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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
MP6K12TCR Rohm Semiconductor MP6K12TCR -
RFQ
ECAD 9271 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 MP6K12 MOSFET (금속 (() 2W MPT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 2 n 채널 (채널) 30V 5a 42mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 1mA 4NC @ 5V 250pf @ 10V 논리 논리 게이트
RCJ700N20TL Rohm Semiconductor RCJ700N20TL 5.3300
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RCJ700 MOSFET (금속 (() lpt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 200 v 70A (TC) 10V 42.7mohm @ 35a, 10V 5V @ 1MA 125 nc @ 10 v ± 30V 6900 pf @ 25 v - 1.56W (TA), 40W (TC)
DTA114YKAT146 Rohm Semiconductor DTA114YKAT146 0.2700
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA114 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 10 KOHMS 47 Kohms
RP1L080SNTR Rohm Semiconductor RP1L080SNTR -
RFQ
ECAD 3474 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 RP1L080 MOSFET (금속 (() MPT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 8A (TA) 4V, 10V 24mohm @ 8a, 10V 3V @ 1mA 40 nc @ 10 v ± 20V 1700 pf @ 10 v - 2W (TA)
2SA1776TV2P Rohm Semiconductor 2SA1776TV2P -
RFQ
ECAD 6577 0.00000000 Rohm 반도체 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 3-sip 2SA1776 1 W. ATV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 400 v 500 MA 1µA (ICBO) PNP 1V @ 10MA, 100MA 82 @ 50MA, 5V 12MHz
2SD2351T106V Rohm Semiconductor 2SD2351T106V 0.3900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 2SD2351 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 150 MA 300NA (ICBO) NPN 300mv @ 5ma, 50ma 820 @ 1ma, 5V 250MHz
QS6J3TR Rohm Semiconductor qs6j3tr 0.2436
RFQ
ECAD 2116 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 QS6J3 MOSFET (금속 (() 1.25W TSMT6 (SC-95) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 1.5A 215mohm @ 1.5a, 4.5v 2V @ 1mA 3NC @ 4.5V 270pf @ 10V 논리 논리 게이트
DTC013ZUBTL Rohm Semiconductor DTC013ZUBTL 0.2700
RFQ
ECAD 143 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-85 DTC013 200 MW umt3f 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 150MV @ 500µA, 5MA 30 @ 5MA, 10V 250MHz 1 KOHMS 10 KOHMS
R5019ANJTL Rohm Semiconductor R5019ANJTL 3.6353
RFQ
ECAD 8356 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB R5019 MOSFET (금속 (() lpt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 19A (TA) - - - 100W (TC)
DTA124XUAT106 Rohm Semiconductor DTA124XUAT106 -
RFQ
ECAD 6083 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-70, SOT-323 DTA124 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 50 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 22 KOHMS 47 Kohms
SP8J1FU6TB Rohm Semiconductor SP8J1FU6TB -
RFQ
ECAD 7343 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SP8J1 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOP - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 30V 5a 42mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 1mA 16nc @ 5v 1400pf @ 10V 논리 논리 게이트
DTA123YKAT146 Rohm Semiconductor DTA123YKAT146 0.2700
RFQ
ECAD 865 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA123 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 33 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2 Kohms 10 KOHMS
2SB1132T100R Rohm Semiconductor 2SB1132T100R 0.4300
RFQ
ECAD 693 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SB1132 2 w MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 32 v 1 a 500NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 180 @ 100MA, 3V 150MHz
SP8M3TB Rohm Semiconductor SP8M3TB 0.5072
RFQ
ECAD 2540 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SP8M3 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 30V 5a, 4.5a 51mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 1mA 3.9nc @ 5v 230pf @ 10V 논리 논리 게이트
RGT8NL65DGTL Rohm Semiconductor rgt8nl65dgtl 2.0700
RFQ
