SIC
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트랜지스터 (3592)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
2SC4617EBTLR Rohm Semiconductor 2SC4617EBTLR 0.2600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-89, SOT-490 2SC4617 150 MW EMT3F (SOT-416FL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 50ma 120 @ 1ma, 6V 180MHz
2SK2463T100 Rohm Semiconductor 2SK2463T100 0.8100
RFQ
 ECAD 900 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SK2463 MOSFET (금속 (() MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1,000 n 채널 60 v 2A (TA) 4V, 10V 380mohm @ 1a, 10V 2.5V @ 1mA ± 20V 200 pf @ 10 v - 500MW (TA)
RCX080N25 Rohm Semiconductor RCX080N25 1.3000
RFQ
 ECAD 442 0.00000000 Rohm 반도체 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 RCX080 MOSFET (금속 (() TO-220FM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 250 v 8A (TC) 10V 600mohm @ 4a, 10V 5V @ 1MA 15 nc @ 10 v ± 30V 840 pf @ 25 v - 2.23W (TA), 35W (TC)
RJ1G12BGNTLL Rohm Semiconductor rj1g12bgntll 4.8300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RJ1G12 MOSFET (금속 (() lptl 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 120A (TC) 4.5V, 10V 1.86mohm @ 50a, 10V 2.5V @ 2MA 165 NC @ 10 v ± 20V 12500 pf @ 20 v - 178W (TC)
RQ5E025TNTL Rohm Semiconductor RQ5E025TNTL 0.5200
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 RQ5E025 MOSFET (금속 (() TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 2.5A (TA) 2.5V, 4.5V 92mohm @ 2.5a, 4.5v 1.5V @ 1mA 4.6 NC @ 4.5 v ± 12V 220 pf @ 10 v - 700MW (TA)
RGTH40TK65DGC11 Rohm Semiconductor RGTH40TK65DGC11 5.9600
RFQ
 ECAD 4329 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 To-3pfm, SC-93-3 RGTH40 기준 56 W. to-3pfm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 20A, 10ohm, 15V 58 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 23 a 80 a 2.1V @ 15V, 20A - 40 NC 22ns/73ns
RDX100N60FU6 Rohm Semiconductor RDX100N60FU6 -
RFQ
 ECAD 2763 0.00000000 Rohm 반도체 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 RDX100 MOSFET (금속 (() TO-220FM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 600 v 10A (TA) 10V 650mohm @ 5a, 10V 4V @ 1MA 45 NC @ 10 v ± 30V 1600 pf @ 25 v - 45W (TC)
RD3R05BBHTL1 Rohm Semiconductor RD3R05BBHTL1 3.1000
RFQ
 ECAD 8073 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RD3R05 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 150 v 50A (TA) 6V, 10V 29mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 37 NC @ 10 v ± 20V 2150 pf @ 75 v - 89W (TA)
QH8K26TR Rohm Semiconductor QH8K26TR 0.9900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 QH8K26 MOSFET (금속 (() 1.1W (TA) TSMT8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 40V 7A (TA) 38mohm @ 7a, 10V 2.5V @ 1mA 2.9NC @ 5V 275pf @ 20V -
RD3L140SPTL1 Rohm Semiconductor RD3L140SPTL1 1.7200
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RD3L140 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 14A (TA) 4V, 10V 84mohm @ 14a, 10V 3V @ 1mA 27 NC @ 10 v ± 20V 1900 pf @ 10 v - 20W (TC)
RRS075P03FD5TB1 Rohm Semiconductor RRS075P03FD5TB1 -
RFQ
 ECAD 8191 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 846-RRS075P03FD5TB1TR 쓸모없는 2,500 -
DTA114TETL Rohm Semiconductor DTA114TETL 0.0678
RFQ
 ECAD 4855 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTA114 150 MW EMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) pnp- 사전- 300mv @ 1ma, 10ma 100 @ 1ma, 5V 250MHz 10 KOHMS
RS1E280GNTB Rohm Semiconductor rs1e280gntb 1.0000
RFQ
 ECAD 557 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn RS1E MOSFET (금속 (() 8 시간 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 28A (TA) 4.5V, 10V 2.6MOHM @ 28A, 10V 2.5V @ 1mA 36 nc @ 10 v ± 20V 2300 pf @ 15 v - 3W (TA), 31W (TC)
RSD131P10TL Rohm Semiconductor RSD131P10TL 0.6497
RFQ
 ECAD 8158 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RSD131 MOSFET (금속 (() CPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 100 v 13A (TC) 4V, 10V 200mohm @ 6.5a, 10V 2.5V @ 1mA 40 nc @ 10 v ± 20V 2400 pf @ 25 v - 850MW (TA), 20W (TC)
RV1C001ZPT2L Rohm Semiconductor RV1C001ZPT2L 0.4000
RFQ
 ECAD 85 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 RV1C001 MOSFET (금속 (() VML0806 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 p 채널 20 v 100MA (TA) 1.2V, 4.5V 3.8ohm @ 100ma, 4.5v 1V @ 100µA ± 10V 15 pf @ 10 v - 100MW (TA)
2SC4102U3T106R Rohm Semiconductor 2SC4102U3T106R 0.1126
