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트랜지스터(3592)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 테스트 조건 자연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 관리요금 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
DTA114TCAHZGT116 Rohm Semiconductor DTA114TCAHZGT116 0.2100
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA114 350mW SST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 300mV @ 1mA, 10mA 100 @ 1mA, 5V 250MHz 10kΩ
RGW40TS65GC11 Rohm Semiconductor RGW40TS65GC11 4.5300
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 ECAD 5672 0.00000000 로옴 - 튜브 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -40°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 기준 136W TO-247N 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 450 400V, 20A, 10옴, 15V 트렌치 필드스톱 650V 40A 80A 1.9V @ 15V, 20A 330μJ(켜짐), 300μJ(꺼짐) 59nC 33ns/76ns
IMH15AT110 Rohm Semiconductor IMH15AT110 0.0954
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 ECAD 6754 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 SC-74, SOT-457 IMH15 300mW SMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA - 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 300mV @ 1mA, 10mA 100 @ 1mA, 5V 250MHz 47k옴 -
QSX6TR Rohm Semiconductor QSX6TR 0.2415
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 ECAD 1309 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 QSX6 1.25W TSMT6 (SC-95) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 3,000 30V 1.5A 100nA(ICBO) NPN 350mV @ 50mA, 1A 270 @ 100mA, 2V 300MHz
LSS040P03FP8TB1 Rohm Semiconductor LSS040P03FP8TB1 -
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 ECAD 1711 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - ROHS3 준수 1(무제한) 846-LSS040P03FP8TB1TR 더 이상 사용하지 않는 경우 2,500 -
RVQ040N05TR Rohm Semiconductor RVQ040N05TR 0.7800
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 ECAD 7296 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 RVQ040 MOSFET(금속) TSMT6 (SC-95) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 45V 4A(타) 4V, 10V 53m옴 @ 4A, 10V 2.5V @ 1mA 8.8nC @ 5V 21V 10V에서 530pF - 600mW(타)
R8006KND3TL1 Rohm Semiconductor R8006KND3TL1 3.4600
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 R8006 MOSFET(금속) TO-252 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 800V 6A(타) 10V 900m옴 @ 3A, 10V 4.5V @ 4mA 22nC @ 10V ±20V 100V에서 650pF - 83W(Tc)
2SD2150T100S Rohm Semiconductor 2SD2150T100S 0.2271
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 ECAD 6066 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 2SD2150 500mW MPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 1,000 20V 3A 100nA(ICBO) NPN 500mV @ 100mA, 2A 270 @ 100mA, 2V 290MHz
RYM002N05T2CL Rohm Semiconductor RYM002N05T2CL 0.3800
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 ECAD 821 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-723 RYM002 MOSFET(금속) VMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 8,000 N채널 50V 200mA(타) 0.9V, 4.5V 2.2옴 @ 200mA, 4.5V 800mV @ 1mA ±8V 10V에서 26pF - 150mW(타)
SP8K52HZGTB Rohm Semiconductor SP8K52HZGTB 1.8000
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) SP8K52 MOSFET(금속) 2W(타) 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 2 N채널(듀얼) 100V 3A(타) 170m옴 @ 3A, 10V 2.5V @ 1mA 8.5nC @ 5V 610pF @ 25V -
R6507END3TL1 Rohm Semiconductor R6507END3TL1 1.9500
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 R6507 MOSFET(금속) TO-252 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 650V 7A(TC) 10V 665m옴 @ 2.4A, 10V 4V @ 200μA 20nC @ 10V ±20V 390pF @ 25V - 78W(Tc)
DTB513ZMT2L Rohm Semiconductor DTB513ZMT2L 0.4400
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 ECAD 7 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 DTB513 150mW VMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 12V 500mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 300mV @ 5mA, 100mA 140 @ 100mA, 2V 260MHz 1kΩ 10kΩ
RS1E150GNTB Rohm Semiconductor RS1E150GNTB 0.6900
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN RS1E MOSFET(금속) 8-HSOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 15A(타) 4.5V, 10V 8.8m옴 @ 15A, 10V 2.5V @ 1mA 10nC @ 10V ±20V 15V에서 590pF - 3W(Ta), 22.9W(Tc)
SCT3080ARC14 Rohm Semiconductor SCT3080ARC14 20.2100
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 ECAD 18 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-4 SCT3080 SiCFET(탄화규소) TO-247-4L 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 N채널 650V 30A(Tc) 18V 104m옴 @ 10A, 18V 5.6V @ 5mA 48nC @ 18V +22V, -4V 571pF @ 500V - 134W
R6076MNZ1C9 Rohm Semiconductor R6076MNZ1C9 -
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 ECAD 2188 0.00000000 로옴 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 R6076 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 450 N채널 600V 76A(티씨) 10V 55m옴 @ 38A, 10V 5V @ 1mA 115nC @ 10V ±30V 25V에서 7000pF - 740W(Tc)
