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트랜지스터 (3592)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
RSR030N06HZGTL Rohm Semiconductor RSR030N06HZGTL 0.7700
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 RSR030 MOSFET (금속 (() TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 3A (TA) 4V, 10V 85mohm @ 3a, 10V 2.5V @ 1mA 5 nc @ 5 v ± 20V 380 pf @ 10 v - 700MW (TA)
IMD23T108 Rohm Semiconductor IMD23T108 0.1364
RFQ
 ECAD 3690 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-74, SOT-457 IMD23 300MW smt6 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma, 500ma - 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300mv @ 50ma, 2.5ma / 300mv @ 10ma, 500µa 56 @ 50MA, 5V / 30 @ 5MA, 5V 200MHz, 250MHz 1kohms, 10kohms 10kohms, 10kohms
2SD2170T100 Rohm Semiconductor 2SD2170T100 -
RFQ
 ECAD 8297 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SD2170 2 w MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 90 v 2 a 10µA (ICBO) npn-달링턴 1.5v @ 1ma, 1a 1000 @ 1a, 2v 80MHz
DTA124ESATP Rohm Semiconductor DTA124ESATP -
RFQ
 ECAD 8331 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 SC-72 형성 2 리드 DTA124 300MW spt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 50 v 30 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 56 @ 5MA, 5V 250MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
SCT3040KLGC11 Rohm Semiconductor SCT3040KLGC11 39.7400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SCT3040 sicfet ((카바이드) TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 55A (TC) 18V 52mohm @ 20a, 18V 5.6v @ 10ma 107 NC @ 18 v +22V, -4V 1337 pf @ 800 v - 262W (TC)
DTA113ZUAT106 Rohm Semiconductor DTA113ZUAT106 0.2600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-70, SOT-323 DTA113 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 33 @ 5MA, 5V 250MHz 1 KOHMS 10 KOHMS
RS1G120MNTB Rohm Semiconductor RS1G120MNTB 0.5800
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn Rs1g MOSFET (금속 (() 8 시간 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 12A (TA) 4.5V, 10V 16.2mohm @ 12a, 10V 2.5V @ 1mA 9.4 NC @ 10 v ± 20V 570 pf @ 20 v - 3W (TA), 25W (TC)
DTA144VKAT146 Rohm Semiconductor DTA144VKAT146 0.0912
RFQ
 ECAD 5925 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA144 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 30 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 33 @ 5MA, 5V 250MHz 47 Kohms 10 KOHMS
2SD2656FRAT106 Rohm Semiconductor 2SD2656FRAT106 0.4900
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 2SD2656 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 350MV @ 25MA, 500MA 270 @ 100MA, 2V 400MHz
R6042JNZ4C13 Rohm Semiconductor R6042JNZ4C13 12.3900
RFQ
 ECAD 159 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 R6042 MOSFET (금속 (() TO-247G 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 42A (TC) 15V 104mohm @ 21a, 15V 7V @ 5.5MA 100 nc @ 15 v ± 30V 3500 pf @ 100 v - 495W (TC)
2SA2029T2LR Rohm Semiconductor 2SA2029T2LR 0.3800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-723 2SA2029 150 MW VMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 5ma, 50ma 180 @ 1ma, 6V 140MHz
2SCR553PHZGT100 Rohm Semiconductor 2SCR553PHZGT100 0.6400
RFQ
 ECAD 620 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 500MW SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 50 v 2 a 1µA (ICBO) NPN 350mv @ 35ma, 700ma 180 @ 50MA, 2V 360MHz
RD3L050SNTL1 Rohm Semiconductor RD3L050SNTL1 1.2900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RD3L050 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 5A (TA) 4V, 10V 109mohm @ 5a, 10V 3V @ 1mA 8 nc @ 10 v ± 20V 290 pf @ 10 v - 15W (TC)
RV5L030GNTCR1 Rohm Semiconductor RV5L030GNTCR1 -
RFQ
 ECAD 3827 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RV5L030Gntcr1tr 3,000
2SK2887TL Rohm Semiconductor 2SK2887TL -
RFQ
 ECAD 2108 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 2SK2887 MOSFET (금속 (() CPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 200 v 3A (TA) 10V 900mohm @ 1.5a, 10V 4V @ 1MA 8.5 NC @ 10 v ± 30V 230 pf @ 10 v - 20W (TC)
