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트랜지스터 (3592)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
UMB3NTN Rohm Semiconductor umb3ntn 0.0848
RFQ
 ECAD 9570 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMB3 150MW UMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA (ICBO) 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 100 @ 1ma, 5V 250MHz 4.7kohms -
DTD114ECT116 Rohm Semiconductor DTD114ECT116 0.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTD114 200 MW SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 MA 500NA npn-사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 56 @ 50MA, 5V 200MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
RTR025P02TL Rohm Semiconductor RTR025P02TL 0.2067
RFQ
 ECAD 8978 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 RTR025 MOSFET (금속 (() TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 2.5A (TA) 2.5V, 4.5V 95mohm @ 2.5a, 4.5v 2V @ 1mA 7 NC @ 4.5 v ± 12V 630 pf @ 10 v - 1W (TA)
DTD114GCHZGT116 Rohm Semiconductor DTD114GCHZGT116 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTD114 200 MW SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 56 @ 50MA, 5V 200MHz 10 KOHMS
QS8J5TR Rohm Semiconductor qs8j5tr 1.6000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 QS8J5 MOSFET (금속 (() 600MW TSMT8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 30V 5a 39mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 1mA 19NC @ 10V 1100pf @ 10V 논리 논리 게이트
R6024ENZC8 Rohm Semiconductor R6024ENZC8 -
RFQ
 ECAD 4344 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 360 n 채널 600 v 24A (TC) 10V 165mohm @ 11.3a, 10V 4V @ 1MA 70 nc @ 10 v ± 20V 1650 pf @ 25 v - 120W (TC)
2SD786STPS Rohm Semiconductor 2SD786STPS -
RFQ
 ECAD 9086 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & t (TB) 활동적인 - 구멍을 구멍을 SC-72 형성 2 리드 2SD786 spt - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 846-2SD786STPSTB 5,000 40 v 300 MA - - - 560 @ 10ma, 6V 100MHz
RGTV60TS65DGC11 Rohm Semiconductor RGTV60TS65DGC11 6.3700
RFQ
 ECAD 8356 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 RGTV60 기준 194 w TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 30A, 10ohm, 15V 95 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 60 a 120 a 1.9V @ 15V, 30A 570µJ (on), 500µJ (OFF) 64 NC 33ns/105ns
RQ5E040AJTCL Rohm Semiconductor RQ5E040AJTCL 0.5300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 RQ5E040 MOSFET (금속 (() TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 4A (TA) 2.5V, 4.5V 37mohm @ 4a, 4.5v 1.5V @ 1mA 4.3 NC @ 4.5 v ± 12V 480 pf @ 15 v - 1W (TA)
R5011ANJTL Rohm Semiconductor r5011anjtl 1.9272
RFQ
 ECAD 1713 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB R5011 MOSFET (금속 (() lpt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 11A (TA) 10V 500mohm @ 5.5a, 10V 4.5V @ 1mA 30 nc @ 10 v ± 30V 1000 pf @ 25 v - 75W (TC)
RGT50NS65DGTL Rohm Semiconductor RGT50NS65DGTL 3.4100
RFQ
 ECAD 8949 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RGT50 기준 194 w LPD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 400V, 25A, 10ohm, 15V 58 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 48 a 75 a 2.1V @ 15V, 25A - 49 NC 27ns/88ns
SCT4062KW7TL Rohm Semiconductor SCT4062KW7TL 12.7000
RFQ
 ECAD 985 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA sicfet ((카바이드) TO-263-7L 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 1200 v 24A (TJ) 18V 81mohm @ 12a, 18V 4.8V @ 6.45MA 64 NC @ 18 v +21V, -4V 1498 pf @ 800 v - 93W
DTD743EMT2L Rohm Semiconductor DTD743EMT2L 0.1134
RFQ
 ECAD 5803 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SOT-723 DTD743 150 MW VMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 30 v 200 MA 500NA npn-사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 115 @ 100MA, 2V 260MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
DTA123EE3HZGTL Rohm Semiconductor DTA123EE3HZGTL 0.3800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTA123 150 MW EMT3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-DTA123EE3HZGTLTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 20 @ 20ma, 5V 250MHz 2.2 Kohms 2.2 Kohms
RU1C001ZPTL Rohm Semiconductor Ru1c001zptl 0.2900
RFQ
 ECAD 4519 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-85 Ru1c001 MOSFET (금속 (() umt3f 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 100MA (TA) 1.2V, 4.5V 3.8ohm @ 100ma, 4.5v 1V @ 100µA ± 10V 15 pf @ 10 v - 150MW (TA)
