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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 최대 공급업체 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 테스트 조건 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 역복구 시간(trr) IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 카드가 사라졌습니다 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
RCX050N25 Rohm Semiconductor RCX050N25 1.0786
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ECAD 5457 0.00000000 로옴 - 대부분 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 RCX050 MOSFET(금속) TO-220FM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 500 N채널 250V 5A(타) 10V 1100m옴 @ 2.5A, 10V 5.5V @ 1mA 9nC @ 10V ±30V 25V에서 410pF - 30W(Tc)
R6504KNXC7G Rohm Semiconductor R6504KNXC7G 2.5300
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ECAD 995 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 R6504 MOSFET(금속) TO-220FM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-R6504KNXC7G EAR99 8541.29.0095 50 N채널 650V 4A(타) 10V 1.05옴 @ 1.5A, 10V 5V @ 130μA 10nC @ 10V ±20V 270pF @ 25V - 40W(Tc)
BC847CHZGT116 Rohm Semiconductor BC847CHZGT116 0.4200
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ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200mW SST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 45V 100mA 15nA(ICBO) NPN 400mV @ 5mA, 100mA 420 @ 2mA, 5V 300MHz
SP8K1FRATB Rohm Semiconductor SP8K1FRATB 1.3400
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ECAD 2 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) SP8K1 MOSFET(금속) 1.4W(타) 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 2 N채널(듀얼) 30V 5A(타) 51m옴 @ 5A, 10V 2.5V @ 1mA 5.5nC @ 5V 230pF @ 10V -
SCT3060ARHRC15 Rohm Semiconductor SCT3060ARHRC15 2000년 15월
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ECAD 6091 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-4 SCT3060 MOSFET(금속) TO-247-4L 다운로드 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-SCT3060ARHRC15 EAR99 8541.29.0095 450 N채널 650V 39A(Tc) 18V 78m옴 @ 13A, 18V 5.6V @ 6.67mA 58nC @ 18V +22V, -4V 500V에서 852pF - 165W
2SA2071T100Q Rohm Semiconductor 2SA2071T100Q 0.7500
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ECAD 120 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 2SA2071 2W MPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 1,000 60V 3A 1μA(ICBO) PNP 500mV @ 200mA, 2A 120 @ 100mA, 2V 180MHz
RZL035P01TR Rohm Semiconductor RZL035P01TR 0.2801
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ECAD 4909 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 RZL035 MOSFET(금속) TUMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 12V 3.5A(타) 1.5V, 4.5V 36m옴 @ 3.5A, 4.5V 1V @ 1mA ±10V 1940pF @ 6V - 1W(타)
RD3P01BATTL1 Rohm Semiconductor RD3P01BATTL1 1.2400
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ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 RD3P01 MOSFET(금속) TO-252 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,500 P채널 100V 10A(타) 6V, 10V 240m옴 @ 5A, 10V 4V @ 1mA 19.4nC @ 10V ±20V 50V에서 660pF - 25W(타)
SP8M10FRATB Rohm Semiconductor SP8M10FRATB 1.7000
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ECAD 1 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) SP8M10 MOSFET(금속) 2W(타) 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N 및 P 채널 30V 7A(타), 4.5A(타) 25m옴 @ 7A, 10V, 56m옴 @ 4.5A, 10V 2.5V @ 1mA 8.4nC @ 5V, 8.5nC @ 5V 600pF @ 10V, 850pF @ 10V 레벨 레벨 컨트롤러, 4V 구동
RQ6E035SPTR Rohm Semiconductor RQ6E035SPTR 0.6600
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ECAD 1 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 RQ6E035 MOSFET(금속) TSMT6 (SC-95) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 30V 3.5A(타) 4V, 10V 65m옴 @ 3.5A, 10V 2.5V @ 1mA 9.2nC @ 5V ±20V 10V에서 780pF - 950mW(타)
DTA113ZKAT146 Rohm Semiconductor DTA113ZKAT146 0.2700
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ECAD 11 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA113 200mW SMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 33 @ 5mA, 5V 250MHz 1kΩ 10kΩ
RQ5E040TNTL Rohm Semiconductor RQ5E040TNTL 0.6400
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ECAD 3 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-96 RQ5E040 MOSFET(금속) TSMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 30V 4A(타) 2.5V, 4.5V 48m옴 @ 4A, 4.5V 1.5V @ 1mA 8.3nC @ 4.5V ±12V 10V에서 475pF - 700mW(타)
QSL10TR Rohm Semiconductor QSL10TR -
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ECAD 7206 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-5 플라이, TSOT-23-5 QSL10 900mW TSMT5 - ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-QSL10TR 3,000 12V 1.5A 100nA(ICBO) NPN 1.2V @ 375mA, 3A 270 @ 200mA, 2V
UMB10NTN Rohm Semiconductor UMB10NTN 0.4700
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ECAD 3 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMB10 150mW UMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2k옴 47k옴
DTD143EKT146 Rohm Semiconductor DTD143EKT146 0.4300
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ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTD143 200mW SMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 500mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 300mV @ 2.5mA, 50mA 47 @ 50mA, 5V 200MHz 4.7kΩ 4.7kΩ
