SIC
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트랜지스터 (3592)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
DTA115EU3T106 Rohm Semiconductor DTA115EU3T106 0.2000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 DTA115 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA - pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 82 @ 5MA, 5V 250MHz 100 KOHMS 100 KOHMS
RRH090P03TB1 Rohm Semiconductor RRH090P03TB1 1.5900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RRH090 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,500 p 채널 30 v 9A (TA) 4V, 10V 15.4mohm @ 9a, 10V 2.5V @ 1mA 30 nc @ 5 v ± 20V 3000 pf @ 10 v - 650MW (TA)
2SB1236ATV2P Rohm Semiconductor 2SB1236ATV2P -
RFQ
 ECAD 2424 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 ATV 1 W. ATV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 160 v 1.5 a 1µA (ICBO) PNP 2V @ 100MA, 1A 82 @ 100MA, 5V 50MHz
RSJ301N10TL Rohm Semiconductor rsj301n10tl 2.9100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RSJ301 MOSFET (금속 (() TO-263S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 30A (TA) 4V, 10V 46mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 1mA 60 nc @ 10 v ± 20V 2100 pf @ 25 v - 50W (TA)
UMF24NTR Rohm Semiconductor UMF24ntr -
RFQ
 ECAD 3051 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMF24 150MW UMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma, 150ma 500NA 1 npn 사전 n, 1 npn 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 250MHz 10kohms 10kohms
DTB513ZE3TL Rohm Semiconductor DTB513ZE3TL 0.4000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTB513 150 MW EMT3 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 12 v 500 MA 500NA pnp- 사전- + 다이오드 300mv @ 5ma, 100ma 140 @ 100MA, 2V 260MHz 1 KOHMS 10 KOHMS
R4008ANDTL Rohm Semiconductor r4008andtl 0.9781
RFQ
 ECAD 8373 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 R4008 MOSFET (금속 (() CPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 400 v 8A (TA) 10V 950mohm @ 4a, 10V 4.5V @ 1mA 15 nc @ 10 v ± 30V 500 pf @ 25 v - 20W (TC)
DTC143EUAT106 Rohm Semiconductor DTC143EUAT106 0.2600
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-70, SOT-323 DTC143 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
DTA144ESATP Rohm Semiconductor DTA144ESATP -
RFQ
 ECAD 1701 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 SC-72 형성 2 리드 DTA144 300MW spt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 50 v 30 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 47 Kohms 47 Kohms
DTA044TMT2L Rohm Semiconductor DTA044TMT2L 0.0382
RFQ
 ECAD 5791 0.00000000 Rohm 반도체 DTA044T 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 DTA044 150 MW VMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 50 v 60 MA 500NA (ICBO) pnp- 사전- 150MV @ 500µA, 5MA 100 @ 5ma, 10V 250MHz 47 Kohms
2SB1238TV2R Rohm Semiconductor 2SB1238TV2R -
RFQ
 ECAD 8324 0.00000000 Rohm 반도체 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 3-sip 2SB1238 1 W. ATV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 80 v 700 MA 500NA (ICBO) PNP 400mv @ 50ma, 500ma 180 @ 100MA, 3V 100MHz
RS1P600BETB1 Rohm Semiconductor RS1P600BETB1 2.8000
RFQ
 ECAD 1910 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn Rs1p MOSFET (금속 (() 8 시간 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 17.5A (TA), 60A (TC) 10V 9.7mohm @ 17.5a, 10V 4V @ 500µA 33 NC @ 10 v ± 20V 2200 pf @ 50 v - 3W (TA), 35W (TC)
2SC4713KT146S Rohm Semiconductor 2SC4713KT146S 0.5000
RFQ
 ECAD 510 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC4713 200MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 - 6V 50ma NPN 180 @ 5MA, 5V 800MHz -
2SB1695TL Rohm Semiconductor 2SB1695TL 0.4700
RFQ
 ECAD 860 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 2SB1695 500MW TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 1.5 a 100NA (ICBO) PNP 370mv @ 50ma, 1a 270 @ 100MA, 2V 280MHz
2SA1579U3HZGT106R Rohm Semiconductor 2SA1579U3HZGT106R 0.4200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 120 v 50 MA 500NA (ICBO) PNP 500mv @ 1ma, 10ma 180 @ 2MA, 6V 140MHz
UMC3NTR Rohm Semiconductor umc3ntr 0.0840
