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트랜지스터(3592)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 최대 공급업체 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
BSS4130AT116 Rohm Semiconductor BSS4130AT116 0.4400
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 ECAD 418 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS4130 200mW SST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 30V 1A 100nA(ICBO) NPN 350mV @ 25mA, 500mA 270 @ 100mA, 2V 400MHz
2SK3050TL Rohm Semiconductor 2SK3050TL -
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 ECAD 5671 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 2SK3050 MOSFET(금속) CPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 600V 2A(타) 10V 5.5옴 @ 1A, 10V 4V @ 1mA 25.6nC @ 10V ±30V 10V에서 280pF - 20W(Tc)
RSS120N03TB Rohm Semiconductor RSS120N03TB -
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 ECAD 1627년 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) RSS120 MOSFET(금속) 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 12A(타) 4V, 10V 10m옴 @ 12A, 10V 2.5V @ 1mA 25nC @ 5V 20V 1360pF @ 10V - 2W(타)
SH8J31GZETB Rohm Semiconductor SH8J31GZETB 1.7600
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 ECAD 27 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) SH8J31 - 2W 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 2 P채널(듀얼) 60V 4.5A 70m옴 @ 4.5A, 10V 3V @ 1mA 40nC @ 10V 2500pF @ 10V -
TT8J3TR Rohm Semiconductor TT8J3TR 0.6300
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 ECAD 29 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 8-SMD, 플랫 리드 TT8J3 - 1.25W 8-TSST 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 2 P채널(듀얼) 30V 2.5A 84m옴 @ 2.5A, 10V 2.5V @ 1mA 4.8nC @ 5V 460pF @ 15V -
RE1J002YNTCL Rohm Semiconductor RE1J002YNTCL 0.3600
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 ECAD 14 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-89, SOT-490 RE1J002 MOSFET(금속) EMT3F (SOT-416FL) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 50V 200mA(타) 0.9V, 4.5V 2.2옴 @ 200mA, 4.5V 800mV @ 1mA ±8V 10V에서 26pF - 150mW(타)
RS1L120GNTB Rohm Semiconductor RS1L120GNTB 1.7500
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 ECAD 9 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN RS1L MOSFET(금속) 8-HSOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 60V 12A(Ta), 36A(Tc) 4.5V, 10V 12.7m옴 @ 12A, 10V 2.7V @ 200μA 26nC @ 10V ±20V 30V에서 1330pF - 3W(타)
R6024ENXC7G Rohm Semiconductor R6024ENXC7G 5.5800
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 ECAD 980 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 R6024 MOSFET(금속) TO-220FM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-R6024ENXC7G EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 24A(타) 10V 165m옴 @ 11.3A, 10V 4V @ 1mA 70nC @ 10V ±20V 25V에서 1650pF - 74W(Tc)
2SAR554PHZGT100 Rohm Semiconductor 2SAR554PHZGT100 0.6800
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 ECAD 800 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 500mW SOT-89 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 1,000 80V 1.5A 1μA(ICBO) PNP 400mV @ 25mA, 500mA 120 @ 100mA, 3V 340MHz
QS8J2TR Rohm Semiconductor QS8J2TR 0.9600
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-SMD, 플랫 리드 QS8J2 MOSFET(금속) 550mW TSMT8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 2 P채널(듀얼) 12V 4A 36m옴 @ 4A, 4.5V 1V @ 1mA 20nC @ 4.5V 1940pF @ 6V 레벨 레벨 컨트롤러, 1.5V 드라이브
SH8K15TB1 Rohm Semiconductor SH8K15TB1 0.5880
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 ECAD 7763 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) SH8K15 MOSFET(금속) 2W 8-SOP - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 2 N채널(듀얼) 30V 9A 21m옴 @ 9A, 10V 2.5V @ 1mA 8.5nC @ 5V 630pF @ 10V 게임 레벨 레벨
DTA124TUAT106 Rohm Semiconductor DTA124TUAT106 0.0536
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 ECAD 5369 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 DTA124 200mW UMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 500μA에서 300mV, 5mA 100 @ 1mA, 5V 250MHz 22kΩ
SCT4018KEC11 Rohm Semiconductor SCT4018KEC11 38.7800
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 ECAD 457 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 SiCFET(탄화규소) TO-247N 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-SCT4018KEC11 EAR99 8541.29.0095 30 N채널 1200V 81A (티제이) 18V 23.4m옴 @ 42A, 18V 4.8V @ 22.2mA 170nC @ 18V +21V, -4V 800V에서 4532pF - 312W
TT8K11TCR Rohm Semiconductor TT8K11TCR 0.5400
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 ECAD 4210 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 8-SMD, 플랫 리드 TT8K11 MOSFET(금속) 1W 8-TSST 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 30V 3A 71m옴 @ 3A, 10V 2.5V @ 1A 2.5nC @ 5V 140pF @ 10V 레벨 레벨 컨트롤러, 4V 구동
DTC115GKAT146 Rohm Semiconductor DTC115GKAT146 0.0561
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 ECAD 6691 0.00000000 로옴 DTC115G 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC115 200mW SMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 82 @ 5mA, 5V 250MHz 100kΩ
DTD523YMT2L Rohm Semiconductor DTD523YMT2L 0.1134
