SIC
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트랜지스터 (3592)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
2SA854STPQ Rohm Semiconductor 2SA854STPQ -
RFQ
 ECAD 4444 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 SC-72 형성 2 리드 300MW spt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 32 v 500 MA 1µA (ICBO) PNP 600mv @ 50ma, 500ma 120 @ 100MA, 3V 200MHz
DTDG14GPT100 Rohm Semiconductor DTDG14GPT100 0.6000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-243AA DTDG14 2 w MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 60 v 1 a 500NA (ICBO) npn-사전- 400mv @ 5ma, 500ma 300 @ 500ma, 2V 80MHz 10 KOHMS
SCT4026DRHRC15 Rohm Semiconductor SCT4026DRHRC15 22.9800
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 sicfet ((카바이드) TO-247-4L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-SCT4026DRHRC15 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 750 v 56A (TC) 18V 34mohm @ 29a, 18V 4.8V @ 15.4mA 94 NC @ 18 v +21V, -4V 2320 pf @ 500 v - 176W
MP6K14TCR Rohm Semiconductor MP6K14TCR -
RFQ
 ECAD 8299 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 MP6K14 MOSFET (금속 (() 2W MPT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 2 n 채널 (채널) 30V 8a 25mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 1mA 7.3NC @ 5V 470pf @ 10V 논리 논리 게이트
RS1P090ATTB1 Rohm Semiconductor RS1P090ATTB1 2.9100
RFQ
 ECAD 1024 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn RS1P090 MOSFET (금속 (() 8 시간 다운로드 1 (무제한) 2,500 p 채널 100 v 9A (TA), 33A (TC) 4.5V, 10V 34mohm @ 9a, 10V 2.5V @ 1mA 125 nc @ 10 v ± 20V 5650 pf @ 50 v - 3W (TA), 40W (TC)
RTQ025P02HZGTR Rohm Semiconductor rtq025p02hzgtr 0.7400
RFQ
 ECAD 164 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 RTQ025 MOSFET (금속 (() TSMT6 (SC-95) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 2.5A (TA) 2.5V, 4.5V 100mohm @ 2.5a, 4.5v 2V @ 1mA 6.4 NC @ 4.5 v ± 12V 580 pf @ 10 v - 950MW (TA)
RQ3P300BHTB1 Rohm Semiconductor RQ3P300BHTB1 2.4200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn RQ3P300 MOSFET (금속 (() 8-HSMT (3.2x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 39A (TA) 6V, 10V 15.5mohm @ 10a, 10V 4V @ 1MA 36 nc @ 10 v ± 20V 2040 pf @ 50 v - 2W (TA)
QS8J11TCR Rohm Semiconductor QS8J11TCR 0.2327
RFQ
 ECAD 8818 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 QS8J11 MOSFET (금속 (() 550MW TSMT8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 12V 3.5a 43mohm @ 3.5a, 4.5v 1V @ 1mA 22NC @ 4.5V 2600pf @ 6v 논리 논리 게이트, 1.5V 드라이브
DTA143TSATP Rohm Semiconductor DTA143TSATP -
RFQ
 ECAD 7272 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 SC-72 형성 2 리드 DTA143 300MW spt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 100 @ 1ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms
IMT18T110 Rohm Semiconductor IMT18T110 0.1676
RFQ
 ECAD 1051 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 IMT18 300MW smt6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 12V 500ma 100NA (ICBO) 2 PNP (() 250mv @ 10ma, 200ma 270 @ 10MA, 2V 260MHz
UMA7NTR Rohm Semiconductor uma7ntr 0.0848
RFQ
 ECAD 3160 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 UMA7 150MW UMT5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7kohms 10kohms
RZM002P02T2L Rohm Semiconductor RZM002P02T2L 0.3600
RFQ
 ECAD 165 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-723 RZM002 MOSFET (금속 (() VMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 p 채널 20 v 200MA (TA) 1.2V, 4.5V 1.2ohm @ 200ma, 4.5v 1V @ 100µA 1.4 NC @ 4.5 v ± 10V 115 pf @ 10 v - 150MW (TA)
DTC143EE3HZGTL Rohm Semiconductor DTC143EE3HZGTL 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTC143 150 MW EMT3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
DTA144TETL Rohm Semiconductor DTA144TETL 0.0678