RFQ
 ECAD 1055 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 UMC3 150MW UMT5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA (ICBO) 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 250MHz 10kohms 10kohms
2SD786STPS Rohm Semiconductor 2SD786STPS -
RFQ
 ECAD 9086 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & t (TB) 활동적인 - 구멍을 구멍을 SC-72 형성 2 리드 2SD786 spt - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 846-2SD786STPSTB 5,000 40 v 300 MA - - - 560 @ 10ma, 6V 100MHz
2SAR572D3FRATL Rohm Semiconductor 2SAR572D3FRATL 1.6300
RFQ
 ECAD 832 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 2SAR572 10 W. TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 30 v 5 a 1µA (ICBO) 400mv @ 100ma, 2a 200 @ 500ma, 3v
DTA114GUAT106 Rohm Semiconductor DTA114GUAT106 0.2600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 DTA114 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 250MHz 10 KOHMS
RSJ300N10TL Rohm Semiconductor RSJ300N10TL 1.0292
RFQ
 ECAD 1665 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RSJ300 MOSFET (금속 (() lpt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 30A (TA) 4V, 10V 52mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 1mA 50 nc @ 10 v ± 20V 2200 pf @ 25 v - 50W (TC)
ZDX080N50 Rohm Semiconductor ZDX080N50 1.6500
RFQ
 ECAD 414 0.00000000 Rohm 반도체 - 대부분 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 ZDX080 MOSFET (금속 (() TO-220FM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 500 v 8A (TC) 10V 850mohm @ 4a, 10V 4V @ 1MA 23 nc @ 10 v ± 30V 1120 pf @ 25 v - 40W (TC)
DTC114YU3T106 Rohm Semiconductor DTC114YU3T106 0.2000
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 DTC114 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 100 MA - npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 10 KOHMS 47 Kohms
EMB9T2R Rohm Semiconductor EMB9T2R 0.1035
RFQ
 ECAD 6590 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SOT-563, SOT-666 EMB9T2 150MW EMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 50V 100ma 500NA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 10kohms 47kohms
EML20T2R Rohm Semiconductor EML20T2R 0.1282
RFQ
 ECAD 1677 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SOT-563, SOT-666 EML20 150 MW EMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- + 다이오드 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
R6020KNX Rohm Semiconductor R6020knx 2.8500
RFQ
 ECAD 431 0.00000000 Rohm 반도체 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 R6020 MOSFET (금속 (() TO-220FM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 600 v 20A (TC) 10V 196MOHM @ 9.5A, 10V 5V @ 1MA 40 nc @ 10 v ± 20V 1550 pf @ 25 v - 68W (TC)
UMF5NTR Rohm Semiconductor umf5ntr 0.4600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMF5 150MW UMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V, 12V 100ma, 500ma 500NA 1 npn 프리 n, 1 pnp 300mv @ 500µa, 10ma / 250mv @ 10ma, 200ma 68 @ 5ma, 5v / 270 @ 10ma, 2v 250MHz, 260MHz 47kohms 47kohms
RSL020P03FRATR Rohm Semiconductor RSL020P03FRATR 0.6000
RFQ
 ECAD 2843 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 6-SMD,, 리드 RSL020 MOSFET (금속 (() Tumt6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 2A (TA) 10V 120mohm @ 2a, 10V 2.5V @ 1mA 3.9 NC @ 5 v ± 20V 350 pf @ 10 v - 1W (TA)
2SC4081U3T106S Rohm Semiconductor 2SC4081U3T106S 0.2300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 2SC4081 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 50ma 120 @ 1ma, 6V 180MHz
RSH090N03TB1 Rohm Semiconductor RSH090N03TB1 0.4822
RFQ
 ECAD 2844 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RSH090 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 9A (TA) 4V, 10V 16mohm @ 9a, 10V 2.5V @ 1mA 15 nc @ 5 v 20V 810 pf @ 10 v - 2W (TA)
DTC143XEFRATL Rohm Semiconductor dtc143xefratl 0.2300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTC143 150 MW EMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 100 MA - npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 10 KOHMS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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