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트랜지스터(3592)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 테스트 조건 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 역복구 시간(trr) IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 카드가 사라졌습니다 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
RTR030N05HZGTL Rohm Semiconductor RTR030N05HZGTL 0.8300
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 ECAD 12 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-96 RTR030 MOSFET(금속) TSMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 45V 3A(타) 2.5V, 4.5V 67m옴 @ 3A, 4.5V 1.5V @ 1mA 6.2nC @ 4.5V ±12V 10V에서 510pF - 700mW(타)
RSE002P03TL Rohm Semiconductor RSE002P03TL 0.4400
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 SC-75, SOT-416 RSE002 MOSFET(금속) EMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 30V 200mA(타) 4V, 10V 1.4옴 @ 200mA, 10V 2.5V @ 1mA ±20V 10V에서 30pF - 150mW(타)
RQ6E045TNTR Rohm Semiconductor RQ6E045TNTR 0.6400
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 ECAD 5 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 RQ6E045 MOSFET(금속) TSMT6 (SC-95) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 30V 4.5A(타) 2.5V, 4.5V 43m옴 @ 4.5A, 4.5V 1.5V @ 1mA 10.7nC @ 4.5V ±12V 10V에서 540pF - 950mW(타)
DTD113EKFRAT146 Rohm Semiconductor DTD113EKFRAT146 0.1594
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 ECAD 3903 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTD113 200mW SMT3 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 500mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 300mV @ 2.5mA, 50mA 33 @ 50mA, 5V 200MHz 1kΩ 1kΩ
2SD2653TL Rohm Semiconductor 2SD2653TL 0.2317
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 ECAD 2969 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-96 2SD2653 500mW TSMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 12V 2A 100nA(ICBO) NPN 180mV @ 50mA, 1A 270 @ 200mA, 2V 360MHz
2SC4617EBHZGTLR Rohm Semiconductor 2SC4617EBHZGTLR 0.3700
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 SC-89, SOT-490 2SC4617 150mW EMT3F (SOT-416FL) - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) NPN 400mV @ 5mA, 50mA 120@1mA, 6V 180MHz
DTA114EMFHAT2L Rohm Semiconductor DTA114EMFHAT2L 0.3900
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 ECAD 7 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 DTA114 150mW VMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 30 @ 5mA, 5V 250MHz 10kΩ 10kΩ
IMD16AT108 Rohm Semiconductor IMD16AT108 0.5200
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-74, SOT-457 IMD16 300mW SMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA, 500mA - NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 300mV @ 2.5mA, 50mA / 300mV @ 100μA, 1mA 100 @ 1mA, 5V / 82 @ 50mA, 5V 250MHz 100k옴, 2.2k옴 22k옴
RTQ035P02HZGTR Rohm Semiconductor RTQ035P02HZGTR 0.9200
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 RTQ035 MOSFET(금속) TSMT6 (SC-95) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 20V 3.5A(타) 2.5V, 4.5V 65m옴 @ 3.5A, 4.5V 2V @ 1mA 10.5nC @ 4.5V ±12V 1200pF @ 10V - 950mW(타)
2SC4061KT146N Rohm Semiconductor 2SC4061KT146N 0.4300
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC4061 200mW SMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 300V 100mA 500nA(ICBO) NPN 2V @ 5mA, 50mA 56 @ 10mA, 10V 100MHz
MMSTA56T146 Rohm Semiconductor MMSTA56T146 0.4100
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 ECAD 30 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMSTA56 350mW SMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 80V 500mA 1μA PNP 250mV @ 10mA, 100mA 100 @ 100mA, 1V 50MHz
2SAR586JFRGTLL Rohm Semiconductor 2SAR586JFRGTLL 2.1200
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 ECAD 974 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB 2SAR586 40W LPTL 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 80V 5A 1μA(ICBO) 320mV @ 100mA, 2A 120 @ 500mA, 3V
R6035ENZC8 Rohm Semiconductor R6035ENZC8 -
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 ECAD 7301 0.00000000 로옴 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-3PF 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 360 N채널 600V 35A(Tc) 10V 102m옴 @ 18.1A, 10V 4V @ 1mA 110nC @ 10V ±20V 2720pF @ 25V - 120W(Tc)
RGS30TSX2GC11 Rohm Semiconductor RGS30TSX2GC11 6.3500
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 ECAD 1436 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 기준 267W TO-247N 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 450 600V, 15A, 10옴, 15V 트렌치 필드스톱 1200V 30A 45A 2.1V @ 15V, 15A 740μJ(켜짐), 600μJ(꺼짐) 41nC 30ns/70ns
RSS070P05TB1 Rohm Semiconductor RSS070P05TB1 -
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 ECAD 5881 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) MOSFET(금속) 8-SOP - ROHS3 준수 1(무제한) 846-RSS070P05TB1TR EAR99 8541.29.0095 2,500 P채널 45V 7A(타) 4V, 10V 27m옴 @ 7A, 10V 2.5V @ 1mA 47.6nC @ 5V ±20V 10V에서 4100pF - 2W(타)
RGW00TS65GC11 Rohm Semiconductor RGW00TS65GC11 6.0700
