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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
ES6U42T2R Rohm Semiconductor ES6U42T2R -
RFQ
ECAD 1079 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 MOSFET (금속 (() 6-wemt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 p 채널 20 v 1A (TA) 2.5V, 4.5V 390mohm @ 1a, 4.5v 2V @ 1mA 2.1 NC @ 4.5 v ± 12V 150 pf @ 10 v Schottky Diode (Body) 700MW (TA)
BSS84WAHZGT106 Rohm Semiconductor BSS84WAHZGT106 0.5000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MOSFET (금속 (() UMT3 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 60 v 210MA (TA) 4.5V, 10V 5.3ohm @ 210ma, 10V 2.5V @ 100µa ± 20V 34 pf @ 30 v - 300MW (TA)
DTD113ZCHZGT116 Rohm Semiconductor DTD113ZCHZGT116 0.2800
RFQ
ECAD 20 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTD113 200 MW SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 500 MA - npn-사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 82 @ 50MA, 5V 200MHz 1 KOHMS 10 KOHMS
2SC5865TLR Rohm Semiconductor 2SC5865TLR 0.1102
RFQ
ECAD 9261 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 2SC5865 500MW TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2SC5865MGTLR 귀 99 8541.21.0075 3,000 60 v 1 a 1µA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 180 @ 100MA, 2V 250MHz
DTA114WKAT146 Rohm Semiconductor DTA114WKAT146 0.3000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA114 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 24 @ 10MA, 5V 250MHz 10 KOHMS 4.7 Kohms
DTB113ZCHZGT116 Rohm Semiconductor DTB113ZCHZGT116 0.2700
RFQ
ECAD 5142 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTB113 200 MW SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 500 MA - pnp- 사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 56 @ 50MA, 5V 200MHz 1 KOHMS 10 KOHMS
2SB1240TV2P Rohm Semiconductor 2SB1240TV2P -
RFQ
ECAD 5266 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 3-sip 1 W. ATV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 32 v 2 a 1µA (ICBO) PNP 800mv @ 200ma, 2a 82 @ 500ma, 3v 100MHz
DTA115EU3T106 Rohm Semiconductor DTA115EU3T106 0.2000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 DTA115 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA - pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 82 @ 5MA, 5V 250MHz 100 KOHMS 100 KOHMS
2SCR586D3FRATL Rohm Semiconductor 2SCR586D3FRATL 1.9000
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 2SCR586 10 W. TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 80 v 5 a 1µA (ICBO) NPN 300mv @ 100ma, 2a 120 @ 500ma, 3v 200MHz
2SC5868TLR Rohm Semiconductor 2SC5868TLR 0.4100
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 2SC5868 500MW TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 60 v 500 MA 1µA (ICBO) NPN 300mv @ 10ma, 100ma 180 @ 50MA, 2V 300MHz
EMZ52T2R Rohm Semiconductor EMZ52T2R 0.3900
RFQ
ECAD 5646 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 EMZ52 150MW EMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 50V 100ma 100NA (ICBO) NPN, PNP 300mv @ 5ma, 50ma / 400mv @ 5ma, 50ma 120 @ 1ma, 6V 350MHz, 300MHz
DTC113ZCAHZGT116 Rohm Semiconductor DTC113ZCAHZGT116 0.2100
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC113 350 MW SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 100 MA - npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 33 @ 5MA, 5V 250MHz 1 KOHMS 10 KOHMS
R6515KNZC8 Rohm Semiconductor R6515KNZC8 -
RFQ
ECAD 9464 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 R6515 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 846-R6515KNZC8 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 15A (TC) 10V 315mohm @ 6.5a, 10V 5V @ 430µA 27.5 nc @ 10 v ± 20V 1050 pf @ 25 v - 60W (TC)
2SA1514KT146S Rohm Semiconductor 2SA1514KT146S 0.4200
RFQ
ECAD 449 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1514 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 120 v 50 MA 500NA (ICBO) PNP 500mv @ 1ma, 10ma 180 @ 2MA, 6V 140MHz
DTA114YCAT116 Rohm Semiconductor DTA114YCAT116 0.2700
RFQ
ECAD 28 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA114 200 MW SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 10 KOHMS 47 Kohms
RAF040P01TCL Rohm Semiconductor RAF040P01TCL 0.5600
