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트랜지스터(3592)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
QS5U16TR Rohm Semiconductor QS5U16TR 0.2360
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 ECAD 1975년 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-5 플라이, TSOT-23-5 QS5U16 MOSFET(금속) TSMT5 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 30V 2A(타) 2.5V, 4.5V 100m옴 @ 2A, 4.5V 1.5V @ 1mA 3.9nC @ 4.5V ±12V 175pF @ 10V 쇼트키 다이오드(절연) 900mW(타)
SM6K2T110 Rohm Semiconductor SM6K2T110 0.4400
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 SC-74, SOT-457 SM6K2 MOSFET(금속) 300mW SMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 60V 200mA 2.4옴 @ 200mA, 10V 2.5V @ 1mA 4.4nC @ 10V 15pF @ 10V 게임 레벨 레벨
RU1C002ZPTCL Rohm Semiconductor RU1C002ZPTCL 0.2900
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 ECAD 67 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-85 RU1C002 MOSFET(금속) UMT3F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 20V 200mA(타) 1.2V, 4.5V 1.2옴 @ 200mA, 4.5V 1V @ 100μA 1.4nC @ 4.5V ±10V 115pF @ 10V - 150mW(타)
DTC143ZEBHZGTL Rohm Semiconductor DTC143ZEBHZGTL -
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 ECAD 6835 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 SC-89, SOT-490 DTC143 150mW EMT3F (SOT-416FL) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 100mA - NPN - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ 47kΩ
SCT3105KW7TL Rohm Semiconductor SCT3105KW7TL 15.6300
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-8, D²Pak(7리드 + 탭), TO-263CA SCT3105 SiCFET(탄화규소) TO-263-7 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 1200V 23A(TC) 137m옴 @ 7.6A, 18V 5.6V @ 3.81mA 51nC @ 18V +22V, -4V 800V에서 574pF - 125W
SP8M7TB Rohm Semiconductor SP8M7TB -
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 ECAD 8394 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) SP8M7 MOSFET(금속) 2W 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,500 N 및 P 채널 30V 5A, 7A 51m옴 @ 5A, 10V 2.5V @ 1mA 5.5nC @ 5V 230pF @ 10V 게임 레벨 레벨
2SAR543DTL Rohm Semiconductor 2SAR543DTL 0.6045
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 ECAD 9578 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 2SAR543 10W CPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 2,500 50V 4A 1μA(ICBO) PNP 400mV @ 100mA, 2A 180 @ 100mA, 3V 300MHz
DTB123TCHZGT116 Rohm Semiconductor DTB123TCHZGT116 0.4100
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTB123 200mW SST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 40V 500mA 500nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 300mV @ 2.5mA, 50mA 100 @ 50mA, 5V 200MHz 2.2kΩ
DTD143ESTP Rohm Semiconductor DTD143ESTP -
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 ECAD 4676 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 스루홀 SC-72 수정했어요 DTD143 300mW SPT - ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-DTD143ESTPTR 5,000 50V 500mA 500nA NPN - 사전 바이어스 + 의무 300mV @ 2.5mA, 50mA 47 @ 50mA, 5V 200MHz 4.7kΩ 4.7kΩ
R6025JNZC8 Rohm Semiconductor R6025JNZC8 7.8800
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 ECAD 13 0.00000000 로옴 - 가방 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3 풀팩 R6025 MOSFET(금속) TO-3PF - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 360 N채널 600V 25A(TC) 15V 182m옴 @ 12.5A, 15V 7V @ 4.5mA 57nC @ 15V ±30V 100V에서 1900pF - 85W(Tc)
RSD200N10TL Rohm Semiconductor RSD200N10TL -
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 ECAD 5729 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 RSD200 MOSFET(금속) CPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 100V 20A(타) 4V, 10V 52m옴 @ 10A, 10V 2.5V @ 1mA 48.5nC @ 10V ±20V 2200pF @ 25V - 20W(Tc)
DTC123YMT2L Rohm Semiconductor DTC123YMT2L 0.4200
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 ECAD 7 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 DTC123 150mW VMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 33 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2kΩ 10kΩ
QSZ2TR Rohm Semiconductor QSZ2TR 0.5600
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-5 플라이, TSOT-23-5 QSZ2 1.25W TSMT5 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 3,000 30V 1.5A 100nA(ICBO) NPN, PNP(이미터) 350mV @ 50mA, 1A / 370mV @ 50mA, 1A 270 @ 100mA, 2V 300MHz, 280MHz
2SC5916TLQ Rohm Semiconductor 2SC5916TLQ -
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 ECAD 3531 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-96 2SC5916 500mW TSMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 30V 2A 1μA(ICBO) NPN 400mV @ 100mA, 1A 120 @ 100mA, 2V 250MHz
2SD1857TV2Q Rohm Semiconductor 2SD1857TV2Q -
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 ECAD 4454 0.00000000 로옴 - 테이프 및 박스(TB) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 3-SIP 2SD1857 1W ATV 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 2,500 120V 2A 1μA(ICBO) NPN 2V @ 100mA, 1A 120 @ 100mA, 5V 80MHz
R6015ENX Rohm Semiconductor R6015ENX 3.8100