DTC124TMT2L Rohm Semiconductor DTC124TMT2L 0.3700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm 반도체 DTC124T 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 DTC124 150 MW VMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 5MA 100 @ 1ma, 5V 250MHz 22 KOHMS
RGT40TS65DGC13 Rohm Semiconductor RGT40TS65DGC13 9.3200
RFQ
 ECAD 7249 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 RGT40 기준 144 w TO-247G 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RGT40TS65DGC13 귀 99 8541.29.0095 600 400V, 20A, 10ohm, 15V 58 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 40 a 60 a 2.1V @ 15V, 20A - 40 NC 22ns/75ns
RGWSX2TS65GC13 Rohm Semiconductor RGWSX2TS65GC13 6.8400
RFQ
 ECAD 5230 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 RGWSX2 기준 288 w TO-247G 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RGWSX2TS65GC13 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 60A, 10ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 650 v 104 a 180 a 2V @ 15V, 60A 1.43mj (on), 1.2mj (OFF) 140 NC 55ns/180ns
RSS100N03FRATB Rohm Semiconductor RSS100N03FRATB 0.9400
RFQ
 ECAD 166 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RSS100 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 10A (TA) 4V, 10V 13.3MOHM @ 10A, 10V 2.5V @ 1mA 20 nc @ 5 v ± 20V 1070 pf @ 10 v - 2W (TA)
RGT8NL65DGTL Rohm Semiconductor rgt8nl65dgtl 2.0700
RFQ
 ECAD 972 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RGT8NL65 기준 65 w LPD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 400V, 4A, 50ohm, 15V 40 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 8 a 12 a 2.1V @ 15V, 4A - 13.5 NC 17ns/69ns
RGCL80TS60GC13 Rohm Semiconductor RGCL80TS60GC13 5.9400
RFQ
 ECAD 2877 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 RGCL80 기준 148 w TO-247G 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RGCL80TS60GC13 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 40A, 10ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 600 v 65 a 160 a 1.8V @ 15V, 40A 1.11mj (on), 1.68mj (OFF) 98 NC 53ns/227ns
DTA014TEBTL Rohm Semiconductor DTA014TEBTL 0.0351
RFQ
 ECAD 9399 0.00000000 Rohm 반도체 DTA014T 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-89, SOT-490 DTA014 150 MW EMT3F (SOT-416FL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 150MV @ 500µA, 5MA 100 @ 5ma, 10V 250MHz 10 KOHMS
DTC144TCAT116 Rohm Semiconductor DTC144TCAT116 0.3500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC144 200 MW SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 300mv @ 1ma, 10ma 100 @ 1ma, 5V 250MHz 47 Kohms
EMF6T2R Rohm Semiconductor EMF6T2R 0.1814
RFQ
 ECAD 1630 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 12V PNP, 30V N- 채널 범용 표면 표면 SOT-563, SOT-666 EMF6T2 EMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 500MA PNP, 100MA N- 채널 PNP, N-,
DTA043XUBTL Rohm Semiconductor dta043xubtl 0.3700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-85 DTA043 200 MW umt3f 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 150MV @ 500µA, 5MA 35 @ 5MA, 10V 250MHz 4.7 Kohms 10 KOHMS
DTA124XEBTL Rohm Semiconductor DTA124XEBTL 0.3700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-89, SOT-490 DTA124 150 MW EMT3F (SOT-416FL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 22 KOHMS 47 Kohms
DTA143EU3HZGT106 Rohm Semiconductor DTA143EU3HZGT106 0.3800
RFQ
 ECAD 6116 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 DTA143 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
VT6T1T2R Rohm Semiconductor vt6t1t2r 0.1045
RFQ
 ECAD 8869 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 VT6T1 150MW VMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 20V 200ma 100NA (ICBO) 2 PNP (() 300mv @ 10ma, 100ma 120 @ 1ma, 6V 350MHz
RSJ301N10FRATL Rohm Semiconductor rsj301n10fratl 2.6500
RFQ
 ECAD 935 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RSJ301 MOSFET (금속 (() lpt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 30A (TA) 4V, 10V 46mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 1mA 60 nc @ 10 v ± 20V 2100 pf @ 25 v - 50W (TA)
RGCL60TS60GC11 Rohm Semiconductor RGCL60TS60GC11 4.2200
RFQ
 ECAD 363 0.00000000 Rohm 반도체 - 대부분 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 RGCL60 기준 111 w TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 450 400V, 30A, 10ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 600 v 48 a 120 a 1.8V @ 15V, 30A 770µJ (on), 1.11mj (OFF) 68 NC 44ns/186ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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