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트랜지스터 (3592)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
VT6T1T2R Rohm Semiconductor vt6t1t2r 0.1045
RFQ
 ECAD 8869 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 VT6T1 150MW VMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 20V 200ma 100NA (ICBO) 2 PNP (() 300mv @ 10ma, 100ma 120 @ 1ma, 6V 350MHz
BSM180C12P3C202 Rohm Semiconductor BSM180C12P3C202 590.4000
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Rohm 반도체 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 BSM180 sicfet ((카바이드) 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-BSM180C12P3C202 귀 99 8541.29.0095 12 n 채널 1200 v 180A (TC) - - 5.6v @ 50ma +22V, -4V 9000 pf @ 10 v - 880W (TC)
R6030ENZC8 Rohm Semiconductor R6030ENZC8 -
RFQ
 ECAD 4077 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 360 n 채널 600 v 30A (TC) 10V 130mohm @ 14.5a, 10V 4V @ 1MA 85 NC @ 10 v ± 20V 2100 pf @ 25 v - 120W (TC)
DTC123ECAT116 Rohm Semiconductor DTC123ECAT116 0.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC123 200 MW SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 20 @ 20ma, 5V 250MHz 2.2 Kohms 2.2 Kohms
DTA114YE3TL Rohm Semiconductor DTA114YE3TL 0.3700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 DTA115E 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTA114 150 MW EMT3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) pnp- 사전- + 다이오드 300MV @ 250µA, 5MA 82 @ 5MA, 5V 250MHz 100 KOHMS 100 KOHMS
RGW80TK65GVC11 Rohm Semiconductor RGW80TK65GVC11 6.4000
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 To-3pfm, SC-93-3 RGW80 표준 81 w to-3pfm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 40A, 10ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 650 v 39 a 160 a 1.9V @ 15V, 40A 760µJ (on), 720µJ (OFF) 110 NC 44ns/143ns
RGTV00TK65DGC11 Rohm Semiconductor RGTV00TK65DGC11 7.7700
RFQ
 ECAD 2190 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 To-3pfm, SC-93-3 RGTV00 기준 94 w to-3pfm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 450 400V, 50A, 10ohm, 15V 102 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 45 a 200a 1.9V @ 15V, 50A 1.17mj (on), 940µJ (OFF) 104 NC 41ns/142ns
RGTV60TK65DGVC11 Rohm Semiconductor RGTV60TK65DGVC11 6.4100
RFQ
 ECAD 7339 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 To-3pfm, SC-93-3 RGTV60 기준 76 w to-3pfm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 450 400V, 30A, 10ohm, 15V 95 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 33 a 120 a 1.9V @ 15V, 30A 570µJ (on), 500µJ (OFF) 64 NC 33ns/105ns
RGW80TK65DGVC11 Rohm Semiconductor RGW80TK65DGVC11 6.5700
RFQ
 ECAD 440 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 To-3pfm, SC-93-3 RGW80 기준 81 w to-3pfm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 40A, 10ohm, 15V 92 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 39 a 160 a 1.9V @ 15V, 40A 760µJ (on), 720µJ (OFF) 110 NC 44ns/143ns
RGT16NS65DGC9 Rohm Semiconductor RGT16NS65DGC9 2.7900
RFQ
 ECAD 663 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA RGT16 표준 94 w TO-262 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 400V, 8A, 10ohm, 15V 42 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 16 a 24 a 2.1V @ 15V, 8A - 21 NC 13ns/33ns
RGT30NS65DGC9 Rohm Semiconductor RGT30NS65DGC9 2.9000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA RGT30 기준 133 w TO-262 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 400V, 15a, 10ohm, 15V 55 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 30 a 45 a 2.1V @ 15V, 15a - 32 NC 18ns/64ns
RGTH40TK65GC11 Rohm Semiconductor RGTH40TK65GC11 5.3300
RFQ
 ECAD 322 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 To-3pfm, SC-93-3 RGTH40 표준 56 W. to-3pfm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 20A, 10ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 650 v 23 a 80 a 2.1V @ 15V, 20A - 40 NC 22ns/73ns
RGTH60TK65DGC11 Rohm Semiconductor RGTH60TK65DGC11 6.6200
RFQ
 ECAD 403 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 To-3pfm, SC-93-3 RGTH60 기준 61 w to-3pfm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 30A, 10ohm, 15V 58 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 28 a 120 a 2.1V @ 15V, 30A - 58 NC 27ns/105ns
RGTH60TK65GC11 Rohm Semiconductor RGTH60TK65GC11 5.8700
RFQ
 ECAD 317 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 To-3pfm, SC-93-3 RGTH60 표준 61 w to-3pfm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 30A, 10ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 650 v 28 a 120 a 2.1V @ 15V, 30A - 58 NC 27ns/105ns
RGTH80TK65DGC11 Rohm Semiconductor RGTH80TK65DGC11 6.3700