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 ECAD 23 0.00000000 로옴 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 R6015 MOSFET(금속) TO-220FM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 500 N채널 600V 15A(Tc) 10V 290m옴 @ 6.5A, 10V 4V @ 1mA 40nC @ 10V ±20V 25V에서 910pF - 40W(Tc)
RX3G18BBGC16 Rohm Semiconductor RX3G18BBGC16 7.6300
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 ECAD 6633 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 RX3G18 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-RX3G18BBGC16 EAR99 8541.29.0095 50 N채널 40V 270A(타), 180A(Tc) 4.5V, 10V 1.47m옴 @ 90A, 10V 2.5V @ 1mA 210nC @ 10V ±20V 13200pF @ 20V - 192W(Tc)
DTA114TE3HZGTL Rohm Semiconductor DTA114TE3HZGTL 0.4100
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 DTA114 150mW EMT3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-DTA114TE3HZGTLCT EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 300mV @ 1mA, 10mA 100 @ 1mA, 5V 250MHz 10kΩ
RD3U080CNTL1 Rohm Semiconductor RD3U080CNTL1 1.9700
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 ECAD 4 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 RD3U080 MOSFET(금속) TO-252 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 250V 8A(TC) 10V 300m옴 @ 4A, 10V 5V @ 1mA 25nC @ 10V ±30V 25V에서 1440pF - 85W(Tc)
SCT4045DRC15 Rohm Semiconductor SCT4045DRC15 14.8500
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 ECAD 2425 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-4 SCT4045 SiCFET(탄화규소) TO-247-4L 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-SCT4045DRC15 EAR99 8541.29.0095 450 N채널 750V 34A(티씨) 18V 59m옴 @ 17A, 18V 4.8V @ 8.89mA 63nC @ 18V +21V, -4V 500V에서 1460pF - 115W
US5U30TR Rohm Semiconductor US5U30TR 0.2604
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 ECAD 4998 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 6-SMD(5리드), 플랫 리드 US5U30 MOSFET(금속) TUMT5 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 20V 1A(타) 2.5V, 4.5V 390m옴 @ 1A, 4.5V 2V @ 1mA 2.1nC @ 4.5V ±12V 150pF @ 10V 쇼트키 다이오드(절연) 1W(타)
DTA114EEFRATL Rohm Semiconductor DTA114EEFRATL 0.3900
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 DTA114 150mW EMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 20mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 20 @ 5mA, 5V 250MHz 10kΩ 10kΩ
R6011END3TL1 Rohm Semiconductor R6011END3TL1 3.0400
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 ECAD 371 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 R6011 MOSFET(금속) TO-252 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 600V 11A(티씨) 10V 390m옴 @ 3.8A, 10V 4V @ 1mA 32nC @ 10V ±20V 25V에서 670pF - 124W(Tc)
2SC2413KT146Q Rohm Semiconductor 2SC2413KT146Q 0.1049
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 ECAD 5552 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC2413 200mW SMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 25V 50mA 500nA(ICBO) NPN 300mV @ 1mA, 10mA 120@1mA, 6V 300MHz
QS5U21TR Rohm Semiconductor QS5U21TR 0.2832
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 ECAD 8811 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-5 플라이, TSOT-23-5 QS5U21 MOSFET(금속) TSMT5 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 20V 1.5A(타) 2.5V, 4.5V 200m옴 @ 1.5A, 4.5V 2V @ 1mA 4.2nC @ 4.5V ±12V 10V에서 325pF 쇼트키 다이오드(절연) 1.25W(타)
SCT3105KRHRC15 Rohm Semiconductor SCT3105KRHRC15 12.5400
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 ECAD 1715년 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-4 SCT3105 MOSFET(금속) TO-247-4L 다운로드 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-SCT3105KRHRC15 EAR99 8541.29.0095 450 N채널 1200V 24A(TC) 18V 137m옴 @ 7.6A, 18V 5.6V @ 3.81mA 51nC @ 18V +22V, -4V 800V에서 574pF - 134W
US6X6TR Rohm Semiconductor US6X6TR 0.2628
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 ECAD 9789 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 US6X6 1W TUMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 3,000 30V 1.5A 100nA(ICBO) NPN 350mV @ 50mA, 1A 270 @ 100mA, 2V 300MHz
RSR030N06TL Rohm Semiconductor RSR030N06TL 0.4700
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 SC-96 RSR030 MOSFET(금속) TSMT3 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 60V 3A(타) 4V, 10V 85m옴 @ 3A, 10V 2.5V @ 1mA ±20V 10V에서 380pF - 540mW(타)
EMZ8T2R Rohm Semiconductor EMZ8T2R 0.1383
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 ECAD 9251 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 EMZ8T2 150mW EMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 50V, 12V 150mA, 500mA 100nA(ICBO) NPN, PNP 400mV @ 5mA, 50mA / 250mV @ 10mA, 200mA 120 @ 1mA, 6V / 270 @ 10mA, 2V 180MHz, 260MHz
SH8KA4TB1 Rohm Semiconductor SH8KA4TB1 1.1900
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) SH8KA4 MOSFET(금속) 2W(타) 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 2 N채널(듀얼) 30V 9A(타) 21.4m옴 @ 9A, 10V 2.5V @ 1mA 15.5nC @ 10V 640pF @ 15V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

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AD9208BBPZ-3000

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