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트랜지스터(3592)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 자연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
DTC643TUT106 Rohm Semiconductor DTC643TUT106 0.3800
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 ECAD 200 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 DTC643 200mW UMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 20V 600mA 500nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 150mV @ 2.5mA, 50mA 820 @ 50mA, 5V 150MHz 4.7kΩ
RSU002N06T106 Rohm Semiconductor RSU002N06T106 0.3700
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 ECAD 8 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 RSU002 MOSFET(금속) UMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 60V 250mA(타) 2.5V, 10V 2.4옴 @ 250mA, 10V 2.3V @ 1mA ±20V 25V에서 15pF - 200mW(타)
DTC143EETL Rohm Semiconductor DTC143EETL 0.3500
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 ECAD 73 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 DTC143 150mW EMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 30 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ 4.7kΩ
DTC143EUAT106 Rohm Semiconductor DTC143EUAT106 0.2600
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 ECAD 9 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 SC-70, SOT-323 DTC143 200mW UMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 30 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ 4.7kΩ
2SB1690TL Rohm Semiconductor 2SB1690TL 0.6000
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 ECAD 98 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-96 2SB1690 1W TSMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 3,000 12V 2A 100nA(ICBO) PNP 180mV @ 50mA, 1A 270 @ 200mA, 2V 360MHz
2SC4081T106S Rohm Semiconductor 2SC4081T106S 0.2300
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 2SC4081 200mW UMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) NPN 400mV @ 5mA, 50mA 120@1mA, 6V 180MHz
DTC143XMT2L Rohm Semiconductor DTC143XMT2L 0.3700
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 ECAD 15 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 DTC143 150mW VMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 30 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ 10kΩ
RCJ700N20TL Rohm Semiconductor RCJ700N20TL 5.3300
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 ECAD 4 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB RCJ700 MOSFET(금속) LPTS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 200V 70A(Tc) 10V 42.7m옴 @ 35A, 10V 5V @ 1mA 125nC @ 10V ±30V 6900pF @ 25V - 1.56W(Ta), 40W(Tc)
2SC2411KT146R Rohm Semiconductor 2SC2411KT146R 0.4100
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC2411 200mW SMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 32V 500mA 1μA(ICBO) NPN 600mV @ 50mA, 500mA 120 @ 100mA, 3V 250MHz
DTA114WUAT106 Rohm Semiconductor DTA114WUAT106 0.3000
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 DTA114 200mW UMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 24 @ 10mA, 5V 250MHz 10kΩ 4.7kΩ
2SB1316TL Rohm Semiconductor 2SB1316TL 1.1400
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 2SB1316 10W CPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 2,500 100V 2A 10μA(ICBO) PNP-달링턴 1.5V @ 1mA, 1A 1000 @ 1A, 2V 50MHz
MP6K11TCR Rohm Semiconductor MP6K11TCR -
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 ECAD 7480 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 MP6K11 MOSFET(금속) 2W MPT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 2 N채널(듀얼) 30V 3.5A 98m옴 @ 3.5A, 10V 2.5V @ 1mA 1.9nC @ 5V 85pF @ 10V 게임 레벨 레벨
2SB1412TLP Rohm Semiconductor 2SB1412TLP 0.4125
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 ECAD 5990 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 2SB1412 1W CPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 2,500 20V 5A 500nA(ICBO) PNP 1V @ 100mA, 4A 82 @ 500mA, 2V 120MHz
UMT3904T106 Rohm Semiconductor UMT3904T106 0.3800
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 ECAD 138 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 UMT3904 200mW UMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 40V 200mA 50nA NPN 300mV @ 5mA, 50mA 100 @ 10mA, 1V 300MHz
SCT2750NYTB Rohm Semiconductor SCT2750NYTB 6.9900
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 ECAD 5038 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C (TJ) 표면 실장 TO-268-3, D³Pak(2 리드 + 탭), TO-268AA SCT2750 SiCFET(탄화규소) TO-268 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 400 N채널 1700V 5.9A(Tc) 18V 975m옴 @ 1.7A, 18V 4V @ 630μA 17nC @ 18V +22V, -6V 800V에서 275pF - 57W(Tc)
