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트랜지스터 (3592)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
SP8K31HZGTB Rohm Semiconductor SP8K31HZGTB 1.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SP8K31 MOSFET (금속 (() 2W (TA) 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-SP8K31HZGTBTR 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 60V 3.5A (TA) 120mohm @ 3.5a, 10V 2.5V @ 1mA 5.2NC @ 5V 250pf @ 10V -
DTA124TETL Rohm Semiconductor DTA124TETL 0.0678
RFQ
 ECAD 4034 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTA124 150 MW EMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 5MA 100 @ 1ma, 5V 250MHz 22 KOHMS
DTC144EMT2L Rohm Semiconductor DTC144EMT2L 0.4700
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 DTC144 150 MW VMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 50 v 30 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 47 Kohms 47 Kohms
DTA123YUAT106 Rohm Semiconductor DTA123YUAT106 0.0536
RFQ
 ECAD 5936 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-70, SOT-323 DTA123 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 33 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2 Kohms 10 KOHMS
RS1E280GNTB Rohm Semiconductor rs1e280gntb 1.0000
RFQ
 ECAD 557 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn RS1E MOSFET (금속 (() 8 시간 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 28A (TA) 4.5V, 10V 2.6MOHM @ 28A, 10V 2.5V @ 1mA 36 nc @ 10 v ± 20V 2300 pf @ 15 v - 3W (TA), 31W (TC)
RTF025N03TL Rohm Semiconductor RTF025N03TL 0.7100
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 리드 RTF025 MOSFET (금속 (() tumt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 2.5A (TA) 2.5V, 4.5V 67mohm @ 2.5a, 4.5v 1.5V @ 1mA 5.2 NC @ 4.5 v ± 12V 270 pf @ 10 v - 800MW (TA)
EMT1T2R Rohm Semiconductor EMT1T2R 0.3900
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 EMT1T2 150MW EMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 50V 150ma 100NA (ICBO) 2 PNP (() 500mv @ 5ma, 50ma 120 @ 1ma, 6V 140MHz
EMH10T2R Rohm Semiconductor EMH10T2R 0.3900
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 EMH10 150MW EMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 500µA, 10MA 56 @ 5MA, 5V 250MHz 22kohms 22kohms
R6014YND3TL1 Rohm Semiconductor R6014YND3TL1 2.9100
RFQ
 ECAD 7545 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 R6014 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 1 (무제한) 2,500 n 채널 600 v 14A (TC) 10V, 12V 260mohm @ 5a, 12v 6V @ 1.4ma 20 nc @ 10 v ± 30V 890 pf @ 100 v - 132W (TC)
DTB113ZKT146 Rohm Semiconductor DTB113ZKT146 0.3900
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTB113 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 MA 500NA pnp- 사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 56 @ 50MA, 5V 200MHz 1 KOHMS 10 KOHMS
2SK2103T100 Rohm Semiconductor 2SK2103T100 0.7700
RFQ
 ECAD 72 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SK2103 MOSFET (금속 (() MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1,000 n 채널 30 v 2A (TA) 4V, 10V 400mohm @ 1a, 10V 2.5V @ 1mA ± 20V 230 pf @ 10 v - 500MW (TA)
2SB1188T100R Rohm Semiconductor 2SB1188T100R 0.6400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SB1188 2 w MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 32 v 2 a 1µA (ICBO) PNP 800mv @ 200ma, 2a 180 @ 500ma, 3v 100MHz
DTDG23YPT100 Rohm Semiconductor DTDG23YPT100 0.7500
RFQ
 ECAD 3897 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-243AA DTDG23 1.5 w MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 60 v 1 a 500NA npn-사전- 400mv @ 5ma, 500ma 300 @ 500ma, 2V 80MHz 2.2 Kohms 22 KOHMS
DTD143TKT146 Rohm Semiconductor DTD143TKT146 0.4400
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTD143 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 500 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 100 @ 50MA, 5V 200MHz 4.7 Kohms
UMX3NTR Rohm Semiconductor umx3ntr 0.4400
