SIC
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트랜지스터 (3592)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
2SC4102U3T106S Rohm Semiconductor 2SC4102U3T106S 0.4900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA 2SC4102 1.2 w SOT-223-3 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 60 v 50 MA 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 600ma, 6a 150 @ 500ma, 2V 100MHz
BSM300C12P3E201 Rohm Semiconductor BSM300C12P3E201 750.6000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 BSM300 sicfet ((카바이드) 기준 기준 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-BSM300C12P3E201 귀 99 8541.29.0095 4 n 채널 1200 v 300A (TC) - - 5.6v @ 80ma +22V, -4V 15000 pf @ 10 v - 1360W (TC)
RD3U041AAFRATL Rohm Semiconductor rd3u041aafratl 1.6900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RD3U041 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 250 v 4A (TC) 10V 1.3ohm @ 2a, 10V 5.5V @ 1mA 8.5 NC @ 10 v ± 30V 350 pf @ 25 v - 29W (TC)
SCT3060AW7TL Rohm Semiconductor sct3060aw7tl 18.9700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA SCT3060 sicfet ((카바이드) TO-263-7 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 38A (TC) 78mohm @ 13a, 18V 5.6v @ 6.67ma 58 NC @ 18 v +22V, -4V 852 pf @ 500 v - 159W
RSQ030N08HZGTR Rohm Semiconductor rsq030n08hzgtr 0.8300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 RSQ030 MOSFET (금속 (() TSMT6 (SC-95) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 80 v 3A (TA) 4V, 10V 131mohm @ 3a, 10V 2.5V @ 1mA 6.5 NC @ 5 v ± 20V 550 pf @ 10 v - 950MW (TA)
DTC114GU3HZGT106 Rohm Semiconductor DTC114GU3HZGT106 0.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-70, SOT-323 DTC114 200 MW UMT3 - ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 250MHz 10 KOHMS
DTB143EKFRAT146 Rohm Semiconductor DTB143EKFRAT146 0.3489
RFQ
 ECAD 4548 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTB143 200 MW smt3 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 MA 500NA pnp- 사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 47 @ 50MA, 5V 200MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
DTC113ZEFRATL Rohm Semiconductor dtc113zefratl 0.3800
RFQ
 ECAD 293 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTC113 150 MW EMT3 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-dtc113zefratltr 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 33 @ 5MA, 5V 250MHz 1 KOHMS 10 KOHMS
RRQ030P03HZGTR Rohm Semiconductor rrq030p03hzgtr 0.6600
RFQ
 ECAD 806 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 RRQ030 MOSFET (금속 (() TSMT6 (SC-95) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 3A (TA) 4V, 10V 125mohm @ 1.5a, 4v 2.5V @ 1mA 5.2 NC @ 5 v ± 20V 480 pf @ 10 v - 950MW (TA)
R8007AND3FRATL Rohm Semiconductor R8007 및 3Fratl 5.2200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 R8007 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 800 v 7A (TC) 10V 1.6ohm @ 3.5a, 10V 5V @ 1MA 28 nc @ 10 v ± 30V 850 pf @ 25 v - 140W (TC)
RGW60TS65GC11 Rohm Semiconductor RGW60TS65GC11 5.0900
RFQ
 ECAD 430 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 RGW60 기준 178 w TO-247N 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 30A, 10ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 650 v 60 a 120 a 1.9V @ 15V, 30A 480µJ (ON), 490µJ (OFF) 84 NC 37ns/114ns
R6020KNZC17 Rohm Semiconductor R6020KNZC17 5.8300
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 R6020 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-R6020KNZC17 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 20A (TC) 10V 196MOHM @ 9.5A, 10V 5V @ 1MA 40 nc @ 10 v ± 20V 1550 pf @ 25 v - 68W (TC)
R6576ENZ4C13 Rohm Semiconductor R6576ENZ4C13 19.4700
RFQ
 ECAD 577 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 R6576 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-R6576ENZ4C13 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 76A (TA) 10V 46MOHM @ 44.4A, 10V 4V @ 2.96ma 260 NC @ 10 v ± 20V 6500 pf @ 25 v - 735W (TC)
R8002ANJGTL Rohm Semiconductor R8002anjgtl 3.1100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB R8002 MOSFET (금속 (() TO-263S 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 2A (TC) 10V 4.3ohm @ 1a, 10V 5V @ 1MA 13 nc @ 10 v ± 30V 250 pf @ 25 v - 62W (TC)
SCT4062KWAHRTL Rohm Semiconductor SCT4062KWAHRTL 10.7400
RFQ
 ECAD 8824 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA sic (카바이드 실리콘 접합 접합 트랜지스터) TO-263-7LA - 1 (무제한) 1,000 n 채널 1200 v 24A (TC) 18V 81mohm @ 12a, 18V 4.8V @ 6.45MA 64 NC @ 18 v +21V, -4V 1498 pf @ 800 v - 93W
