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트랜지스터 (3592)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
DTA114YE3TL Rohm Semiconductor DTA114YE3TL 0.3700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 DTA115E 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTA114 150 MW EMT3 - ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) pnp- 사전- + 다이오드 300MV @ 250µA, 5MA 82 @ 5MA, 5V 250MHz 100 KOHMS 100 KOHMS
RSS095N05HZGTB Rohm Semiconductor RSS095N05HZGTB 2.6000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RSS095 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 45 v 9.5A (TA) 4V, 10V 16mohm @ 9.5a, 10V 2.5V @ 1mA 26.5 nc @ 5 v ± 20V 1830 pf @ 10 v - 1.4W (TA)
US6T5TR Rohm Semiconductor US6T5TR 0.2120
RFQ
 ECAD 2223 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 US6T5 400MW Tumt6 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 2 a 100NA (ICBO) PNP 370mv @ 75ma, 1.5a 270 @ 200MA, 2V 280MHz
DTC023YMT2L Rohm Semiconductor DTC023YMT2L 0.2400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 DTC023 150 MW VMT3 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 50 v 100 MA - npn-사전- 150MV @ 500µA, 5MA 35 @ 5MA, 10V 250MHz 2.2 Kohms 10 KOHMS
2SCR512PT100 Rohm Semiconductor 2SCR512PT100 0.1982
RFQ
 ECAD 5974 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SCR512 2 w MPT3 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 30 v 2 a 1µA (ICBO) NPN 400mv @ 35ma, 700ma 200 @ 100ma, 2v 320MHz
2SC4617EBHZGTLQ Rohm Semiconductor 2SC4617EBHZGTLQ 0.3700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-89, SOT-490 2SC4617 150 MW EMT3F (SOT-416FL) - ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 500ma 120 @ 1ma, 6V 180MHz
2SC5585E3TL Rohm Semiconductor 2SC5585E3TL 0.4000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 2SC5585 150 MW EMT3 - ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 12 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 250mv @ 10ma, 200ma 270 @ 10MA, 2V 320MHz
DTC143XMFHAT2L Rohm Semiconductor DTC143XMFHAT2L 0.2600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 DTC143 150 MW VMT3 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 100 MA - npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 10 KOHMS
2SCR586JFRGTLL Rohm Semiconductor 2SCR586Jfrgtll 2.0800
RFQ
 ECAD 202 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 2SCR586 40 W. lptl 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 80 v 5 a 1µA (ICBO) NPN 300mv @ 100ma, 2a 120 @ 500ma, 3v 200MHz
RQ3E180BNTB1 Rohm Semiconductor RQ3E180BNTB1 2.0300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn RQ3E180 MOSFET (금속 (() 8-HSMT (3.2x3) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 18A (TA), 39A (TC) 4.5V, 10V 3.9mohm @ 18a, 10V 2.5V @ 1mA 72 NC @ 10 v ± 20V 3500 pf @ 15 v - 2W (TA), 20W (TC)
R6030KNZC17 Rohm Semiconductor R6030KNZC17 7.5400
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 R6030 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-R6030KNZC17 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 30A (TC) 10V 130mohm @ 14.5a, 10V 5V @ 1MA 56 NC @ 10 v ± 20V 2350 pf @ 25 v - 86W (TC)
DTA014EUBTL Rohm Semiconductor DTA014EUBTL 0.3000
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-85 DTA014 200 MW umt3f 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 50 MA - pnp- 사전- 150MV @ 500µA, 5MA 35 @ 5MA, 10V 250MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
R6020ENZ4C13 Rohm Semiconductor R6020ENZ4C13 5.7900
RFQ
 ECAD 600 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 R6020 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-R6020ENZ4C13 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 20A (TC) 10V 196MOHM @ 9.5A, 10V 4V @ 1MA 60 nc @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 25 v - 231W (TC)
RU1J002YNTCL Rohm Semiconductor Ru1j002yntcl 0.2600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-85 Ru1j002 MOSFET (금속 (() umt3f 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 50 v 200MA (TA) 0.9V, 4.5V 2.2ohm @ 200ma, 4.5v 800mv @ 1ma ± 8V 26 pf @ 10 v - 150MW (TA)
US6M11TR Rohm Semiconductor US6M11tr 0.6700
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 US6M11 MOSFET (금속 (() 1W Tumt6 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 20V, 12V 1.5A, 1.3A 180mohm @ 1.5a, 4.5v 1V @ 1mA 1.8NC @ 4.5V 110pf @ 10V 논리 논리 게이트