RFQ
 ECAD 4822 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 2SC4102 200 MW UMT3 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 846-2SC4102U3T106RTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 120 v 50 MA 500NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 1a 390 @ 500ma, 6V
RS6L120BGTB1 Rohm Semiconductor RS6L120BGTB1 3.5900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8 시간 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 120A (TA) 4.5V, 10V 2.7mohm @ 90a, 10V 2.5V @ 1mA 51 NC @ 10 v ± 20V 3520 pf @ 30 v - 104W (TJ)
SCT3040KLHRC11 Rohm Semiconductor SCT3040KLHRC11 56.3400
RFQ
 ECAD 886 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SCT3040 sicfet ((카바이드) TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 55A (TA) 18V 52mohm @ 20a, 18V 5.6v @ 10ma 107 NC @ 18 v +22V, -4V 1337 pf @ 800 v - 262W
EMF7T2R Rohm Semiconductor EMF7T2R -
RFQ
 ECAD 5744 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 EMF7 150MW EMT6 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 846-emf7t2rtr 8,000 50V, 12V 100ma, 500ma 500NA, 100NA (ICBO) 1 npn 사전 n, 1 npn 300mv @ 500µa, 10ma / 250mv @ 10ma, 200ma 20 @ 20ma, 5v / 270 @ 10ma, 2v 250MHz, 320MHz 2.2kohms 2.2kohms
SH8KC6TB1 Rohm Semiconductor SH8KC6TB1 0.9900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SH8KC6 MOSFET (금속 (() 2W (TA) 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 60V 6.5A (TA) 32mohm @ 6.5a, 10V 2.5V @ 1mA 7.6NC @ 10V 460pf @ 30V -
RSS095N05FRATB Rohm Semiconductor RSS095N05FRATB 2.1000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RSS095 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 45 v 9.5A (TA) 4V, 10V 16mohm @ 9.5a, 10V 2.5V @ 1mA 26.5 nc @ 5 v ± 20V 1830 pf @ 10 v - 1.4W (TA)
2SC5876U3T106 Rohm Semiconductor 2SC5876U3T106 0.4100
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 2SC5876 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 60 v 500 MA 1µA (ICBO) NPN 300mv @ 10ma, 100ma 120 @ 50MA, 2V 300MHz
RH6R025BHTB1 Rohm Semiconductor RH6R025BHTB1 1.8900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn RH6R025 MOSFET (금속 (() 8-HSMT (3.2x3) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 150 v 25A (TA) 6V, 10V 60mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 16.7 NC @ 10 v ± 20V 1010 pf @ 75 v - 2W (TA), 59W (TC)
2SA1576U3HZGT106Q Rohm Semiconductor 2SA1576U3HZGT106Q 0.3800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 2SA1576 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 5ma, 50ma 120 @ 1ma, 6V 140MHz
RS1E320GNTB Rohm Semiconductor rs1e320gntb 0.5968
RFQ
 ECAD 9833 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn RS1E MOSFET (금속 (() 8 시간 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 32A (TA) 4.5V, 10V 1.9mohm @ 32a, 10V 2.5V @ 1mA 42.8 nc @ 10 v ± 20V 2850 pf @ 15 v - 3W (TA), 34.6W (TC)
EMA11T2R Rohm Semiconductor EMA11T2R 0.1035
RFQ
 ECAD 2261 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 6-SMD (5 d), 플랫 리드 EMA11 150MW EMT5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 50V 100ma 500NA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7kohms 47kohms
R6530ENZ4C13 Rohm Semiconductor R6530ENZ4C13 6.8600
RFQ
 ECAD 486 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 R6530 MOSFET (금속 (() TO-247G 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-R6530ENZ4C13 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 30A (TC) 10V 140mohm @ 14.5a, 10V 4V @ 960µA 90 NC @ 10 v ± 20V 2100 pf @ 25 v - 305W (TC)
DTA144EU3HZGT106 Rohm Semiconductor DTA144EU3HZGT106 0.3800
RFQ
 ECAD 1016 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 DTA144 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 47 Kohms 47 Kohms
SP8J62TB1 Rohm Semiconductor SP8J62TB1 -
RFQ
 ECAD 4034 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 SP8J62 - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 846-sp8j62tb1tr 쓸모없는 2,500 -
R6025ANZFL1C8 Rohm Semiconductor R6025ANZFL1C8 -
RFQ
 ECAD 8796 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 R6025 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 846-R6025ANZFL1C8 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 25A (TC) 10V 150mohm @ 12.5a, 10V 4.5V @ 1mA 88 NC @ 10 v ± 30V 3250 pf @ 10 v - 150W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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