SIC
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트랜지스터 (3592)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
2SK2503TL Rohm Semiconductor 2SK2503TL -
RFQ
 ECAD 7070 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 2SK2503 MOSFET (금속 (() CPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 5A (TA) 4V, 10V 135mohm @ 2.5a, 10V 2.5V @ 1mA ± 20V 520 pf @ 10 v - 20W (TC)
DTA014EMT2L Rohm Semiconductor DTA014EMT2L 0.2400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 DTA014 150 MW VMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 50 v 50 MA - pnp- 사전- 150MV @ 500µA, 5MA 35 @ 5MA, 10V 250MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
2SC4617EBTLS Rohm Semiconductor 2SC4617EBTLS 0.2600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-89, SOT-490 2SC4617 150 MW EMT3F (SOT-416FL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 50ma 120 @ 1ma, 6V 180MHz
QS6K1TR Rohm Semiconductor qs6k1tr 0.6800
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 QS6K1 MOSFET (금속 (() 1.25W TSMT6 (SC-95) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 1A 238mohm @ 1a, 4.5v 1.5V @ 1mA 2.4NC @ 4.5V 77pf @ 10V 논리 논리 게이트
QST3TR Rohm Semiconductor qst3tr 0.2767
RFQ
 ECAD 8890 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 QST3 1.25 w TSMT6 (SC-95) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 30 v 5 a 100NA (ICBO) PNP 250mv @ 40ma, 2a 270 @ 500ma, 2V 200MHz
SP8K3TB Rohm Semiconductor SP8K3TB -
RFQ
 ECAD 4980 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SP8K3 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 7a 24mohm @ 7a, 10V 2.5V @ 1mA 11.8NC @ 5V 600pf @ 10V 논리 논리 게이트
RGT80TS65DGC13 Rohm Semiconductor RGT80TS65DGC13 11.3500
RFQ
 ECAD 9416 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 RGT80 기준 234 W. TO-247G 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RGT80TS65DGC13 귀 99 8541.29.0095 600 400V, 40A, 10ohm, 15V 236 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 70 a 120 a 2.1V @ 15V, 40A - 79 NC 34ns/119ns
BSM080D12P2C008 Rohm Semiconductor BSM080D12P2C008 382.4800
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Rohm 반도체 - 쟁반 활동적인 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 BSM080 실리콘 실리콘 (sic) 600W 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 12 2 n 채널 (채널) 1200V (1.2kv) 80A (TC) - 4V @ 13.2ma - 800pf @ 10V -
DTA043XEBTL Rohm Semiconductor DTA043XEBTL 0.2300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-89, SOT-490 DTA043 150 MW EMT3F (SOT-416FL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 150MV @ 500µA, 5MA 35 @ 5MA, 10V 250MHz 4.7 Kohms 10 KOHMS
2SC5826TV2Q Rohm Semiconductor 2SC5826TV2Q -
RFQ
 ECAD 9250 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 3-sip 1 W. ATV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 60 v 3 a 1µA (ICBO) NPN 500mv @ 200ma, 2a 120 @ 100MA, 2V 200MHz
DTA123YEFRATL Rohm Semiconductor dta123yefratl 0.3800
RFQ
 ECAD 969 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTA123 150 MW EMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 33 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2 Kohms 10 KOHMS
RSJ650N10TL Rohm Semiconductor RSJ650N10TL 6.3200
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RSJ650 MOSFET (금속 (() lpt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 65A (TA) 4V, 10V 9.1MOHM @ 32.5A, 10V 2.5V @ 1mA 260 NC @ 10 v ± 20V 10780 pf @ 25 v - 100W (TC)
RJU002N06T106 Rohm Semiconductor RJU002N06T106 0.4800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 RJU002 MOSFET (금속 (() UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 200MA (TA) 2.5V, 4.5V 2.3ohm @ 200ma, 4.5v 1.5V @ 1mA ± 12V 18 pf @ 10 v - 200MW (TA)
RSS085N05FU6TB Rohm Semiconductor RSS085N05FU6TB -
RFQ
 ECAD 3415 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RSS085 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 45 v 8.5A (TA) 4V, 10V 18mohm @ 8.5a, 10V - 21.4 NC @ 5 v 20V 1500 pf @ 10 v - 2W (TA)
DTC143ZKAT246 Rohm Semiconductor DTC143ZKAT246 -
RFQ
 ECAD 1786 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC143 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