ECAD 972 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RGT8NL65 기준 65 w LPD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 400V, 4A, 50ohm, 15V 40 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 8 a 12 a 2.1V @ 15V, 4A - 13.5 NC 17ns/69ns
UMG11NTR Rohm Semiconductor umg11ntr 0.4300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 UMG11 150MW UMT5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2kohms 47kohms
DTC144TCAT116 Rohm Semiconductor DTC144TCAT116 0.3500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC144 200 MW SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 300mv @ 1ma, 10ma 100 @ 1ma, 5V 250MHz 47 Kohms
UMX4NTR Rohm Semiconductor umx4ntr 0.3800
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMX4 150MW UMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 20V 50ma 500NA (ICBO) 2 NPN (() 500mv @ 4ma, 20ma 56 @ 10ma, 10V 1.5GHz
RSQ030N08HZGTR Rohm Semiconductor rsq030n08hzgtr 0.8300
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 RSQ030 MOSFET (금속 (() TSMT6 (SC-95) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 80 v 3A (TA) 4V, 10V 131mohm @ 3a, 10V 2.5V @ 1mA 6.5 NC @ 5 v ± 20V 550 pf @ 10 v - 950MW (TA)
FMY6T148 Rohm Semiconductor FMY6T148 0.2087
RFQ
ECAD 7045 0.00000000 Rohm 반도체 * 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 fmy6 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000
RSS075P03TB Rohm Semiconductor RSS075P03TB -
RFQ
ECAD 1550 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RSS075 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 7.5A (TA) 4V, 10V 21mohm @ 7.5a, 10V 2.5V @ 1mA 30 nc @ 5 v ± 20V 2900 pf @ 10 v - 2W (TA)
2SD1980TL Rohm Semiconductor 2SD1980TL 0.9600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 2SD1980 10 W. CPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 100 v 2 a 10µA (ICBO) npn-달링턴 1.5v @ 1ma, 1a 1000 @ 1a, 2v -
SP8K3TB Rohm Semiconductor SP8K3TB -
RFQ
ECAD 4980 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SP8K3 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 7a 24mohm @ 7a, 10V 2.5V @ 1mA 11.8NC @ 5V 600pf @ 10V 논리 논리 게이트
2SA1727TLQ Rohm Semiconductor 2SA1727TLQ 0.3581
RFQ
ECAD 1469 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 2SA1727 1 W. CPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 400 v 500 MA 1µA (ICBO) PNP 1V @ 10MA, 100MA 120 @ 50MA, 5V 12MHz
2SD2672TL Rohm Semiconductor 2SD2672TL 0.2415
RFQ
ECAD 3633 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 2SD2672 500MW TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 12 v 4 a 100NA (ICBO) NPN 250mv @ 40ma, 2a 270 @ 200MA, 2V 250MHz
DTC123YUAT106 Rohm Semiconductor DTC123YUAT106 0.2600
RFQ
ECAD 64 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-70, SOT-323 DTC123 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 33 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2 Kohms 10 KOHMS
IMX17T110 Rohm Semiconductor IMX17T110 -
RFQ
ECAD 3425 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 IMX17 300MW smt6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 500ma 100NA (ICBO) 2 NPN (() 600mv @ 50ma, 500ma 120 @ 100MA, 3V 250MHz
FMG6AT148 Rohm Semiconductor FMG6AT148 0.1011
RFQ
ECAD 1095 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-74A, SOT-753 FMG6 300MW SMT5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma - 2 npn--바이어스 (듀얼) 300mv @ 1ma, 10ma 100 @ 1ma, 5V 250MHz 47kohms -
2SCR533PFRAT100 Rohm Semiconductor 2SCR533PFRAT100 0.5000
RFQ
ECAD 68 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SCR533 500MW MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 50 v 3 a 1µA (ICBO) NPN 350MV @ 50MA, 1A 180 @ 50MA, 3V 320MHz
R6007JNJGTL Rohm Semiconductor R6007Jnjgtl 2.8200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB R6007 MOSFET (금속 (() lpt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 7A (TC) 15V 780mohm @ 3.5a, 15V 7V @ 1MA 17.5 nc @ 15 v ± 30V 475 pf @ 100 v - 96W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고