SIC
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트랜지스터 (3592)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
SCT2080KEC Rohm Semiconductor SCT2080KEC -
RFQ
 ECAD 8743 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 쓸모없는 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SCT2080 sicfet ((카바이드) TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 SCT2080KECU 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 40A (TC) 18V 117mohm @ 10a, 18V 4V @ 4.4ma 106 NC @ 18 v +22V, -6V 2080 pf @ 800 v - 262W (TC)
DTC115EETL Rohm Semiconductor dtc115eetl 0.3500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTC115 150 MW EMT3 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 20 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 82 @ 5MA, 5V 250MHz 100 KOHMS 100 KOHMS
SCT4062KRC15 Rohm Semiconductor SCT4062KRC15 15.1000
RFQ
 ECAD 5435 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 SCT4062 sicfet ((카바이드) TO-247-4L 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-SCT4062KRC15 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 1200 v 26A (TC) 18V 81mohm @ 12a, 18V 4.8V @ 6.45MA 64 NC @ 18 v +21V, -4V 1498 pf @ 800 v - 115W
IMT2AT108 Rohm Semiconductor IMT2AT108 0.5100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 IMT2 300MW smt6 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 150ma 100NA (ICBO) 2 PNP (() 500mv @ 5ma, 50ma 120 @ 1ma, 6V 140MHz
R6015KNXC7G Rohm Semiconductor R6015KNXC7G 3.8300
RFQ
 ECAD 989 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 R6015 MOSFET (금속 (() TO-220FM 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-R6015KNXC7G 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 15A (TC) 10V 290mohm @ 6.5a, 10V 5V @ 1MA 27.5 nc @ 10 v ± 20V 1050 pf @ 25 v - 60W (TC)
SCT2120AFC Rohm Semiconductor SCT2120AFC -
RFQ
 ECAD 9122 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 쓸모없는 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SCT2120 sicfet ((카바이드) TO-220AB 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SCT2120AFCU 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 29A (TC) 18V 156mohm @ 10a, 18V 4V @ 3.3ma 61 NC @ 18 v +22V, -6V 1200 pf @ 500 v - 165W (TC)
2SB1308T100R Rohm Semiconductor 2SB1308T100R 0.3901
RFQ
 ECAD 2594 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SB1308 2 w MPT3 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 20 v 3 a 500NA (ICBO) PNP 450MV @ 150MA, 1.5A 180 @ 500ma, 2V 120MHz
UT6KB5TCR Rohm Semiconductor UT6KB5TCR 0.9200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-powerudfn UT6KB5 MOSFET (금속 (() 2W (TA) HUML2020L8 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 40V 5A (TA) 48mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 1mA 3.5NC @ 10V 150pf @ 20V -
R6504KNJTL Rohm Semiconductor R6504KNJTL 2.3800
RFQ
 ECAD 76 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB R6504 MOSFET (금속 (() lpt 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 4A (TC) 10V 1.05ohm @ 1.5a, 10V 5V @ 130µA 10 nc @ 10 v ± 20V 270 pf @ 25 v - 58W (TC)
RXT2222AT100 Rohm Semiconductor RXT2222AT100 0.2374
RFQ
 ECAD 4232 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & t (TB) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA RXT2222 500MW MPT3 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 40 v 600 MA 100NA (ICBO) NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 300MHz
2SD1857TV2P Rohm Semiconductor 2SD1857TV2P -
RFQ
 ECAD 6796 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 3-sip 2SD1857 1 W. ATV 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 120 v 2 a 1µA (ICBO) NPN 2V @ 100MA, 1A 82 @ 100MA, 5V 80MHz
SP8M4FRATB Rohm Semiconductor SP8M4FRATB 2.6300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SP8M4 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 30V 9A (TA), 7A (TA) 18mohm @ 9a, 10v, 28mohm @ 7a, 10v 2.5V @ 1mA 15nc @ 5v, 25nc @ 5v 1190pf @ 10V, 2600pf @ 10V -
QS8J1TR Rohm Semiconductor qs8j1tr 1.1600
RFQ
 ECAD 208 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 QS8J1 MOSFET (금속 (() 1.5W TSMT8 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 12V 4.5A 29mohm @ 4.5a, 4.5v 1V @ 1mA 31nc @ 4.5v 2450pf @ 6v 논리 논리 게이트
2SCR582D3TL1 Rohm Semiconductor 2SCR582D3TL1 1.5300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 10 W. TO-252 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 30 v 10 a 1µA (ICBO) NPN 350mv @ 200ma, 4a 200 @ 1a, 3v 250MHz
RGT30NS65DGC9 Rohm Semiconductor RGT30NS65DGC9 2.9000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA RGT30 기준 133 w TO-262 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 400V, 15a, 10ohm, 15V 55 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 30 a 45 a 2.1V @ 15V, 15a - 32 NC 18ns/64ns