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMX3 150MW UMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 150ma 100NA (ICBO) 2 NPN (() 400mv @ 5ma, 50ma 120 @ 1ma, 6V 180MHz
2SCR502EBHZGTL Rohm Semiconductor 2SCR502EBHZGTL 0.3900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-89, SOT-490 2SCR502 150 MW EMT3F (SOT-416FL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 500 MA 200NA (ICBO) NPN 300mv @ 10ma, 200ma 200 @ 100ma, 2v 360MHz
QH8K26TR Rohm Semiconductor QH8K26TR 0.9900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 QH8K26 MOSFET (금속 (() 1.1W (TA) TSMT8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 40V 7A (TA) 38mohm @ 7a, 10V 2.5V @ 1mA 2.9NC @ 5V 275pf @ 20V -
2SCR522UBTL Rohm Semiconductor 2SCR522UBTL 0.2100
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-85 2SCR522 200 MW umt3f 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 20 v 200 MA 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 10ma, 100ma 120 @ 1ma, 2v 400MHz
2SC4081T106Q Rohm Semiconductor 2SC4081T106Q 0.3600
RFQ
 ECAD 58 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 2SC4081 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 50ma 120 @ 1ma, 6V 180MHz
DTB743ZMT2L Rohm Semiconductor DTB743ZMT2L 0.1035
RFQ
 ECAD 3635 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SOT-723 DTB743 150 MW VMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 30 v 200 MA 500NA pnp- 사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 140 @ 100MA, 2V 260MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
DTA123JMFHAT2L Rohm Semiconductor DTA123JMFHAT2L 0.2800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 DTA123 150 MW VMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 100 MA - pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
SST4401HZGT116 Rohm Semiconductor SST4401HZGT116 0.2100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SST4401 200 MW SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 600 MA 100NA (ICBO) NPN 750mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 1V 250MHz
2SD1918TLQ Rohm Semiconductor 2SD1918TLQ 1.0200
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 2SD1918 10 W. CPT3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 160 v 1.5 a 1µA (ICBO) NPN 2V @ 100MA, 1A 120 @ 100MA, 5V 80MHz
SP8M70TB1 Rohm Semiconductor SP8M70TB1 -
RFQ
 ECAD 5282 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SP8M7 MOSFET (금속 (() 650MW 8-SOP - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,500 n 및 p 채널 250V 3A, 2.5A 1.63ohm @ 1.5a, 10V 4V @ 1MA 5.2NC @ 10V 180pf @ 25V -
DTC143ZKAT146 Rohm Semiconductor DTC143ZKAT146 0.2600
RFQ
 ECAD 106 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC143 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
DTA144ECAT116 Rohm Semiconductor DTA144ECAT116 0.2700
RFQ
 ECAD 890 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA144 200 MW SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 47 Kohms 47 Kohms
UM6J1NTN Rohm Semiconductor um6j1ntn 0.4800
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UM6J1 MOSFET (금속 (() 150MW UMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 30V 200ma 1.4ohm @ 200ma, 10V 2.5V @ 1mA - 30pf @ 10V 논리 논리 게이트
DTC015TEBTL Rohm Semiconductor DTC015TEBTL 0.1900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-89, SOT-490 DTC015 150 MW EMT3F (SOT-416FL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 150mv @ 250µa, 5mA 100 @ 5ma, 10V 250MHz 100 KOHMS
UMA8NTR Rohm Semiconductor uma8ntr 0.0848
RFQ
 ECAD 4722 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 UMA8 300MW UMT5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V - 10kohms 47kohms
DTC115EE3HZGTL Rohm Semiconductor dtc115ee3hzgtl 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTC115 150 MW EMT3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 82 @ 5MA, 5V 250MHz 100 KOHMS 100 KOHMS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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