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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 최대 공급업체 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 테스트 조건 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 카드가 사라졌습니다 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
RGTVX6TS65GC11 Rohm Semiconductor RGTVX6TS65GC11 7.1000
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ECAD 319 0.00000000 로옴 - 튜브 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -40°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 RGTVX6 기준 404W TO-247N 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 400V, 80A, 10옴, 15V 트렌치 필드스톱 650V 144A 320A 1.9V @ 15V, 80A 2.65mJ(켜짐), 1.8mJ(꺼짐) 171nC 45ns/201ns
RSF015N06TL Rohm Semiconductor RSF015N06TL 0.4400
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ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 3-SMD, 플랫 리드 RSF015 MOSFET(금속) TUMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 60V 1.5A(타) 4V, 10V 290m옴 @ 1.5A, 10V 2.5V @ 1mA 2nC @ 5V ±20V 110pF @ 10V - 800mW(타)
EMF23T2R Rohm Semiconductor EMF23T2R -
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ECAD 2603 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 EMF23 150mW EMT6 - ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-EMF23T2RTR 8,000 50V 100mA, 150mA 500nA, 100nA(ICBO) NPN 1개 - 사전 바이어스됨, PNP 1개 300mV @ 500μA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA 30 @ 5mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V 250MHz, 140MHz 10k옴 10k옴
QS8J11TCR Rohm Semiconductor QS8J11TCR 0.2327
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ECAD 8818 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 8-SMD, 플랫 리드 QS8J11 MOSFET(금속) 550mW TSMT8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 2 P채널(듀얼) 12V 3.5A 43m옴 @ 3.5A, 4.5V 1V @ 1mA 22nC @ 4.5V 2600pF @ 6V 레벨 레벨 컨트롤러, 1.5V 드라이브
RSD201N10TL Rohm Semiconductor RSD201N10TL -
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ECAD 2012 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 RSD201 MOSFET(금속) CPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 100V 20A(TC) 4V, 10V 46m옴 @ 20A, 10V 2.5V @ 1mA 55nC @ 10V ±20V 2100pF @ 25V - 850mW(Ta), 20W(Tc)
BSM400D12P2G003 Rohm Semiconductor BSM400D12P2G003 2.0000
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ECAD 4 0.00000000 로옴 - 대부분 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 기준기준 BSM400 실리콘 카바이드(SiC) 2450W(Tc) 기준기준 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-BSM400D12P2G003 EAR99 8541.29.0095 4 2 N 채널(하프 다리) 1200V(1.2kV) 400A(Tc) - 4V @ 85mA - 38000pF @ 10V -
RSD220N06TL Rohm Semiconductor RSD220N06TL 0.7569
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ECAD 1168 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 RSD220 MOSFET(금속) CPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 60V 22A(타) 4V, 10V - - ±20V - 20W(타)
RW1A030APT2CR Rohm Semiconductor RW1A030APT2CR -
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ECAD 3626 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 RW1A030 MOSFET(금속) 6-WEMT 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 8,000 P채널 12V 3A(타) 1.5V, 4.5V 42m옴 @ 3A, 4.5V 1V @ 1mA 22nC @ 4.5V -8V 2700pF @ 6V - 700mW(타)
UMD9NFHATR Rohm Semiconductor UMD9NFHATR 0.4800
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ECAD 1 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMD9 150mW UMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 68 @ 5mA, 5V 250MHz 10k옴 47k옴
RSJ400N06TL Rohm Semiconductor RSJ400N06TL 2.6700
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ECAD 133 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB RSJ400 MOSFET(금속) LPTS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 60V 40A(타) 10V 16m옴 @ 40A, 10V 3V @ 1mA 52nC @ 10V ±20V 10V에서 2400pF - 50W(Tc)
RCX300N20 Rohm Semiconductor RCX300N20 1.9000
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ECAD 305 0.00000000 로옴 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 RCX300 MOSFET(금속) TO-220FM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 500 N채널 200V 30A(Tc) 10V 80m옴 @ 15A, 10V 5V @ 1mA 60nC @ 10V ±30V 3200pF @ 25V - 2.23W(Ta), 40W(Tc)
QSZ4TR Rohm Semiconductor QSZ4TR 0.2459
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ECAD 9660 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-5 플라이, TSOT-23-5 QSZ4 500mW TSMT5 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 30V 2A 100nA(ICBO) NPN, PNP(이미터) 370mV @ 75mA, 1.5A 270 @ 200mA, 2V 280MHz
RD3P01BATTL1 Rohm Semiconductor RD3P01BATTL1 1.2400
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ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 RD3P01 MOSFET(금속) TO-252 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,500 P채널 100V 10A(타) 6V, 10V 240m옴 @ 5A, 10V 4V @ 1mA 19.4nC @ 10V ±20V 50V에서 660pF - 25W(타)
2SCR375P5T100Q Rohm Semiconductor 2SCR375P5T100Q 0.6600
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ECAD 1 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 2SCR375 500mW MPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 1,000 120V 1.5A 1μA(ICBO) NPN 300mV @ 80mA, 800mA 120 @ 200mA, 5V 200MHz
UMF8NTR Rohm Semiconductor UMF8NTR 0.1329