2SD2226KT146V Rohm Semiconductor 2SD2226KT146V 0.4400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SD2226 200 MW smt3 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 150 MA 300NA (ICBO) NPN 300mv @ 5ma, 50ma 820 @ 1ma, 5V 250MHz
RGT50TS65DGC13 Rohm Semiconductor RGT50TS65DGC13 9.8900
RFQ
 ECAD 4660 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 RGT50 기준 174 w TO-247G 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RGT50TS65DGC13 귀 99 8541.29.0095 600 400V, 25A, 10ohm, 15V 58 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 48 a 75 a 2.1V @ 15V, 25A - 49 NC 27ns/88ns
2SK2299N Rohm Semiconductor 2SK2299N -
RFQ
 ECAD 7702 0.00000000 Rohm 반도체 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 2SK2299 MOSFET (금속 (() TO-220FN 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 450 v 7A (TA) 10V 1.1ohm @ 4a, 10V 4V @ 1MA ± 30V 870 pf @ 10 v - 30W (TC)
RQ5E035ATTCL Rohm Semiconductor RQ5E035ATTCL 0.4100
RFQ
 ECAD 103 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 RQ5E035 MOSFET (금속 (() TSMT3 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 3.5A (TA) 4.5V, 10V 50mohm @ 3.5a, 10V 2.5V @ 1mA 10 nc @ 10 v ± 20V 475 pf @ 15 v - 1W (TA)
R6015ENZC17 Rohm Semiconductor R6015ENZC17 4.9800
RFQ
 ECAD 294 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 R6015 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-R6015ENZC17 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 15A (TC) 10V 290mohm @ 6.5a, 10V 4V @ 1MA 40 nc @ 10 v ± 20V 910 pf @ 25 v - 120W (TC)
RSS125N03TB Rohm Semiconductor RSS125N03TB -
RFQ
 ECAD 1308 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RSS125 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 12.5A (TA) 4V, 10V 8.9mohm @ 12.5a, 10V 2.5V @ 1mA 28 NC @ 5 v 20V 1670 pf @ 10 v - 2W (TA)
RQ3G150GNTB Rohm Semiconductor RQ3G150GNTB 1.2900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn RQ3G150 MOSFET (금속 (() 8-HSMT (3.2x3) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 39A (TC) 10V 7.2mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 1mA 11.6 NC @ 4.5 v ± 20V 1450 pf @ 20 v - 20W (TC)
R6006KNXC7G Rohm Semiconductor R6006KNXC7G 2.7400
RFQ
 ECAD 987 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 R6006 MOSFET (금속 (() TO-220FM 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-R6006KNXC7G 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 6A (TA) 10V 830mohm @ 3a, 10V 5.5V @ 1mA 12 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 40W (TC)
RSS070P05FRATB Rohm Semiconductor RSS070P05FRATB 1.2346
RFQ
 ECAD 9502 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RSS070 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 45 v 7A (TA) 4V, 10V 27mohm @ 7a, 10V 2.5V @ 1mA 47.6 NC @ 5 v ± 20V 4100 pf @ 10 v - 2W (TA)
RD3P130SPTL1 Rohm Semiconductor RD3P130SPTL1 1.8900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RD3P130 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 100 v 13A (TA) 4V, 10V 200mohm @ 6.5a, 10V 2.5V @ 1mA 40 nc @ 10 v ± 20V 2400 pf @ 25 v - 20W (TC)
DTD743EETL Rohm Semiconductor dtd743eetl 0.4700
RFQ
 ECAD 371 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTD743 150 MW EMT3 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 200 MA 500NA npn-사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 115 @ 100MA, 2V 260MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
RUL035N02TR Rohm Semiconductor rul035n02tr 0.6300
RFQ
 ECAD 696 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 RUL035 MOSFET (금속 (() Tumt6 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 3.5A (TA) 1.5V, 4.5V 43mohm @ 3.5a, 4.5v 1V @ 1mA 5.7 NC @ 4.5 v ± 10V 460 pf @ 10 v - 320MW (TA)
DTC114EUBTL Rohm Semiconductor dtc114eubtl 0.2000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-85 DTC114 200 MW umt3f 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 50 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 250MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
DTC123JMT2L Rohm Semiconductor DTC123JMT2L 0.3300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 DTC123 150 MW VMT3 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
R6024ENZ4C13 Rohm Semiconductor R6024ENZ4C13 -
RFQ
 ECAD 7145 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-247-3 R6024 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 846-R6024ENZ4C13 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 24A (TC) 10V, 15V 165mohm @ 24a, 15V - 70 nc @ 15 v ± 20V - 245W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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