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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
R6015KNZC17 Rohm Semiconductor R6015KNZC17 4.9800
RFQ
ECAD 300 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 R6015 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-R6015KNZC17 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 15A (TC) 10V 290mohm @ 6.5a, 10V 5V @ 1MA 27.5 nc @ 10 v ± 20V 1050 pf @ 25 v - 60W (TC)
US5U3TR Rohm Semiconductor US5U3TR 0.6500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD (5 d), 플랫 리드 US5U3 MOSFET (금속 (() Tumt5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 1.5A (TA) 2.5V, 4.5V 240mohm @ 1.5a, 4.5v 1.5V @ 1mA 2.2 NC @ 4.5 v 12V 80 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 1W (TA)
RSJ151P10TL Rohm Semiconductor RSJ151P10TL 1.5500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RSJ151 MOSFET (금속 (() lpt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 100 v 15A (TC) 4V, 10V 120mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 1mA 64 NC @ 10 v ± 20V 3800 pf @ 25 v - 1.35W (TA), 50W (TC)
QS6K21TR Rohm Semiconductor qs6k21tr 0.6200
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 QS6K21 MOSFET (금속 (() 1.25W TSMT6 (SC-95) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 45V 1A - 1.5V @ 1mA - - -
R6022YNX3C16 Rohm Semiconductor R6022YNX3C16 3.0400
RFQ
ECAD 1970 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 846-R6022YNX3C16 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 22A (TC) 10V, 12V 165mohm @ 6.5a, 12v 6V @ 1.8mA 33 NC @ 10 v ± 30V 1400 pf @ 100 v - 205W (TC)
RQ1E070RPHZGTR Rohm Semiconductor RQ1E070RPHZGTR 0.5800
RFQ
ECAD 9534 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 8-smd,, 리드 TSMT8 - 1 (무제한) 3,000
R6047ENZ1C9 Rohm Semiconductor R6047ENZ1C9 -
RFQ
ECAD 8252 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 600 v 47A (TC) 10V 72mohm @ 25.8a, 10V 4V @ 1MA 145 NC @ 10 v ± 20V 3850 pf @ 25 v - 120W (TC)
RK7002BMHZGT116 Rohm Semiconductor RK7002BMHZGT116 0.2400
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RK7002 MOSFET (금속 (() SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 250MA (TA) 2.5V, 10V 2.4ohm @ 250ma, 10V 2.3v @ 1ma ± 20V 15 pf @ 25 v - 350MW (TA)
2SCR574D3FRATL Rohm Semiconductor 2SCR574D3FRATL 1.7000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 2SCR574 10 W. TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 80 v 2 a 1µA (ICBO) NPN 300mv @ 50ma, 1a 120 @ 100MA, 3V 280MHz
EMD5T2R Rohm Semiconductor EMD5T2R 0.1084
RFQ
ECAD 3535 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 EMD5T2 150MW EMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 50V 100ma 500NA 1 pnp 사전 p, 1 npn 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5ma, 5V / 30 @ 10MA, 5V 250MHz 47kohms, 4.7kohms 47kohms, 10kohms
RTR020P02TL Rohm Semiconductor RTR020P02TL 0.6900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 RTR020 MOSFET (금속 (() TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 2A (TA) 2.5V, 4.5V 135mohm @ 2a, 4.5v 2V @ 1mA 4.9 NC @ 4.5 v ± 12V 430 pf @ 10 v - 1W (TA)
SP8K32HZGTB Rohm Semiconductor SP8K32HZGTB 1.7300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SP8K32 MOSFET (금속 (() 2W (TA) 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 60V 4.5A (TA) 65mohm @ 4.5a, 10V 2.5V @ 1mA 10nc @ 5v 500pf @ 10V -
RQ5E015RPTL Rohm Semiconductor rq5e015rptl 0.5000
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 RQ5E015 MOSFET (금속 (() TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 1.5A (TA) 4V, 10V 160mohm @ 1.5a, 10V 2.5V @ 1mA 3.2 NC @ 5 v ± 20V 230 pf @ 10 v - 700MW (TA)
2SAR375P5T100R Rohm Semiconductor 2SAR375P5T100R 0.6600
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SAR375 500MW MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 120 v 1.5 a 1µA (ICBO) PNP 320mv @ 80ma, 800ma 120 @ 200ma, 5V 280MHz
SP8K3FU6TB Rohm Semiconductor SP8K3FU6TB -
RFQ
