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트랜지스터 (3592)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
2SARA41CHZGT116S Rohm Semiconductor 2SARA41CHZGT116S 0.5000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 2SARA41 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 120 v 50 MA 500NA (ICBO) PNP 500mv @ 1ma, 10ma 180 @ 2MA, 6V 140MHz
2SCRC41CT116R Rohm Semiconductor 2SCRC41CT116R 0.4100
RFQ
 ECAD 768 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SCRC41 200 MW SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 120 v 50 MA 500NA (ICBO) NPN 500mv @ 1ma, 10ma 180 @ 2MA, 6V 140MHz
RS6N120BHTB1 Rohm Semiconductor RS6N120BHTB1 2.9700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn RS6N120 MOSFET (금속 (() 8 시간 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 80 v 135A (TA), 120A (TC) 6V, 10V 4.9mohm @ 60a, 6V 4V @ 1MA 53 NC @ 10 v ± 20V 3420 pf @ 40 v - 3W (TA), 104W (TC)
R6030KNXC7 Rohm Semiconductor R6030KNXC7 4.2600
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 R6030 MOSFET (금속 (() TO-220FM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 30A (TC) 10V 130mohm @ 14.5a, 10V 5V @ 1MA 56 NC @ 10 v ± 20V 2350 pf @ 25 v - 86W (TC)
DTA115EE3TL Rohm Semiconductor dta115ee3tl 0.3700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 DTA114Y 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTA115 150 MW EMT3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) pnp- 사전- + 다이오드 300MV @ 250µA, 5MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 10 KOHMS 47 Kohms
RGTV60TK65GVC11 Rohm Semiconductor RGTV60TK65GVC11 5.9100
RFQ
 ECAD 436 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 To-3pfm, SC-93-3 RGTV60 기준 76 w to-3pfm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 30A, 10ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 650 v 33 a 120 a 1.9V @ 15V, 30A 570µJ (on), 500µJ (OFF) 64 NC 33ns/105ns
RF4P060BGTCR Rohm Semiconductor RF4P060BGTCR 0.9300
RFQ
 ECAD 9999 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerudfn RF4P060 MOSFET (금속 (() DFN2020-8S 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 6A (TA) 4.5V, 10V 53mohm @ 6a, 10V 2.5V @ 1mA 6.7 NC @ 10 v ± 20V 305 pf @ 50 v - 2W (TA)
RAL035P01TCR Rohm Semiconductor RAL035P01TCR 0.5300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 RAL035 MOSFET (금속 (() Tumt6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 3.5A (TA) 1.5V, 4.5V 42mohm @ 3.5a, 4.5v 1V @ 1mA 22 nc @ 4.5 v -8V 2700 pf @ 6 v - 1W (TA)
RQ6A045ZPTR Rohm Semiconductor rq6a045zptr 0.8100
RFQ
 ECAD 4416 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 RQ6A045 MOSFET (금속 (() TSMT6 (SC-95) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 12 v 4.5A (TA) 1.5V, 4.5V 35mohm @ 4.5a, 4.5v 1V @ 1mA 31 NC @ 4.5 v ± 10V 2450 pf @ 6 v - 950MW (TA)
ES6U41FU7T2CR Rohm Semiconductor es6u41fu7t2cr -
RFQ
 ECAD 6725 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 846-es6u41fu7t2crtr 쓸모없는 8,000
DTC024XEBTL Rohm Semiconductor DTC024XEBTL 0.3900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-89, SOT-490 DTC024 150 MW EMT3F (SOT-416FL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 150MV @ 500µA, 5MA 80 @ 5ma, 10V 250MHz 22 KOHMS 47 Kohms
SCT2450KEHRC11 Rohm Semiconductor SCT2450KEHRC11 12.0300
RFQ
 ECAD 8108 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SCT2450 sicfet ((카바이드) TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-SCT2450KEHRC11 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 1200 v 10A (TC) 18V 585mohm @ 3a, 18V 4V @ 900µA 27 NC @ 18 v +22V, -6V 463 pf @ 800 v - 85W (TC)
RDD050N20TL Rohm Semiconductor RDD050N20TL 1.6700
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 - 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RDD050 MOSFET (금속 (() CPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 200 v 5A (TA) 10V 720mohm @ 2.5a, 10V 4V @ 1MA 9.3 NC @ 10 v ± 30V 292 pf @ 10 v - 20W (TC)
UMH10NFHATN Rohm Semiconductor umh10nfhatn 0.4800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMH10 150MW UMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2kohms 47kohms
RRS075P03FRATB Rohm Semiconductor RRS075P03FRATB 0.6390
RFQ
 ECAD 1578 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RRS075 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 7.5A (TA) 4V, 10V 21mohm @ 7.5a, 10V 2.5V @ 1mA 21 NC @ 5 v ± 20V 1900 pf @ 10 v - 2W (TA)