UMD25NTR Rohm Semiconductor umd25ntr 0.4000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMD25 150MW UMT6 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2kohms 47kohms
DTD543EE3TL Rohm Semiconductor DTD543EE3TL 0.4000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTD543 150 MW EMT3 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 12 v 500 MA 500NA npn-사전- + 다이오드 300mv @ 5ma, 100ma 115 @ 100MA, 2V 260MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
RGTH80TK65DGC11 Rohm Semiconductor RGTH80TK65DGC11 6.3700
RFQ
 ECAD 446 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 To-3pfm, SC-93-3 RGTH80 기준 66 W. to-3pfm 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 40A, 10ohm, 15V 58 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 31 a 160 a 2.1V @ 15V, 40A - 79 NC 34ns/120ns
DTD123ECHZGT116 Rohm Semiconductor DTD123ECHZGT116 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTD123 200 MW SST3 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 MA 500NA npn-사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 39 @ 50MA, 5V 200MHz 2.2 Kohms 2.2 Kohms
EMG3T2R Rohm Semiconductor EMG3T2R 0.4700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 EMG3T2 150MW EMT3 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 50V 100ma 500NA (ICBO) 2 npn--바이어스 (듀얼) 150mv @ 250µa, 5mA 100 @ 1ma, 5V 250MHz 4.7kohms -
QH8MC5TCR Rohm Semiconductor qh8mc5tcr 0.9100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 QH8MC5 MOSFET (금속 (() 1.1W (TA) TSMT8 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-QH8MC5TCRTR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 60V 3A (TA), 3.5A (TA) 90mohm @ 3a, 10v, 91mohm @ 3.5a, 10v 2.5V @ 1mA 3.1nc @ 10v, 17.3nc @ 10v 135pf @ 30v, 850pf @ 30v -
DTB143EKFRAT146 Rohm Semiconductor DTB143EKFRAT146 0.3489
RFQ
 ECAD 4548 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTB143 200 MW smt3 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 MA 500NA pnp- 사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 47 @ 50MA, 5V 200MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
QS8M13TCR Rohm Semiconductor QS8M13TCR -
RFQ
 ECAD 2213 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 QS8M13 MOSFET (금속 (() 1.5W TSMT8 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 30V 6a, 5a 28mohm @ 6a, 10V 2.5V @ 1mA 5.5NC @ 5V 390pf @ 10V 논리 논리 게이트
DTA043XMT2L Rohm Semiconductor DTA043XMT2L 0.2700
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Rohm 반도체 DTA043X 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 DTA043 150 MW VMT3 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 150MV @ 500µA, 5MA 35 @ 5MA, 10V 250MHz 4.7 Kohms 10 KOHMS
DTC124TMT2L Rohm Semiconductor DTC124TMT2L 0.3700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm 반도체 DTC124T 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 DTC124 150 MW VMT3 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 5MA 100 @ 1ma, 5V 250MHz 22 KOHMS
EMT1FHAT2R Rohm Semiconductor EMT1FHAT2R 0.3600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 Emt1fhat2 150MW EMT6 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 50V 150ma 100NA (ICBO) 2 PNP (() 500mv @ 5ma, 50ma 120 @ 1ma, 6V 140MHz
2SC5880TV2Q Rohm Semiconductor 2SC5880TV2Q -
RFQ
 ECAD 7994 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 3-sip 1 W. ATV 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 60 v 2 a 1µA (ICBO) NPN 500mv @ 100ma, 1a 120 @ 100MA, 2V 200MHz
DTA043XUBTL Rohm Semiconductor dta043xubtl 0.3700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-85 DTA043 200 MW umt3f 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 150MV @ 500µA, 5MA 35 @ 5MA, 10V 250MHz 4.7 Kohms 10 KOHMS
DTA114TU3HZGT106 Rohm Semiconductor DTA114TU3HZGT106 0.3500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 DTA114 200 MW UMT3 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) pnp- 사전- 300mv @ 1ma, 10ma 100 @ 1ma, 5V 250MHz 10 KOHMS
RSU002N06T106 Rohm Semiconductor RSU002N06T106 0.3700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 RSU002 MOSFET (금속 (() UMT3 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 250MA (TA) 2.5V, 10V 2.4ohm @ 250ma, 10V 2.3v @ 1ma ± 20V 15 pf @ 25 v - 200MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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