ECAD 1237 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SP8K3 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 7a 24mohm @ 7a, 10V 2.5V @ 1mA 11.8NC @ 5V 600pf @ 10V 논리 논리 게이트
DTC143ZU3T106 Rohm Semiconductor DTC143ZU3T106 0.2000
RFQ
ECAD 25 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 DTC143 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 100 MA - npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
DTC115TUAT106 Rohm Semiconductor DTC115TUAT106 0.0463
RFQ
ECAD 1472 0.00000000 Rohm 반도체 DTC115T 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 DTC115 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 300mv @ 100µa, 1ma 100 @ 1ma, 5V 250MHz 100 KOHMS
RSS070N05FU6TB Rohm Semiconductor RSS070N05FU6TB -
RFQ
ECAD 6236 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RSS070 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 45 v 7A (TA) 4V, 10V 25mohm @ 7a, 10V - 16.8 nc @ 5 v 20V 1000 pf @ 10 v - 2W (TA)
RGW80TK65DGVC11 Rohm Semiconductor RGW80TK65DGVC11 6.5700
RFQ
ECAD 440 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 To-3pfm, SC-93-3 RGW80 기준 81 w to-3pfm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 40A, 10ohm, 15V 92 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 39 a 160 a 1.9V @ 15V, 40A 760µJ (on), 720µJ (OFF) 110 NC 44ns/143ns
DTC123ECAT116 Rohm Semiconductor DTC123ECAT116 0.3900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC123 200 MW SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 20 @ 20ma, 5V 250MHz 2.2 Kohms 2.2 Kohms
R6007ENXC7G Rohm Semiconductor R6007ENXC7G 2.9400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 R6007 MOSFET (금속 (() TO-220FM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-R6007ENXC7G 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 7A (TA) 10V 620mohm @ 2.4a, 10V 4V @ 1MA 20 nc @ 10 v ± 20V 390 pf @ 25 v - 46W (TC)
DTC124XETL Rohm Semiconductor DTC124XETL 0.3600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTC124 150 MW EMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 50 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 22 KOHMS 47 Kohms
2SCRC41CHZGT116R Rohm Semiconductor 2SCRC41CHZGT116R 0.5300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SCRC41 200 MW SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 120 v 50 MA 500NA (ICBO) NPN 500mv @ 1ma, 10ma 180 @ 2MA, 6V 140MHz
DTA144GKAT146 Rohm Semiconductor DTA144GKAT146 0.0561
RFQ
ECAD 1686 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA144 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 47 Kohms
2SC4102U3T106S Rohm Semiconductor 2SC4102U3T106S 0.4900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA 2SC4102 1.2 w SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 60 v 50 MA 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 600ma, 6a 150 @ 500ma, 2V 100MHz
FML10T148 Rohm Semiconductor FML10T148 0.2120
RFQ
ECAD 8228 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 FML10 200 MW SMT5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 12 v 1.5 a 100NA (ICBO) NPN + 다이오드 (분리) 200mv @ 25ma, 500ma 270 @ 200MA, 2V 400MHz
SCT3080AW7TL Rohm Semiconductor sct3080aw7tl 14.5200
RFQ
ECAD 925 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA SCT3080 sicfet ((카바이드) TO-263-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 29A (TC) 10A, 10A, 18V 5.6V @ 5MA 48 NC @ 18 v +22V, -4V 571 pf @ 500 v - 125W
UMD22NFHATR Rohm Semiconductor umd22nfhatr 0.4800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMD22 150MW UMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7kohms 47kohms
RGPR20NL43HRTL Rohm Semiconductor RGPR20NL43HRTL 2.8100
RFQ
ECAD 3244 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RGPR20 기준 107 w TO-263L - 1 (무제한) 1,000 300V, 8A, 100ohm, 5V - 460 v 20 a 2V @ 5V, 10A - 14 NC 170ns/1.3µs
DTC113ZKAT146 Rohm Semiconductor DTC113ZKAT146 0.2600
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC113 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 33 @ 5MA, 5V 250MHz 1 KOHMS 10 KOHMS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고