RFQ
 ECAD 446 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 To-3pfm, SC-93-3 RGTH80 기준 66 W. to-3pfm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 40A, 10ohm, 15V 58 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 31 a 160 a 2.1V @ 15V, 40A - 79 NC 34ns/120ns
RGTH80TK65GC11 Rohm Semiconductor RGTH80TK65GC11 6.3400
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활성 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 To-3pfm, SC-93-3 RGTH80 기준 66 W. to-3pfm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 40A, 10ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 650 v 31 a 160 a 2.1V @ 15V, 40A - 79 NC 34ns/120ns
R6020KNZ4C13 Rohm Semiconductor R6020KNZ4C13 7.9200
RFQ
 ECAD 442 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 R6020 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-R6020KNZ4C13 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 20A (TC) 10V 196MOHM @ 9.5A, 10V 5V @ 1MA 40 nc @ 10 v ± 20V 1550 pf @ 25 v - 231W (TC)
RD3P200SNTL1 Rohm Semiconductor RD3P200SNTL1 2.1600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RD3P200 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 20A (TA) 4V, 10V 46MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 1mA 55 NC @ 10 v ± 20V 2100 pf @ 25 v - 20W (TC)
RQ3E110AJTB Rohm Semiconductor RQ3E110AJTB 0.7600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn RQ3E110 MOSFET (금속 (() 8-HSMT (3.2x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 11A (TA), 24A (TC) 2.5V, 4.5V 11.7mohm @ 11a, 4.5v 1.5V @ 1mA 13.5 nc @ 4.5 v ± 12V 1500 pf @ 15 v - 2W (TA)
RQ5C020TPTL Rohm Semiconductor rq5c020tptl 0.5500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 RQ5C020 MOSFET (금속 (() TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 2A (TA) 2.5V, 4.5V 135mohm @ 2a, 4.5v 2V @ 1mA 4.9 NC @ 2.5 v ± 12V 430 pf @ 10 v - 700MW (TA)
RQ5E065AJTCL Rohm Semiconductor RQ5E065AJTCL 0.7600
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 RQ5E065 MOSFET (금속 (() TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 6.5A (TA) 2.5V, 4.5V 18.1MOHM @ 6.5A, 4.5V 1.5V @ 2MA 12.2 NC @ 4.5 v ± 12V 1370 pf @ 15 v - 760MW (TA)
RS1E321GNTB1 Rohm Semiconductor RS1E321GNTB1 2.4100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn RS1E MOSFET (금속 (() 8 시간 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 32A (TA), 80A (TC) 4.5V, 10V 2.1MOHM @ 32A, 10V 2.5V @ 1mA 42.8 nc @ 10 v ± 20V 2850 pf @ 15 v - 3W (TA)
2SAR523V1T2L Rohm Semiconductor 2SAR523V1T2L -
RFQ
 ECAD 8347 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 8,000 - - - - -
RGS50TSX2HRC11 Rohm Semiconductor RGS50TSX2HRC11 8.9200
RFQ
 ECAD 440 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 RGS50 기준 395 w TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RGS50TSX2HRC11 귀 99 8541.29.0095 30 600V, 25A, 10ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 1200 v 50 a 75 a 2.1V @ 15V, 25A 1.4mj (on), 1.65mj (OFF) 67 NC 37ns/140ns
R6524KNJTL Rohm Semiconductor R6524KNJTL 6.6500
RFQ
 ECAD 5561 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB R6524 MOSFET (금속 (() lpt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 24A (TC) 10V 185mohm @ 11.3a, 10V 5V @ 750µA 45 NC @ 10 v ± 20V 1850 pf @ 25 v - 245W (TC)
R6509KNJTL Rohm Semiconductor R6509KNJTL 3.4100
RFQ
 ECAD 94 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB R6509 MOSFET (금속 (() lpt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 9A (TC) 10V 585mohm @ 2.8a, 10V 5V @ 230µA 16.5 nc @ 10 v ± 20V 540 pf @ 25 v - 94W (TC)
R5011FNJTL Rohm Semiconductor r5011fnjtl 1.0414
RFQ
 ECAD 2262 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB R5011 MOSFET (금속 (() lpt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 11A (TC) 10V 520mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 1MA 30 nc @ 10 v ± 30V 950 pf @ 25 v - 50W (TC)
UMH1NTN Rohm Semiconductor umh1ntn 0.0992
RFQ
 ECAD 1662 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMH1 150MW UMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 500µA, 10MA 56 @ 5MA, 5V 250MHz 22kohms 22kohms
RSQ015N06TR Rohm Semiconductor rsq015n06tr 0.2100
RFQ
 ECAD 9373 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 RSQ015 MOSFET (금속 (() TSMT6 (SC-95) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 1.5A (TA) 4V, 10V 290mohm @ 1.5a, 10V 2.5V @ 1mA 2 nc @ 5 v ± 20V 110 pf @ 10 v - 950MW (TA)
US5U38TR Rohm Semiconductor US5U38tr 0.1644
RFQ
 ECAD 2048 0.00000000 Rohm 반도체 * 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 US5U38 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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