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ECAD 1047 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMF8 150mW UMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 50V, 15V 100mA, 500mA 500nA NPN 사전 바이어스 1개, NPN 1개 300mV @ 500μA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V 250MHz 47k옴 47k옴
RTQ040P02TR Rohm Semiconductor RTQ040P02TR 0.2649
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ECAD 3848 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 RTQ040 MOSFET(금속) TSMT6 (SC-95) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 20V 4A(타) 2.5V, 4.5V 50m옴 @ 4A, 4.5V 2V @ 1mA 12.2nC @ 4.5V ±12V 1350pF @ 10V - 1.25W(타)
UMB10NTN Rohm Semiconductor UMB10NTN 0.4700
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ECAD 3 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMB10 150mW UMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2k옴 47k옴
RD3L050SNFRATL Rohm Semiconductor RD3L050SNFRATL 1.6800
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ECAD 2 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 RD3L050 MOSFET(금속) TO-252 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 60V 5A(타) 4V, 10V 109m옴 @ 5A, 10V 3V @ 1mA 8nC @ 10V ±20V 10V에서 290pF - 15W(타)
DTD143EKT146 Rohm Semiconductor DTD143EKT146 0.4300
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ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTD143 200mW SMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 500mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 300mV @ 2.5mA, 50mA 47 @ 50mA, 5V 200MHz 4.7kΩ 4.7kΩ
RQ5E040TNTL Rohm Semiconductor RQ5E040TNTL 0.6400
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ECAD 3 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-96 RQ5E040 MOSFET(금속) TSMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 30V 4A(타) 2.5V, 4.5V 48m옴 @ 4A, 4.5V 1.5V @ 1mA 8.3nC @ 4.5V ±12V 10V에서 475pF - 700mW(타)
RSY200N05TL Rohm Semiconductor RSY200N05TL -
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ECAD 7210 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 3-SMD, 플랫 리드 RSY200 MOSFET(금속) TCPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 45V 20A(타) 4.5V, 10V - - ±20V - 20W(타)
DTC043TEBTL Rohm Semiconductor DTC043TEBTL 0.1900
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ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-89, SOT-490 DTC043 150mW EMT3F (SOT-416FL) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 500μA에서 150mV, 5mA 100 @ 5mA, 10V 250MHz 4.7kΩ
QSL10TR Rohm Semiconductor QSL10TR -
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ECAD 7206 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-5 플라이, TSOT-23-5 QSL10 900mW TSMT5 - ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-QSL10TR 3,000 12V 1.5A 100nA(ICBO) NPN 1.2V @ 375mA, 3A 270 @ 200mA, 2V
SP8M10FRATB Rohm Semiconductor SP8M10FRATB 1.7000
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ECAD 1 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) SP8M10 MOSFET(금속) 2W(타) 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N 및 P 채널 30V 7A(타), 4.5A(타) 25m옴 @ 7A, 10V, 56m옴 @ 4.5A, 10V 2.5V @ 1mA 8.4nC @ 5V, 8.5nC @ 5V 600pF @ 10V, 850pF @ 10V 레벨 레벨 컨트롤러, 4V 구동
2SA2071T100Q Rohm Semiconductor 2SA2071T100Q 0.7500
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ECAD 120 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 2SA2071 2W MPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 1,000 60V 3A 1μA(ICBO) PNP 500mV @ 200mA, 2A 120 @ 100mA, 2V 180MHz
DTA043ZEBTL Rohm Semiconductor DTA043ZEBTL 0.1900
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ECAD 17 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-89, SOT-490 DTA043 150mW EMT3F (SOT-416FL) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA - PNP - 사전 바이어스됨 500μA에서 150mV, 5mA 80 @ 5mA, 10V 250MHz 4.7kΩ 47kΩ
DTA113ZKAT146 Rohm Semiconductor DTA113ZKAT146 0.2700
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ECAD 11 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA113 200mW SMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 33 @ 5mA, 5V 250MHz 1kΩ 10kΩ
DTC114YE3TL Rohm Semiconductor DTC114YE3TL 0.3600
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ECAD 3 0.00000000 로옴 DTA144E 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 DTC114 150mW EMT3 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스 + 의무 500μA, 10mA에서 300mV 68 @ 5mA, 5V 250MHz 47kΩ 47kΩ
RRR030P03TL Rohm Semiconductor RRR030P03TL 0.6000
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ECAD 10 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 SC-96 RRR030 MOSFET(금속) TSMT3 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 30V 3A(타) 4V, 10V 75m옴 @ 3A, 10V 2.5V @ 1mA 5.2nC @ 5V ±20V 10V에서 480pF - 1W(타)
SP8M24FRATB Rohm Semiconductor SP8M24FRATB 1.8100
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ECAD 2 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) SP8M24 MOSFET(금속) 2W 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N 및 P 채널 45V 4.5A(타), 3.5A(타) 46m옴 @ 4.5A, 10V, 63m옴 @ 3.5A, 10V 2.5V @ 1mA 9.6nC @ 5V, 18.2nC @ 5V 550pF @ 10V, 1700pF @ 10V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고