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트랜지스터 (3592)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
UM6K31NTN Rohm Semiconductor um6k31ntn 0.3700
RFQ
 ECAD 129 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UM6K31 MOSFET (금속 (() 150MW UMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 250ma 2.4ohm @ 250ma, 10V 2.3v @ 1ma - 15pf @ 25V 로직 로직 게이트, 2.5V 드라이브
2SC4115STPR Rohm Semiconductor 2SC4115STR -
RFQ
 ECAD 1917 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 SC-72 형성 2 리드 2SC4115 400MW spt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 20 v 2 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 100ma, 2a 180 @ 100MA, 2V 290MHz
DTA123JETL Rohm Semiconductor DTA123JETL 0.3500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTA123 150 MW EMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
SP8K22FRATB Rohm Semiconductor SP8K22FRATB 0.8080
RFQ
 ECAD 6311 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SP8K22 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 45V 4.5A (TA) 46MOHM @ 4.5A, 10V 2.5V @ 1mA 9.6NC @ 5V 550pf @ 10V -
RSR010N10TL Rohm Semiconductor RSR010N10TL 0.6900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 RSR010 MOSFET (금속 (() TSMT3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 100 v 1A (TA) 4V, 10V 520mohm @ 1a, 10V 2.5V @ 1mA 3.5 nc @ 5 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 540MW (TA)
RSH070N05TB1 Rohm Semiconductor RSH070N05TB1 1.3100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RSH070 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 45 v 7A (TA) 4V, 10V 25mohm @ 7a, 10V 2.5V @ 1mA 16.8 nc @ 5 v ± 20V 1000 pf @ 10 v - 2W (TA)
2SD2351T106V Rohm Semiconductor 2SD2351T106V 0.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 2SD2351 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 150 MA 300NA (ICBO) NPN 300mv @ 5ma, 50ma 820 @ 1ma, 5V 250MHz
RP1E125XNTR Rohm Semiconductor rp1e125xntr -
RFQ
 ECAD 2103 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 RP1E0125 MOSFET (금속 (() MPT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 30 v 12.5A (TA) 4V, 10V 12.5A, 10V 2.5V @ 1mA 12.7 NC @ 5 v ± 20V 1000 pf @ 10 v - 2W (TA)
2SC5868TLR Rohm Semiconductor 2SC5868TLR 0.4100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 2SC5868 500MW TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 60 v 500 MA 1µA (ICBO) NPN 300mv @ 10ma, 100ma 180 @ 50MA, 2V 300MHz
DTA123YE3TL Rohm Semiconductor DTA123YE3TL 0.3700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 DTA114T 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTA123 150 MW EMT3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) pnp- 사전- 300mv @ 1ma, 10ma 100 @ 1ma, 5V 250MHz 10 KOHMS
RTR025N03TL Rohm Semiconductor RTR025N03TL 0.5700
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 RTR025 MOSFET (금속 (() TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 2.5A (TA) 2.5V, 4.5V 92mohm @ 2.5a, 4.5v 1.5V @ 1mA 4.6 NC @ 4.5 v 12V 220 pf @ 10 v - 1W (TA)
RF4E080GNTR Rohm Semiconductor rf4e080gntr 0.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerudfn RF4E080 MOSFET (금속 (() HUML2020L8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 8A (TA) 4.5V, 10V 17.6MOHM @ 8A, 10V 2.5V @ 250µA 5.8 nc @ 10 v ± 20V 295 pf @ 15 v - 2W (TA)
RTR030P02TL Rohm Semiconductor RTR030P02TL 0.6600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 RTR030 MOSFET (금속 (() TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3A (TA) 2.5V, 4.5V 75mohm @ 3a, 4.5v 2V @ 1mA 9.3 NC @ 4.5 v ± 12V 840 pf @ 10 v - 1W (TA)
2SC4098T106P Rohm Semiconductor 2SC4098T106P 0.1062
RFQ
 ECAD 6708 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 2SC4098 200MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 - 25V 50ma NPN 82 @ 1ma, 6V 300MHz -
DTC014TUBTL Rohm Semiconductor DTC014TUBTL 0.3000
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-85 DTC014 200 MW umt3f 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 150MV @ 500µA, 5MA 100 @ 5ma, 10V 250MHz 10 KOHMS