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 ECAD 4272 0.00000000 로옴 - 튜브 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -40°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 RGW00 기준 254W TO-247N 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 400V, 50A, 10옴, 15V 트렌치 필드스톱 650V 96A 200A 1.9V @ 15V, 50A 1.18mJ(켜짐), 960μJ(꺼짐) 141nC 52ns/180ns
DTA123YE3HZGTL Rohm Semiconductor DTA123YE3HZGTL 0.4100
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 DTA123 150mW EMT3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-DTA123YE3HZGTLCT EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 33 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2kΩ 10kΩ
2SC6001TL Rohm Semiconductor 2SC6001TL -
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 ECAD 6966 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 2SC6001 - ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 3,000
DTA124XE3TL Rohm Semiconductor DTA124XE3TL 0.3700
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 DTA143E 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 DTA124 150mW EMT3 - ROHS3 준수 3(168시간) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스 + 의무 500μA, 10mA에서 300mV 30 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ 4.7kΩ
UMF18NTR Rohm Semiconductor UMF18NTR -
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 ECAD 8517 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMF18 150mW UMT6 - ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-UMF18NTR 3,000 50V 100mA, 150mA 500nA, 100nA(ICBO) NPN 1개 - 사전 바이어스됨, PNP 1개 300mV @ 500μA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA 68 @ 5mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V 250MHz, 140MHz 47k옴 47k옴
RGS50TSX2DGC11 Rohm Semiconductor RGS50TSX2DGC11 9.8200
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 ECAD 441 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 RGS50 기준 395W TO-247N 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-RGS50TSX2DGC11 EAR99 8541.29.0095 30 600V, 25A, 10옴, 15V 182ns 트렌치 필드스톱 1200V 50A 75A 2.1V @ 15V, 25A 1.4mJ(켜짐), 1.65mJ(꺼짐) 67nC 37ns/140ns
RGT16NS65DGTL Rohm Semiconductor RGT16NS65DGTL 1.8300
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 ECAD 266 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -40°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB RGT16 기준 94W LPDS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 400V, 8A, 10옴, 15V 42ns 트렌치 필드스톱 650V 16A 24A 2.1V @ 15V, 8A - 21nC 13ns/33ns
RSQ020N03HZGTR Rohm Semiconductor RSQ020N03HZGTR 0.6800
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 RSQ020 MOSFET(금속) TSMT6 (SC-95) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 30V 2A(타) 4V, 10V 134m옴 @ 2A, 10V 2.5V @ 1mA 3.1nC @ 5V ±20V 110pF @ 10V - 950mW(타)
RTR025N05HZGTL Rohm Semiconductor RTR025N05HZGTL 0.6900
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 ECAD 6 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-96 RTR025 MOSFET(금속) TSMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 45V 2.5A(타) 2.5V, 4.5V 130m옴 @ 2.5A, 4.5V 1.5V @ 1mA 3.2nC @ 4.5V ±12V 10V에서 250pF - 700mW(타)
RV5C040APTCR1 Rohm Semiconductor RV5C040APTCR1 0.8900
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 6-파워WFDFN RV5C040 MOSFET(금속) DFN1616-8S 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 20V 4A(타) 1.5V, 4.5V 85m옴 @ 4A, 4.5V 1V @ 1mA 8.5nC @ 4.5V -8V, 0V 10V에서 2000pF - 700mW(타)
EM6K33T2R Rohm Semiconductor EM6K33T2R 0.5100
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 ECAD 54 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 EM6K33 MOSFET(금속) 150mW EMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 8,000 2 N채널(듀얼) 50V 200mA 2.2옴 @ 200mA, 4.5V 1V @ 1mA - 25pF @ 10V 레벨 레벨 컨트롤러, 1.2V 드라이브
SH8MA3TB1 Rohm Semiconductor SH8MA3TB1 1.0100
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 ECAD 19 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) SH8MA3 MOSFET(금속) 2W(타) 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N 및 P 채널 30V 7A(타), 6A(타) 28m옴 @ 7A, 10V, 50m옴 @ 6A, 10V 2.5V @ 1mA 7.2nC @ 10V, 10nC @ 10V 300pF @ 15V, 480pF @ 15V -
R6008FNX Rohm Semiconductor R6008FNX 2.5064
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 ECAD 7182 0.00000000 로옴 - 대부분 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 R6008 MOSFET(금속) TO-220FM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-R6008FNX EAR99 8541.29.0095 500 N채널 600V 8A(TC) 10V 950m옴 @ 4A, 10V 4V @ 1mA 20nC @ 10V ±30V 25V에서 580pF - 50W(Tc)
RD3R02BBHTL1 Rohm Semiconductor RD3R02BBHTL1 1.7900
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 ECAD 2448 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 RD3R02 MOSFET(금속) TO-252 다운로드 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 150V 20A(TC) 6V, 10V 81m옴 @ 10A, 10V 4V @ 1mA 12.4nC @ 10V ±20V 730pF @ 75V - 50W(Tc)
RUR040N02TL Rohm Semiconductor RUR040N02TL 0.6800
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 ECAD 23 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-96 RUR040 MOSFET(금속) TSMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 20V 4A(타) 1.5V, 4.5V 35m옴 @ 4A, 4.5V 1.3V @ 1mA 8nC @ 4.5V ±10V 10V에서 680pF - 1W(타)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

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