R6524ENZC8 Rohm Semiconductor R6524ENZC8 -
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ECAD 1704 0.00000000 로옴 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3 풀팩 R6524 MOSFET(금속) TO-3PF 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. 846-R6524ENZC8 EAR99 8541.29.0095 30 N채널 650V 24A(TC) 10V 185m옴 @ 11.3A, 10V 4V @ 750μA 70nC @ 10V ±20V 25V에서 1650pF - 74W(Tc)
DTA043ZEBTL Rohm Semiconductor DTA043ZEBTL 0.1900
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ECAD 17 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-89, SOT-490 DTA043 150mW EMT3F (SOT-416FL) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA - PNP - 사전 바이어스됨 500μA에서 150mV, 5mA 80 @ 5mA, 10V 250MHz 4.7kΩ 47kΩ
RD3L050SNFRATL Rohm Semiconductor RD3L050SNFRATL 1.6800
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ECAD 2 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 RD3L050 MOSFET(금속) TO-252 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 60V 5A(타) 4V, 10V 109m옴 @ 5A, 10V 3V @ 1mA 8nC @ 10V ±20V 10V에서 290pF - 15W(타)
DTC114YE3TL Rohm Semiconductor DTC114YE3TL 0.3600
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ECAD 3 0.00000000 로옴 DTA144E 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 DTC114 150mW EMT3 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스 + 의무 500μA, 10mA에서 300mV 68 @ 5mA, 5V 250MHz 47kΩ 47kΩ
RRR030P03TL Rohm Semiconductor RRR030P03TL 0.6000
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ECAD 10 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 SC-96 RRR030 MOSFET(금속) TSMT3 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 30V 3A(타) 4V, 10V 75m옴 @ 3A, 10V 2.5V @ 1mA 5.2nC @ 5V ±20V 10V에서 480pF - 1W(타)
R6020PNJFRATL Rohm Semiconductor R6020PNJFRATL 6.4800
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ECAD 693 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB R6020 MOSFET(금속) LPTS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 600V 20A(TC) 10V 250m옴 @ 10A, 10V 4.5V @ 1mA 65nC @ 10V ±30V 2040pF @ 25V - 304W(Tc)
RGCL60TS60DGC13 Rohm Semiconductor RGCL60TS60DGC13 6.2500
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ECAD 9655 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 RGCL60 기준 111W TO-247G 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-RGCL60TS60DGC13 EAR99 8541.29.0095 30 400V, 30A, 10옴, 15V 58ns 트렌치 필드스톱 600V 48A 120A 1.8V @ 15V, 30A 770μJ(켜짐), 1.11mJ(꺼짐) 68nC 44ns/186ns
RGWS00TS65DGC13 Rohm Semiconductor RGWS00TS65DGC13 6.4000
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ECAD 2348 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 RGWS00 기준 245W TO-247G 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-RGWS00TS65DGC13 EAR99 8541.29.0095 30 400V, 50A, 10옴, 15V 88ns 트렌치 필드스톱 650V 88A 150A 2V @ 15V, 50A 980μJ(켜짐), 910μJ(꺼짐) 108nC 46ns/145ns
IMD9AT108 Rohm Semiconductor IMD9AT108 0.3900
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ECAD 175 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-74, SOT-457 IMD9 300mW SMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 68 @ 5mA, 5V 250MHz 10k옴 47k옴
RCX080N25 Rohm Semiconductor RCX080N25 1.3000
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ECAD 442 0.00000000 로옴 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 RCX080 MOSFET(금속) TO-220FM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 500 N채널 250V 8A(TC) 10V 600m옴 @ 4A, 10V 5V @ 1mA 15nC @ 10V ±30V 25V에서 840pF - 2.23W(Ta), 35W(Tc)
DTB114EKT146 Rohm Semiconductor DTB114EKT146 0.4500
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ECAD 4 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTB114 200mW SMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 500mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 300mV @ 2.5mA, 50mA 56 @ 50mA, 5V 200MHz 10kΩ 10kΩ
EMH2FHAT2R Rohm Semiconductor EMH2FHAT2R 0.0958
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ECAD 3681 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 SOT-563, SOT-666 EMH2FHAT2 150mW EMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 500μA, 10mA에서 300mV 68 @ 5mA, 5V 250MHz 47k옴 47k옴
UMX5NTR Rohm Semiconductor UMX5NTR 0.4900
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ECAD 5 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMX5 150mW UMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 11V 50mA 500nA(ICBO) 2 NPN(이중) 500mV @ 5mA, 10mA 56 @ 5mA, 10V 3.2GHz
SCT3040KRC14 Rohm Semiconductor SCT3040KRC14 54.0100
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ECAD 917 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-4 SCT3040 SiCFET(탄화규소) TO-247-4L 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 N채널 1200V 55A(Tc) 18V 52m옴 @ 20A, 18V 5.6V @ 10mA 107nC @ 18V +22V, -4V 800V에서 1337pF - 262W
EMG5T2R Rohm Semiconductor EMG5T2R 0.3800
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ECAD 7 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-SMD(5리드), 플랫 리드 EMG5T2 150mW EMT5 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 68 @ 5mA, 5V 250MHz 10k옴 47k옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고