SIC
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트랜지스터 (3592)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
DTC124TMT2L Rohm Semiconductor DTC124TMT2L 0.3700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm 반도체 DTC124T 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 DTC124 150 MW VMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 5MA 100 @ 1ma, 5V 250MHz 22 KOHMS
QS6U22TR Rohm Semiconductor qs6u22tr 0.2390
RFQ
 ECAD 7730 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 QS6U22 MOSFET (금속 (() TSMT6 (SC-95) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 1.5A (TA) 2.5V, 4.5V 215mohm @ 1.5a, 4.5v 2V @ 1mA 3 NC @ 4.5 v ± 12V 270 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 1.25W (TA)
RTL020P02FRATR Rohm Semiconductor RTL020P02FRATR 0.4200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 6-SMD,, 리드 RTL020 MOSFET (금속 (() Tumt6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 2A (TA) 2.5V, 4.5V 135mohm @ 2a, 4.5v 2V @ 1mA 4.9 NC @ 4.5 v ± 12V 430 pf @ 10 v - 1W (TA)
2SC2412KT146Q Rohm Semiconductor 2SC2412KT146Q 0.2800
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC2412 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 50ma 120 @ 1ma, 6V 180MHz
UML1NTR Rohm Semiconductor uml1ntr 0.1277
RFQ
 ECAD 3056 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 UML1 150 MW UMT5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) pnp + 다이오드 (분리) 500mv @ 5ma, 50ma 120 @ 1ma, 6V 140MHz
RQ1C075UNTR Rohm Semiconductor rq1c075untr 0.2801
RFQ
 ECAD 7826 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 RQ1C075 MOSFET (금속 (() TSMT8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 7.5A (TA) 1.5V, 4.5V 16mohm @ 7.5a, 4.5v 1V @ 1mA 18 nc @ 4.5 v ± 10V 1400 pf @ 10 v - 700MW (TA)
SH8K52GZETB Rohm Semiconductor SH8K52GZETB 1.2600
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SH8K52 MOSFET (금속 (() 1.4W (TA) 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 100V 3A (TA) 170mohm @ 3a, 10V 2.5V @ 1mA 8.5NC @ 5V 610pf @ 25v -
DTA143ZUBTL Rohm Semiconductor DTA143ZUBTL 0.0366
RFQ
 ECAD 6501 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-85 DTA143 200 MW umt3f 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
DTC115TKAT146 Rohm Semiconductor DTC115TKAT146 0.0488
RFQ
 ECAD 4055 0.00000000 Rohm 반도체 DTC115T 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC115 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 300mv @ 100µa, 1ma 100 @ 1ma, 5V 250MHz 100 KOHMS
RRH140P03TB1 Rohm Semiconductor RRH140P03TB1 2.8100
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RRH140 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,500 p 채널 30 v 14A (TA) 4V, 10V 7mohm @ 14a, 10V 2.5V @ 1mA 80 nc @ 5 v ± 20V 8000 pf @ 10 v - 650MW (TA)
SCT3080AW7TL Rohm Semiconductor sct3080aw7tl 14.5200
RFQ
 ECAD 925 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA SCT3080 sicfet ((카바이드) TO-263-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 29A (TC) 10A, 10A, 18V 5.6V @ 5MA 48 NC @ 18 v +22V, -4V 571 pf @ 500 v - 125W
DTA114YCAHZGT116 Rohm Semiconductor DTA114YCAHZGT116 0.2100
RFQ
 ECAD 2625 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA114 350 MW SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 100 MA - pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 10 KOHMS 47 Kohms
2SCR512PT100 Rohm Semiconductor 2SCR512PT100 0.1982
RFQ
 ECAD 5974 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SCR512 2 w MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 30 v 2 a 1µA (ICBO) NPN 400mv @ 35ma, 700ma 200 @ 100ma, 2v 320MHz
DTA123JCAT116 Rohm Semiconductor DTA123JCAT116 0.3800
RFQ
 ECAD 285 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA123 200 MW SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 20 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 2.2 Kohms 47 Kohms
2SC4061KT146N Rohm Semiconductor 2SC4061KT146N 0.4300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC4061 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 300 v 100 MA 500NA (ICBO) NPN 2V @ 5MA, 50MA 56 @ 10ma, 10V 100MHz