2SAR514RHZGTL Rohm Semiconductor 2SAR514RHZGTL 0.8700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 500MW TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 80 v 700 MA 1µA (ICBO) PNP 400mv @ 15ma, 300ma 120 @ 100MA, 3V 380MHz
DTA124XUAT106 Rohm Semiconductor DTA124XUAT106 -
RFQ
 ECAD 6083 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-70, SOT-323 DTA124 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 50 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 22 KOHMS 47 Kohms
IMH8AT108 Rohm Semiconductor IMH8AT108 0.5000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-74, SOT-457 IMH8 300MW smt6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma - 2 npn--바이어스 (듀얼) 300mv @ 1ma, 10ma 100 @ 1ma, 5V 250MHz 10kohms -
RD3U080AAFRATL Rohm Semiconductor rd3u080aafratl 2.1600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RD3U080 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 250 v 8A (TC) 10V 300mohm @ 4a, 10V 5V @ 1MA 25 nc @ 10 v ± 30V 1440 pf @ 25 v - 85W (TC)
RRQ020P03TCR Rohm Semiconductor RRQ020P03TCR 0.4100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 RRQ020 MOSFET (금속 (() TSMT6 (SC-95) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 2A (TA) 4V, 10V 160mohm @ 2a, 10V 2.5V @ 1mA 3.2 NC @ 5 v ± 20V 230 pf @ 10 v - 1.25W (TA)
2SC2389STPE Rohm Semiconductor 2SC2389STPE -
RFQ
 ECAD 8936 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 SC-72 형성 2 리드 2SC2389 300MW spt - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 846-2SC2389Stpetr 5,000 120 v 50 MA 500NA (ICBO) NPN 200mv @ 25ma, 500ma 270 @ 200MA, 2V
RSS130N03HZGTB Rohm Semiconductor RSS130N03HZGTB 2.1200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RSS130 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 13A (TA) 4V, 10V 8.3mohm @ 13a, 10V 2.5V @ 1mA 35 NC @ 5 v ± 20V 2000 pf @ 10 v - 2W (TA)
RRL025P03FRATR Rohm Semiconductor RRL025P03FRATR 0.4900
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 RRL025 MOSFET (금속 (() Tumt6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 2.5A (TA) 4V, 10V 75mohm @ 2.5a, 10V 2.5V @ 1mA 12 nc @ 10 v ± 20V 480 pf @ 10 v - 1W (TA)
2SAR586JGTLL Rohm Semiconductor 2SAR586JGTLL 1.8700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 40 W. lptl 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 80 v 5 a 1µA (ICBO) PNP 320mv @ 100ma, 2a 120 @ 500ma, 3v 200MHz
2SB1732TL Rohm Semiconductor 2SB1732TL 0.4200
RFQ
 ECAD 9471 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 리드 2SB1732 400MW tumt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 12 v 1.5 a 100NA (ICBO) PNP 200mv @ 25ma, 500ma 270 @ 200MA, 2V 400MHz
2SD2653TL Rohm Semiconductor 2SD2653TL 0.2317
RFQ
 ECAD 2969 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 2SD2653 500MW TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 12 v 2 a 100NA (ICBO) NPN 180mv @ 50ma, 1a 270 @ 200MA, 2V 360MHz
QSH29TR Rohm Semiconductor qsh29tr 0.9000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 QSH29 1.25W TSMT6 (SC-95) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 70V 500ma 500NA (ICBO) 2 npn--바이어스 (듀얼) 300mv @ 1ma, 100ma 500 @ 200ma, 5V - 10kohms -
DTC114EEFRATL Rohm Semiconductor dtc114eefratl 0.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTC114 150 MW EMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 50 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500NA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 250MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
EMY1T2R Rohm Semiconductor emy1t2r 0.1084
RFQ
 ECAD 3410 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD (5 d), 플랫 리드 EMY1T2 150MW EMT5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 50V 150ma 100NA (ICBO) NPN, PNP (이미 터 결합 결합) 400mv @ 5ma, 50ma / 500mv @ 5ma, 50ma 120 @ 1ma, 6V 180MHz, 140MHz
BC846BHZGT116 Rohm Semiconductor BC846BHZGT116 0.3500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC846 200 MW SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 65 v 120 MA 15NA (ICBO) 400mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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