R6524ENZ4C13 Rohm Semiconductor R6524ENZ4C13 5.9900
RFQ
 ECAD 475 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 R6524 MOSFET (금속 (() TO-247G 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-R6524ENZ4C13 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 24A (TC) 10V 185mohm @ 11.3a, 10V 4V @ 750µA 70 nc @ 10 v ± 20V 1650 pf @ 25 v - 245W (TC)
SCT3017ALHRC11 Rohm Semiconductor SCT3017ALHRC11 125.3200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SCT3017 sicfet ((카바이드) TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 650 v 118A (TC) 18V 22.1MOHM @ 47A, 18V 5.6v @ 23.5ma 172 NC @ 18 v +22V, -4V 2884 pf @ 500 v - 427W
DTC124XKAT146 Rohm Semiconductor DTC124XKAT146 0.2600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC124 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 50 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 22 KOHMS 47 Kohms
2SC4505T100Q Rohm Semiconductor 2SC4505T100Q 0.4155
RFQ
 ECAD 1005 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SC4505 2 w MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 400 v 100 MA 10µA (ICBO) NPN 500mv @ 1ma, 10ma 120 @ 10ma, 10V 20MHz
2SCR554P5T100 Rohm Semiconductor 2SCR554P5T100 0.5100
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SCR554 500MW MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 80 v 1.5 a 1µA (ICBO) NPN 300mv @ 25ma, 500ma 120 @ 100MA, 3V 300MHz
DTA044TEBTL Rohm Semiconductor DTA044TEBTL 0.1900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-89, SOT-490 DTA044 150 MW EMT3F (SOT-416FL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 60 MA 500NA (ICBO) pnp- 사전- 150MV @ 500µA, 5MA 100 @ 5ma, 10V 250MHz 47 Kohms
2SCR573D3FRATL Rohm Semiconductor 2SCR573D3FRATL 1.6900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 2SCR573 10 W. TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 50 v 3 a 1µA (ICBO) NPN 350MV @ 50MA, 1A 180 @ 100MA, 3V 320MHz
DTD114GCHZGT116 Rohm Semiconductor DTD114GCHZGT116 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTD114 200 MW SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 56 @ 50MA, 5V 200MHz 10 KOHMS
QST9TR Rohm Semiconductor qst9tr 0.6300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 QST9 1.25W TSMT6 (SC-95) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 30V 1A 100NA (ICBO) 2 PNP (() 350MV @ 25MA, 500MA 270 @ 100MA, 2V 320MHz
DTA124EU3T106 Rohm Semiconductor DTA124EU3T106 0.2000
RFQ
 ECAD 1936 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 DTA124 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 100 MA - pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 56 @ 5MA, 5V 250MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
DTC123JUBHZGTL Rohm Semiconductor DTC123JUBHZGTL 0.2200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-85 DTC123 200 MW umt3f 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 100 MA - npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
UMF5NTR Rohm Semiconductor umf5ntr 0.4600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMF5 150MW UMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V, 12V 100ma, 500ma 500NA 1 npn 프리 n, 1 pnp 300mv @ 500µa, 10ma / 250mv @ 10ma, 200ma 68 @ 5ma, 5v / 270 @ 10ma, 2v 250MHz, 260MHz 47kohms 47kohms
FMG9AT148 Rohm Semiconductor FMG9AT148 0.5200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-74A, SOT-753 FMG9 300MW SMT5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 250MHz 10kohms 10kohms
RZR025P01TL Rohm Semiconductor RZR025P01TL 0.6000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 RZR025 MOSFET (금속 (() TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 2.5A (TA) 1.5V, 4.5V 61mohm @ 2.5a, 4.5v 1V @ 1mA 13 nc @ 4.5 v ± 10V 1350 pf @ 6 v - 1W (TA)
2SD2142KT146 Rohm Semiconductor 2SD2142KT146 0.4100
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SD2142 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 300 MA 100NA (ICBO) npn-달링턴 1.5V @ 100µa, 100ma 10000 @ 100MA, 5V 200MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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