R6007KNXC7G Rohm Semiconductor R6007KNXC7G 2.9400
RFQ
 ECAD 995 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 R6007 MOSFET (금속 (() TO-220FM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-R6007KNXC7G 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 7A (TC) 10V 620mohm @ 2.4a, 10V 5V @ 1MA 14.5 nc @ 10 v ± 20V 470 pf @ 25 v - 46W (TC)
2SD2707T2LV Rohm Semiconductor 2SD2707T2LV 0.4300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-723 2SD2707 150 MW VMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 50 v 150 MA 300NA (ICBO) NPN 300mv @ 5ma, 50ma 820 @ 1ma, 5V 250MHz
FMY4AT148 Rohm Semiconductor fmy4at148 0.1452
RFQ
 ECAD 4463 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 fmy4 300MW SMT5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V, 60V 150ma 100NA (ICBO) NPN, PNP 500mv @ 5ma, 50ma 120 @ 1ma, 6V 140MHz, 180MHz
QSX8TR Rohm Semiconductor qsx8tr 0.6300
RFQ
 ECAD 340 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 QSX8 1.25W TSMT6 (SC-95) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 30V 1A 100NA (ICBO) 2 NPN (() 350MV @ 25MA, 500MA 270 @ 100MA, 2V 320MHz
DTC143TU3T106 Rohm Semiconductor DTC143TU3T106 0.2000
RFQ
 ECAD 240 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 DTC143 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 150mv @ 250µa, 5mA 100 @ 1ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms
QS6U22TR Rohm Semiconductor qs6u22tr 0.2390
RFQ
 ECAD 7730 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 QS6U22 MOSFET (금속 (() TSMT6 (SC-95) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 1.5A (TA) 2.5V, 4.5V 215mohm @ 1.5a, 4.5v 2V @ 1mA 3 NC @ 4.5 v ± 12V 270 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 1.25W (TA)
R6030ENZ1C9 Rohm Semiconductor R6030ENZ1C9 -
RFQ
 ECAD 6421 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 600 v 30A (TC) 10V 130mohm @ 14.5a, 10V 4V @ 1MA 85 NC @ 10 v ± 20V 2100 pf @ 25 v - 120W (TC)
UT6MC5TCR Rohm Semiconductor UT6MC5TCR 0.8900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-powerudfn UT6m MOSFET (금속 (() 2W (TA) HUML2020L8 다운로드 1 (무제한) 3,000 - 60V 3.5A (TA), 2.5A (TA) 95mohm @ 3.5a, 10v, 280mohm @ 2.5a, 10v 2.5V @ 1mA - - 기준
RQ1A060ZPTR Rohm Semiconductor rq1a060zptr 0.9600
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 RQ1A060 MOSFET (금속 (() TSMT8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 12 v 6A (TA) 1.5V, 4.5V 23mohm @ 6a, 4.5v 1V @ 1mA 34 NC @ 4.5 v ± 10V 2800 pf @ 6 v - 700MW (TA)
R6024KNZ4C13 Rohm Semiconductor R6024KNZ4C13 6.7200
RFQ
 ECAD 600 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 R6024 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-R6024KNZ4C13 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 24A (TC) 10V 165mohm @ 11.3a, 10V 5V @ 1MA 45 NC @ 10 v ± 20V 2000 pf @ 25 v - 245W (TC)
QS5U13TR Rohm Semiconductor qs5u13tr 0.6100
RFQ
 ECAD 120 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-5 THIN, TSOT-23-5 QS5U13 MOSFET (금속 (() TSMT5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 2A (TA) 2.5V, 4.5V 100mohm @ 2a, 4.5v 1.5V @ 1mA 3.9 NC @ 4.5 v ± 12V 175 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 1.25W (TA)
RD3L03BBGTL1 Rohm Semiconductor RD3L03BBGTL1 1.6000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RD3L03 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 35A (TC) 4.5V, 10V 11.3MOHM @ 35A, 10V 2.5V @ 1mA 14 nc @ 10 v ± 20V 970 pf @ 30 v - 50W (TC)
RTM002P02T2L Rohm Semiconductor RTM002P02T2L 0.4800
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-723 RTM002 MOSFET (금속 (() VMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 p 채널 20 v 200MA (TA) 2.5V, 4.5V 1.5ohm @ 200ma, 4.5v 2V @ 1mA ± 12V 50 pf @ 10 v - 150MW (TA)
BSM300D12P4G101 Rohm Semiconductor BSM300D12P4G101 965.0400
RFQ
 ECAD 5353 0.00000000 Rohm 반도체 - 상자 활동적인 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 BSM300 실리콘 실리콘 (sic) 925W (TC) 기준 기준 다운로드 1 (무제한) 846-BSM300D12P4G101 4 2 n 채널 1200V 291A (TC) - 4.8V @ 145.6ma - 30000pf @ 10V 기준
BSS84T116 Rohm Semiconductor BSS84T116 0.4300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS84 MOSFET (금속 (() SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 60 v 230MA (TA) 4.5V, 10V 5.3ohm @ 230ma, 10V 2.5V @ 100µa ± 20V 34 pf @ 30 v - 200MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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