2SC4082T106P Rohm Semiconductor 2SC4082T106P 0.4900
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 ECAD 5648 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 2SC4082 200mW UMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 20V 50mA 500nA(ICBO) NPN 500mV @ 4mA, 20mA 82 @ 10mA, 10V 1.5GHz
IMD2AT108 Rohm Semiconductor IMD2AT108 0.3800
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-74, SOT-457 IMD2 300mW SMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 500μA, 10mA에서 300mV 56 @ 5mA, 5V 250MHz 22k옴 22k옴
RUM003N02T2L Rohm Semiconductor RUM003N02T2L 0.4000
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 ECAD 162 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-723 RUM003 MOSFET(금속) VMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 8,000 N채널 20V 300mA(타) 1.8V, 4V 1옴 @ 300mA, 4V 1V @ 1mA ±8V 10V에서 25pF - 150mW(타)
2SAR513RTL Rohm Semiconductor 2SAR513RTL 0.4700
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 ECAD 5 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-96 2SAR513 1W TSMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 3,000 50V 1A 1μA PNP 400mV @ 25mA, 500mA 180@50mA, 2V 400MHz
RD3S100CNTL1 Rohm Semiconductor RD3S100CNTL1 2.2500
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 ECAD 85 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 RD3S100 MOSFET(금속) TO-252 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 190V 10A(TC) 4V, 10V 182m옴 @ 5A, 10V 2.5V @ 1mA 52nC @ 10V ±20V 2000pF @ 25V - 85W(Tc)
DTC144WETL Rohm Semiconductor DTC144WETL 0.1011
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 ECAD 8020 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 SC-75, SOT-416 DTC144 150mW EMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 30mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 56 @ 5mA, 5V 250MHz 47kΩ 22kΩ
DTA124ECAT116 Rohm Semiconductor DTA124ECAT116 0.2700
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA124 200mW SST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 20V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 56 @ 5mA, 5V 250MHz 22kΩ 22kΩ
2SD2653KT146 Rohm Semiconductor 2SD2653KT146 0.5700
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SD2653 200mW SMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 12V 2A 100nA(ICBO) NPN 180mV @ 50mA, 1A 270 @ 200mA, 2V 360MHz
DTA143EETL Rohm Semiconductor DTA143EETL 0.3500
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 ECAD 8755 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 DTA143 150mW EMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 30 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ 4.7kΩ
2SK3018T106 Rohm Semiconductor 2SK3018T106 0.3700
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 ECAD 7 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 2SK3018 MOSFET(금속) UMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 30V 100mA(타) 2.5V, 4V 8옴 @ 10mA, 4V 1.5V @ 100μA ±20V 5V에서 13pF - 200mW(타)
2SC4132T100R Rohm Semiconductor 2SC4132T100R 0.2985
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 ECAD 1303 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 2SC4132 2W MPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 1,000 120V 2A 1μA(ICBO) NPN 2V @ 100mA, 1A 180 @ 100mA, 5V 80MHz
DTC123JMT2L Rohm Semiconductor DTC123JMT2L 0.3300
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 ECAD 10 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 DTC123 150mW VMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2kΩ 47kΩ
2SD2226KT146V Rohm Semiconductor 2SD2226KT146V 0.4400
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SD2226 200mW SMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 150mA 300nA(ICBO) NPN 300mV @ 5mA, 50mA 820 @ 1mA, 5V 250MHz
IMT17T110 Rohm Semiconductor IMT17T110 -
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 ECAD 9874 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 SC-74, SOT-457 MT17 300mW SMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 500mA 100nA(ICBO) 2 PNP(이중) 600mV @ 50mA, 500mA 120 @ 100mA, 3V 200MHz
2SA1727TLQ Rohm Semiconductor 2SA1727TLQ 0.3581
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 ECAD 1469 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 2SA1727 1W CPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 400V 500mA 1μA(ICBO) PNP 1V @ 10mA, 100mA 120 @ 50mA, 5V 12MHz
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    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

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  • In-stock Warehouse

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