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 리드 RAF040 MOSFET (금속 (() tumt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 12 v 4A (TA) 1.5V, 4.5V 30mohm @ 4a, 4.5v 1V @ 1mA 37 NC @ 4.5 v -8V 4000 pf @ 6 v - 800MW (TA)
DTA014EEBTL Rohm Semiconductor dta014eebtl 0.1900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-89, SOT-490 DTA014 150 MW EMT3F (SOT-416FL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 50 MA - pnp- 사전- 150MV @ 500µA, 5MA 35 @ 5MA, 10V 250MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
IMX17T108 Rohm Semiconductor IMX17T108 0.1807
RFQ
ECAD 8955 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 IMX17 300MW smt6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 500ma 100NA (ICBO) 2 NPN (() 600mv @ 50ma, 500ma 120 @ 100MA, 3V 250MHz
DTC144ESATP Rohm Semiconductor DTC144ESATP -
RFQ
ECAD 1784 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 SC-72 형성 2 리드 DTC144 300MW spt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 50 v 30 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 47 Kohms 47 Kohms
IMH3AT110 Rohm Semiconductor IMH3AT110 0.4200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-74, SOT-457 IMH3 300MW smt6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA (ICBO) 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 100 @ 1ma, 5V 250MHz 4.7kohms -
2SAR582D3TL1 Rohm Semiconductor 2SAR582D3TL1 1.6500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 10 W. TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 30 v 10 a 1µA (ICBO) PNP 400mv @ 200ma, 4a 200 @ 1a, 3v 230MHz
DTA115EUBTL Rohm Semiconductor dta115eubtl 0.3700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-85 DTA115 200 MW umt3f 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 82 @ 5MA, 5V 250MHz 100 KOHMS 100 KOHMS
EMB53T2R Rohm Semiconductor EMB53T2R 0.3900
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 EMB53 150MW EMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 50V 100ma 500NA (ICBO) 2 pnp 프리 p p (듀얼) 150MV @ 500µA, 5MA 100 @ 5ma, 10V 250MHz 4kohms -
RF4E080BNTR Rohm Semiconductor RF4E080BNTR 0.7400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerudfn RF4E080 MOSFET (금속 (() HUML2020L8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 8A (TA) 4.5V, 10V 17.6MOHM @ 8A, 10V 2V @ 250µA 14.5 nc @ 10 v ± 20V 660 pf @ 15 v - 2W (TA)
GNP1150TCA-ZE2 Rohm Semiconductor GNP1150TCA-ZE2 11.8400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerdfn GNP1150 Ganfet ((갈륨) DFN8080AK 다운로드 3 (168 시간) 귀 99 8541.29.0095 3,500 n 채널 650 v 11A (TC) 5V, 5.5V 195mohm @ 1.9a, 5.5v 2.4V @ 18MA 2.7 NC @ 6 v +6V, -10V 112 pf @ 400 v - 62.5W (TC)
SCT3030ARC15 Rohm Semiconductor SCT3030ARC15 26.2700
RFQ
ECAD 7655 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 SCT3030 MOSFET (금속 (() TO-247-4L 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 846-SCT3030ARC15 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 650 v 70A (TC) 18V 39mohm @ 27a, 18V 5.6v @ 13.3ma 104 NC @ 18 v +22V, -4V 1526 pf @ 500 v - 262W
RDX060N60FU6 Rohm Semiconductor RDX060N60FU6 -
RFQ
ECAD 1754 0.00000000 Rohm 반도체 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 RDX060 MOSFET (금속 (() TO-220FM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 600 v 6A (TA) 10V 1.2ohm @ 3a, 10V 4V @ 1MA 25 nc @ 10 v ± 30V 950 pf @ 25 v - 40W (TC)
2SD1781KT146Q Rohm Semiconductor 2SD1781KT146Q 0.4100
RFQ
ECAD 554 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SD1781 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 32 v 800 MA 500NA (ICBO) NPN 400mv @ 50ma, 500ma 120 @ 100MA, 3V 150MHz
2SC5585TL Rohm Semiconductor 2SC5585TL 0.4400
RFQ
ECAD 957 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 2SC5585 150 MW EMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 12 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 250mv @ 10ma, 200ma 270 @ 10MA, 2V 320MHz
DTA043EEBTL Rohm Semiconductor dta043eetl 0.1900
RFQ
ECAD 8018 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-89, SOT-490 DTA043 150 MW EMT3F (SOT-416FL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA - pnp- 사전- 150MV @ 500µA, 5MA 20 @ 5ma, 10V 250MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고