RS6G100BGTB1 Rohm Semiconductor RS6G100BGTB1 1.8700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8 시간 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 100A (TC) 4.5V, 10V 3.4mohm @ 90a, 10V 2.5V @ 1mA 24 nc @ 10 v ± 20V 1510 pf @ 20 v - 3W (TA), 59W (TC)
RD3L03BBGTL1 Rohm Semiconductor RD3L03BBGTL1 1.6000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RD3L03 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 35A (TC) 4.5V, 10V 11.3MOHM @ 35A, 10V 2.5V @ 1mA 14 nc @ 10 v ± 20V 970 pf @ 30 v - 50W (TC)
R6055VNZC17 Rohm Semiconductor R6055VNZC17 10.7100
RFQ
 ECAD 420 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 R6055VN MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 1 (무제한) 846-R6055VNZC17 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 23A (TC) 10V, 15V 71mohm @ 16a, 15V 6.5V @ 1.5MA 80 nc @ 10 v ± 30V 3700 pf @ 100 v - 99W (TC)
RD3L07BBGTL1 Rohm Semiconductor RD3L07BBGTL1 2.9400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RD3L07 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 70A (TC) 4.5V, 10V 3.9mohm @ 70a, 10V 2.5V @ 1mA 47 NC @ 10 v ± 20V 2950 pf @ 30 v - 102W (TC)
R6077VNZC17 Rohm Semiconductor R6077VNZC17 11.9600
RFQ
 ECAD 120 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 R6077 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 1 (무제한) 846-R6077VNZC17 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 29A (TC) 10V, 15V 51mohm @ 23a, 15V 6.5V @ 1.9ma 108 NC @ 10 v ± 30V 5200 pf @ 100 v - 113W (TC)
SCT3030ARC15 Rohm Semiconductor SCT3030ARC15 26.2700
RFQ
 ECAD 7655 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 SCT3030 MOSFET (금속 (() TO-247-4L 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 846-SCT3030ARC15 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 650 v 70A (TC) 18V 39mohm @ 27a, 18V 5.6v @ 13.3ma 104 NC @ 18 v +22V, -4V 1526 pf @ 500 v - 262W
RX3P07BBHC16 Rohm Semiconductor RX3P07BBHC16 3.8800
RFQ
 ECAD 2063 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 RX3P07 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 846-RX3P07BBHC16 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 80A (TA), 70A (TC) 6V, 10V 8.4mohm @ 70a, 10V 4V @ 1MA 38 NC @ 10 v ± 20V 2410 pf @ 50 v - 89W (TA)
2SC2389STPE Rohm Semiconductor 2SC2389STPE -
RFQ
 ECAD 8936 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 SC-72 형성 2 리드 2SC2389 300MW spt - ROHS3 준수 영향을받지 영향을받지 846-2SC2389Stpetr 5,000 120 v 50 MA 500NA (ICBO) NPN 200mv @ 25ma, 500ma 270 @ 200MA, 2V
R6009RND3TL1 Rohm Semiconductor R6009RND3TL1 1.6400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 R6009 MOSFET (금속 (() TO-252 - 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 9A (TC) 15V 665mohm @ 4.5a, 15V 7V @ 5.5MA 22 nc @ 15 v ± 30V 640 pf @ 100 v - 125W (TC)
DTA144EE3TL Rohm Semiconductor DTA144EE3TL 0.3700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 DTC144E 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTA144 150 MW EMT3 - ROHS3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- + 다이오드 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 47 Kohms 47 Kohms
DTC113ZE3TL Rohm Semiconductor DTC113ZE3TL 0.3700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 DTC143E 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTC113 150 MW EMT3 - ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- + 다이오드 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
R6020KNZ4C13 Rohm Semiconductor R6020KNZ4C13 7.9200
RFQ
 ECAD 442 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 R6020 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-R6020KNZ4C13 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 20A (TC) 10V 196MOHM @ 9.5A, 10V 5V @ 1MA 40 nc @ 10 v ± 20V 1550 pf @ 25 v - 231W (TC)
RD3P200SNTL1 Rohm Semiconductor RD3P200SNTL1 2.1600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RD3P200 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 20A (TA) 4V, 10V 46MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 1mA 55 NC @ 10 v ± 20V 2100 pf @ 25 v - 20W (TC)
RQ3E110AJTB Rohm Semiconductor RQ3E110AJTB 0.7600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn RQ3E110 MOSFET (금속 (() 8-HSMT (3.2x3) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 11A (TA), 24A (TC) 2.5V, 4.5V 11.7mohm @ 11a, 4.5v 1.5V @ 1mA 13.5 nc @ 4.5 v ± 12V 1500 pf @ 15 v - 2W (TA)
RQ5C020TPTL Rohm Semiconductor rq5c020tptl 0.5500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 RQ5C020 MOSFET (금속 (() TSMT3 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 2A (TA) 2.5V, 4.5V 135mohm @ 2a, 4.5v 2V @ 1mA 4.9 NC @ 2.5 v ± 12V 430 pf @ 10 v - 700MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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