 4.5mA 57nC @ 15V ±30V 100V에서 1900pF - 85W(Tc)
RSD200N10TL Rohm Semiconductor RSD200N10TL -
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 ECAD 5729 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 RSD200 MOSFET(금속) CPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 100V 20A(타) 4V, 10V 52m옴 @ 10A, 10V 2.5V @ 1mA 48.5nC @ 10V ±20V 2200pF @ 25V - 20W(Tc)
DTC123YMT2L Rohm Semiconductor DTC123YMT2L 0.4200
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 ECAD 7 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 DTC123 150mW VMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 33 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2kΩ 10kΩ
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  • Standard Product Unit

    30,000,000

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