RS3E075ATTB Rohm Semiconductor RS3E075ATTB 0.9100
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 ECAD 11 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) RS3E MOSFET(금속) 8-SOP-J 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 P채널 30V - 4.5V, 10V 23.5m옴 @ 7.5A, 10V 2.5V @ 1mA 25nC @ 10V ±20V 15V에서 1250pF - 2W(타)
2SA1776TV2Q Rohm Semiconductor 2SA1776TV2Q -
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 ECAD 7190 0.00000000 로옴 - 컷테이프(CT) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 3-SIP 2SA1776 1W ATV 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 400V 500mA 1μA(ICBO) PNP 1V @ 10mA, 100mA 120 @ 50mA, 5V 12MHz
SST6838T216 Rohm Semiconductor SST6838T216 0.0487
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 ECAD 5647 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SST6838 200mW SST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 10,000 40V 200mA 500nA(ICBO) NPN 400mV @ 5mA, 50mA 150 @ 10mA, 5V 180MHz
BC858BWT106 Rohm Semiconductor BC858BWT106 0.3600
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 ECAD 3850 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 BC858 350mW UMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 30V 100mA 100nA(ICBO) PNP 650mV @ 5mA, 100mA 210 @ 2mA, 5V 250MHz
DTC125TKAT146 Rohm Semiconductor DTC125TKAT146 0.0463
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 ECAD 4842 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC125 200mW SMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 50μA, 500μA에서 300mV 100 @ 1mA, 5V 250MHz 200kΩ
EMD22FHAT2R Rohm Semiconductor EMD22FHAT2R 0.0611
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 ECAD 8801 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 SOT-563, SOT-666 EMD22 150mW EMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 - 100mA - NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7k옴 47k옴
EMB51T2R Rohm Semiconductor EMB51T2R 0.4700
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 ECAD 4371 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 EMB51 150mW EMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 30mA 500nA 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 500μA에서 150mV, 5mA 60 @ 5mA, 10V 250MHz 22k옴 22k옴
2SC2389STPS Rohm Semiconductor 2SC2389STPS -
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 ECAD 8109 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 SC-72 수정했어요 300mW SPT 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 5,000 120V 50mA 500nA(ICBO) NPN 500mV @ 1mA, 10mA 180 @ 2mA, 6V 140MHz
2SAR553P5T100 Rohm Semiconductor 2SAR553P5T100 0.4300
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 ECAD 29 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 2SAR553 500mW MPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 1,000 50V 2A 1μA(ICBO) PNP 400mV @ 35mA, 700mA 180@50mA, 2V 320MHz
RUF015N02TL Rohm Semiconductor RUF015N02TL 0.4900
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 ECAD 18 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 3-SMD, 플랫 리드 RUF015 MOSFET(금속) TUMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 20V 1.5A(타) 1.8V, 4.5V 180m옴 @ 1.5A, 4.5V 1V @ 1mA 2.5nC @ 4.5V ±10V 110pF @ 10V - 800mW(타)
DTA124GKAT146 Rohm Semiconductor DTA124GKAT146 0.0488
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 ECAD 5454 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA124 200mW SMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 56 @ 5mA, 5V 250MHz 22kΩ
2SA933ASTPS Rohm Semiconductor 2SA933ASTPS -
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 ECAD 4896 0.00000000 로옴 - 컷테이프(CT) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 SC-72 수정했어요 2SA933 300mW SPT - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 5,000 50V 150mA 100nA(ICBO) PNP 500mV @ 5mA, 50mA 270@1mA, 6V 140MHz
RD3G400GNTL Rohm Semiconductor RD3G400GNTL 1.3700
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 ECAD 14 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 RD3G400 MOSFET(금속) TO-252 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 40V 40A(타) 4.5V, 10V 7.5m옴 @ 40A, 10V 2.5V @ 1mA 19nC @ 10V ±20V 20V에서 1410pF - 26W(타)
HP8S36TB Rohm Semiconductor HP8S36TB 0.7100
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 ECAD 5783 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN HP8S36 - 29W 8-HSOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 2 N 채널(하프 다리) 30V 27A, 80A 2.4m옴 @ 32A, 10V 2.5V @ 1mA 47nC @ 4.5V 6100pF @ 15V -
DTC143EMT2L Rohm Semiconductor DTC143EMT2L 0.3800
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 ECAD 18 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 DTC143 150mW VMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 30 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ 4.7kΩ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

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