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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
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R6015KNZC17 | 4.9800 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3 p 팩 | R6015 | MOSFET (금속 (() | to-3pf | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 846-R6015KNZC17 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 600 v | 15A (TC) | 10V | 290mohm @ 6.5a, 10V | 5V @ 1MA | 27.5 nc @ 10 v | ± 20V | 1050 pf @ 25 v | - | 60W (TC) | ||||||||||||||||||||||
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![]() | qs6k21tr | 0.6200 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | QS6K21 | MOSFET (금속 (() | 1.25W | TSMT6 (SC-95) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 45V | 1A | - | 1.5V @ 1mA | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||
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![]() | R6047ENZ1C9 | - | ![]() | 8252 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | MOSFET (금속 (() | TO-247 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 450 | n 채널 | 600 v | 47A (TC) | 10V | 72mohm @ 25.8a, 10V | 4V @ 1MA | 145 NC @ 10 v | ± 20V | 3850 pf @ 25 v | - | 120W (TC) | |||||||||||||||||||||||
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![]() | EMD5T2R | 0.1084 | ![]() | 3535 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | EMD5T2 | 150MW | EMT6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50V | 100ma | 500NA | 1 pnp 사전 p, 1 npn | 300MV @ 500µA, 10MA | 68 @ 5ma, 5V / 30 @ 10MA, 5V | 250MHz | 47kohms, 4.7kohms | 47kohms, 10kohms | |||||||||||||||||||||||||
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SP8K3FU6TB | - | ![]() | 1237 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SP8K3 | MOSFET (금속 (() | 2W | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 7a | 24mohm @ 7a, 10V | 2.5V @ 1mA | 11.8NC @ 5V | 600pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||||||||||||
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![]() | umd22nfhatr | 0.4800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | UMD22 | 150MW | UMT6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100ma | 500NA | 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) | 300MV @ 250µA, 5MA | 80 @ 10ma, 5V | 250MHz | 4.7kohms | 47kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RGPR20NL43HRTL | 2.8100 | ![]() | 3244 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | RGPR20 | 기준 | 107 w | TO-263L | - | 1 (무제한) | 1,000 | 300V, 8A, 100ohm, 5V | - | 460 v | 20 a | 2V @ 5V, 10A | - | 14 NC | 170ns/1.3µs | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC113ZKAT146 | 0.2600 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DTC113 | 200 MW | smt3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 500NA | npn-사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 33 @ 5MA, 5V | 250MHz | 1 KOHMS | 10 KOHMS |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
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