DTD543EE3TL Rohm Semiconductor DTD543EE3TL 0.4000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTD543 150 MW EMT3 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 12 v 500 MA 500NA npn-사전- + 다이오드 300mv @ 5ma, 100ma 115 @ 100MA, 2V 260MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
DTA115EUBTL Rohm Semiconductor dta115eubtl 0.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-85 DTA115 200 MW umt3f 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 82 @ 5MA, 5V 250MHz 100 KOHMS 100 KOHMS
DTA113ZUAT106 Rohm Semiconductor DTA113ZUAT106 0.2600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-70, SOT-323 DTA113 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 33 @ 5MA, 5V 250MHz 1 KOHMS 10 KOHMS
DTA123JETL Rohm Semiconductor DTA123JETL 0.3500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTA123 150 MW EMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
QS5U13TR Rohm Semiconductor qs5u13tr 0.6100
RFQ
 ECAD 120 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-5 THIN, TSOT-23-5 QS5U13 MOSFET (금속 (() TSMT5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 2A (TA) 2.5V, 4.5V 100mohm @ 2a, 4.5v 1.5V @ 1mA 3.9 NC @ 4.5 v ± 12V 175 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 1.25W (TA)
2SB1412TLP Rohm Semiconductor 2SB1412TLP 0.4125
RFQ
 ECAD 5990 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 2SB1412 1 W. CPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 20 v 5 a 500NA (ICBO) PNP 1V @ 100MA, 4A 82 @ 500ma, 2V 120MHz
DTA113TKAT146 Rohm Semiconductor DTA113TKAT146 0.3100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA113 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 100 @ 1ma, 5V 250MHz 1 KOHMS
EMD9FHAT2R Rohm Semiconductor EMD9FHAT2R 0.0630
RFQ
 ECAD 8631 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SOT-563, SOT-666 EMD9FHAT2 150MW EMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 - 100ma - 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 10kohms 47kohms
DTC113ZU3T106 Rohm Semiconductor DTC113ZU3T106 0.2000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 DTC113 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA - npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 33 @ 5MA, 5V 250MHz 1 KOHMS 10 KOHMS
DTC043EUBTL Rohm Semiconductor DTC043EUBTL 0.3000
RFQ
 ECAD 9912 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-85 DTC043 200 MW umt3f 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA - npn-사전- 150MV @ 500µA, 5MA 20 @ 5ma, 10V 250MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
DTC124TETL Rohm Semiconductor DTC124TETL 0.0954
RFQ
 ECAD 6884 0.00000000 Rohm 반도체 DTC124T 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTC124 150 MW EMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 5MA 100 @ 1ma, 5V 250MHz 22 KOHMS
2SB1188T100Q Rohm Semiconductor 2SB1188T100Q 0.6400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SB1188 2 w MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 32 v 2 a 1µA (ICBO) PNP 800mv @ 200ma, 2a 120 @ 500ma, 3v 100MHz
RGCL60TS60GC11 Rohm Semiconductor RGCL60TS60GC11 4.2200
RFQ
 ECAD 363 0.00000000 Rohm 반도체 - 대부분 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 RGCL60 기준 111 w TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 450 400V, 30A, 10ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 600 v 48 a 120 a 1.8V @ 15V, 30A 770µJ (on), 1.11mj (OFF) 68 NC 44ns/186ns
2SAR554RTL Rohm Semiconductor 2SAR554RTL 0.6700
RFQ
 ECAD 3976 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 2SAR554 1 W. TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 80 v 1.5 a 1µA (ICBO) PNP 400mv @ 25ma, 500ma 120 @ 100MA, 3V 340MHz
RGPR20NL43HRTL Rohm Semiconductor RGPR20NL43HRTL 2.8100
RFQ
 ECAD 3244 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RGPR20 기준 107 w TO-263L - 1 (무제한) 1,000 300V, 8A, 100ohm, 5V - 460 v 20 a 2V @ 5V, 10A - 14 NC 170ns/1.3µs
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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