DTC023JMT2L Rohm Semiconductor DTC023JMT2L 0.2400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 DTC023 150 MW VMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 50 v 100 MA - npn-사전- 150MV @ 500µA, 5MA 80 @ 5ma, 10V 250MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
RSS140N03TB Rohm Semiconductor RSS140N03TB -
RFQ
 ECAD 3514 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RSS140 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 14A (TA) 4V, 10V 6.7mohm @ 14a, 10V 2.5V @ 1mA 37 NC @ 5 v 20V 3150 pf @ 10 v - 2W (TA)
ES6U41T2R Rohm Semiconductor es6u41t2r -
RFQ
 ECAD 7634 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 MOSFET (금속 (() 6-wemt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 n 채널 30 v 1.5A (TA) 2.5V, 4.5V 240mohm @ 1.5a, 4.5v 1.5V @ 1mA 2.2 NC @ 4.5 v ± 12V 80 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 700MW (TA)
EMZ52T2R Rohm Semiconductor EMZ52T2R 0.3900
RFQ
 ECAD 5646 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 EMZ52 150MW EMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 50V 100ma 100NA (ICBO) NPN, PNP 300mv @ 5ma, 50ma / 400mv @ 5ma, 50ma 120 @ 1ma, 6V 350MHz, 300MHz
DTA143TU3T106 Rohm Semiconductor DTA143TU3T106 0.2000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 DTA143 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 100 @ 1ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms
IMD23T108 Rohm Semiconductor IMD23T108 0.1364
RFQ
 ECAD 3690 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-74, SOT-457 IMD23 300MW smt6 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma, 500ma - 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300mv @ 50ma, 2.5ma / 300mv @ 10ma, 500µa 56 @ 50MA, 5V / 30 @ 5MA, 5V 200MHz, 250MHz 1kohms, 10kohms 10kohms, 10kohms
2SC4097T106R Rohm Semiconductor 2SC4097T106R 0.4400
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 2SC4097 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 32 v 500 MA 1µA (ICBO) NPN 600mv @ 50ma, 500ma 180 @ 10ma, 3v 250MHz
2SC4672T100Q Rohm Semiconductor 2SC4672T100Q 0.7300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SC4672 500MW MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 50 v 2 a 100NA (ICBO) NPN 350MV @ 50MA, 1A 120 @ 500ma, 2V 210MHz
2SB1236ATV2P Rohm Semiconductor 2SB1236ATV2P -
RFQ
 ECAD 2424 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 ATV 1 W. ATV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 160 v 1.5 a 1µA (ICBO) PNP 2V @ 100MA, 1A 82 @ 100MA, 5V 50MHz
EMF22T2R Rohm Semiconductor EMF22T2R -
RFQ
 ECAD 8319 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOT-563, SOT-666 EMF22 150MW EMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 50V, 12V 100ma, 500ma 500NA 1 npn 사전 n, 1 npn 300mv @ 500µa, 10ma / 250mv @ 10ma, 200ma 30 @ 5ma, 5v / 270 @ 10ma, 2v 250MHz, 320MHz 10kohms 10kohms
DTC144ESATP Rohm Semiconductor DTC144ESATP -
RFQ
 ECAD 1784 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 SC-72 형성 2 리드 DTC144 300MW spt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 50 v 30 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 47 Kohms 47 Kohms
DTC124XKAT146 Rohm Semiconductor DTC124XKAT146 0.2600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC124 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 50 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 22 KOHMS 47 Kohms
2SC6114T2LQ Rohm Semiconductor 2SC6114T2LQ -
RFQ
 ECAD 2779 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-72 형성 2 리드 150 MW VMN3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 2.5ma, 25ma 120 @ 2MA, 6V 130MHz
2SA933ASTPQ Rohm Semiconductor 2SA933ASTPQ -
RFQ
 ECAD 4852 0.00000000 Rohm 반도체 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 SC-72 형성 2 리드 2SA933 300MW spt - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 5ma, 50ma 120 @ 1ma, 6V 140MHz
2SCR522MT2L Rohm Semiconductor 2SCR522MT2L 0.3600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-723 2SCR522 150 MW VMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 20 v 200 MA 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 10ma, 100ma 120 @ 1ma, 2v 400MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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