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 ECAD 9096 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 DTD523 150mW VMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 12V 500mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 300mV @ 5mA, 100mA 140 @ 100mA, 2V 260MHz 2.2kΩ 10kΩ
RTF025N03TL Rohm Semiconductor RTF025N03TL 0.7100
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 ECAD 20 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 3-SMD, 플랫 리드 RTF025 MOSFET(금속) TUMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 30V 2.5A(타) 2.5V, 4.5V 67m옴 @ 2.5A, 4.5V 1.5V @ 1mA 5.2nC @ 4.5V ±12V 10V에서 270pF - 800mW(타)
RQ3P300BHTB1 Rohm Semiconductor RQ3P300BHTB1 2.4200
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 ECAD 5 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN RQ3P300 MOSFET(금속) 8-HSMT(3.2x3) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 100V 39A(타) 6V, 10V 15.5m옴 @ 10A, 10V 4V @ 1mA 36nC @ 10V ±20V 2040pF @ 50V - 2W(타)
DTC144TETL Rohm Semiconductor DTC144TETL 0.0707
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 ECAD 6994 0.00000000 로옴 DTC144T 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 SC-75, SOT-416 DTC144 150mW EMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 500μA에서 300mV, 5mA 100 @ 1mA, 5V 250MHz 47kΩ
DTC143ESATP Rohm Semiconductor DTC143ESATP -
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 ECAD 8408 0.00000000 로옴 - 테이프 및 박스(TB) 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 SC-72 수정했어요 DTC143 300mW SPT 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 5,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 30 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ 4.7kΩ
UT6KC5TCR Rohm Semiconductor UT6KC5TCR 1.6200
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerUDFN UT6KC5 MOSFET(금속) 2W(타) DFN2020-8D 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 60V 3.5A(타) 95m옴 @ 3.5A, 10V 2.5V @ 1mA 3.1nC @ 10V 30V에서 135pF -
R6035KNZC17 Rohm Semiconductor R6035KNZC17 7.8500
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 ECAD 300 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3 풀팩 R6035 MOSFET(금속) TO-3PF 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-R6035KNZC17 EAR99 8541.29.0095 30 N채널 600V 35A(Tc) 10V 102m옴 @ 18.1A, 10V 5V @ 1mA 72nC @ 10V ±20V 3000pF @ 25V - 102W(Tc)
SCT4045DW7HRTL Rohm Semiconductor SCT4045DW7HRTL 15.1500
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-8, D²Pak(7리드 + 탭), TO-263CA SiCFET(탄화규소) TO-263-7L 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 750V 31A(Tc) 18V 59m옴 @ 17A, 18V 4.8V @ 8.89mA 63nC @ 18V +21V, -4V 500V에서 1460pF - 93W
DTA114YE3HZGTL Rohm Semiconductor DTA114YE3HZGTL 0.4100
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 DTA114 150mW EMT3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-DTA114YE3HZGTLTR EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 68 @ 5mA, 5V 250MHz 10kΩ 47kΩ
RD3T100CNTL1 Rohm Semiconductor RD3T100CNTL1 1.5900
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 ECAD 10 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 RD3T100 MOSFET(금속) TO-252 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 200V 10A(TC) 10V 182m옴 @ 5A, 10V 5.25V @ 1mA 25nC @ 10V ±30V 25V에서 1400pF - 85W(Tc)
SH8M12TB1 Rohm Semiconductor SH8M12TB1 0.4439
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 ECAD 6892 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) SH8M12 MOSFET(금속) 2W 8-SOP - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N 및 P 채널 30V 5A, 4.5A 42m옴 @ 5A, 10V 2.5V @ 1mA 4nC @ 5V 250pF @ 10V 게임 레벨 레벨
SP8M4FU6TB Rohm Semiconductor SP8M4FU6TB -
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 ECAD 7977 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) SP8M4 MOSFET(금속) 2W 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N 및 P 채널 30V 9A, 7A 18m옴 @ 9A, 10V 2.5V @ 1mA 21nC @ 5V 1190pF @ 10V 게임 레벨 레벨
EMG9T2R Rohm Semiconductor EMG9T2R 0.3900
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 ECAD 7 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-SMD(5리드), 플랫 리드 EMG9T2 150mW EMT5 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 500μA, 10mA에서 300mV 30 @ 5mA, 5V 250MHz 10k옴 10k옴
SCT4045DEC11 Rohm Semiconductor SCT4045DEC11 14.8500
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 ECAD 430 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 SCT4045 SiCFET(탄화규소) TO-247N 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-SCT4045DEC11 EAR99 8541.29.0095 450 N채널 750V 34A(티씨) 18V 59m옴 @ 17A, 18V 4.8V @ 8.89mA 63nC @ 18V +21V, -4V 500V에서 14600pF - 115W
R6530ENZ4C13 Rohm Semiconductor R6530ENZ4C13 6.8600
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 ECAD 486 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 R6530 MOSFET(금속) TO-247G 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-R6530ENZ4C13 EAR99 8541.29.0095 30 N채널 650V 30A(Tc) 10V 140m옴 @ 14.5A, 10V 4V @ 960μA 90nC @ 10V ±20V 2100pF @ 25V - 305W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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