RFQ
 ECAD 7637 0.00000000 Rohm 반도체 DTA144T 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTA144 EMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 5MA 100 @ 1ma, 5V 250MHz 47 Kohms
2SA1576AT106R Rohm Semiconductor 2SA1576AT106R 0.3000
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 2SA1576 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 5ma, 50ma 180 @ 1ma, 6V 140MHz
RX3G07BBGC16 Rohm Semiconductor RX3G07BBGC16 3.7100
RFQ
 ECAD 1334 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 RX3G07 MOSFET (금속 (() TO-220AB - Rohs3 준수 3 (168 시간) 846-RX3G07BBGC16 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 130A (TA), 70A (TC) 4.5V, 10V 3MOHM @ 70A, 10V 2.5V @ 1mA 56 NC @ 10 v ± 20V 3540 pf @ 20 v - 89W (TC)
DTC123EETL Rohm Semiconductor dtc123eetl 0.3500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTC123 150 MW EMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 20 @ 20ma, 5V 250MHz 2.2 Kohms 2.2 Kohms
QS6M4TR Rohm Semiconductor qs6m4tr 0.6000
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 QS6M4 MOSFET (금속 (() 1.25W TSMT6 (SC-95) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 30V, 20V 1.5A 230mohm @ 1.5a, 4.5v 1.5V @ 1mA 1.6NC @ 4.5V 80pf @ 10V 논리 논리 게이트
DTA114EE3HZGTL Rohm Semiconductor dta114ee3hzgtl 0.4100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTA114 150 MW EMT3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-dta114ee3hzgtltr 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 250MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
RSS100N03FU6TB Rohm Semiconductor RSS100N03FU6TB -
RFQ
 ECAD 8244 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RSS100 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 10A (TA) 4V, 10V 13mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 1mA 14 nc @ 5 v 20V 1070 pf @ 10 v - 2W (TA)
EMG6T2R Rohm Semiconductor emg6t2r 0.0801
RFQ
 ECAD 3200 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-SMD (5 d), 플랫 리드 EMG6T2 150MW EMT5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 50V 100ma 500NA (ICBO) 2 npn--바이어스 (듀얼) 300mv @ 1ma, 10ma 100 @ 1ma, 5V 250MHz 47kohms -
R6024KNJTL Rohm Semiconductor R6024KNJTL 4.0000
RFQ
 ECAD 8330 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB R6024 MOSFET (금속 (() lpt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 24A (TC) 10V 165mohm @ 11.3a, 10V 5V @ 1MA 45 NC @ 10 v ± 20V 2000 pf @ 25 v - 245W (TC)
BSM400D12P2G003 Rohm Semiconductor BSM400D12P2G003 2.0000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 기준 기준 BSM400 실리콘 실리콘 (sic) 2450W (TC) 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-BSM400D12P2G003 귀 99 8541.29.0095 4 2 n 채널 (채널 교량) 1200V (1.2kv) 400A (TC) - 4V @ 85MA - 38000pf @ 10V -
DTA124XKAT146 Rohm Semiconductor DTA124XKAT146 0.3100
RFQ
 ECAD 5323 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA124 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 50 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 22 KOHMS 47 Kohms
R6010ANX Rohm Semiconductor R6010anx 2.3862
RFQ
 ECAD 7247 0.00000000 Rohm 반도체 - 대부분 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 R6010 MOSFET (금속 (() TO-220FM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 600 v 10A (TA) 10V - - ± 30V - 50W (TC)
FMG1AT148 Rohm Semiconductor FMG1AT148 0.1479
RFQ
 ECAD 2579 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-74A, SOT-753 FMG1 300MW SMT5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 500µA, 10MA 56 @ 5MA, 5V 250MHz 22kohms 22kohms
UT6KC5TCR Rohm Semiconductor UT6KC5TCR 1.6200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerudfn UT6KC5 MOSFET (금속 (() 2W (TA) DFN2020-8D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 3.5A (TA) 95mohm @ 3.5a, 10V 2.5V @ 1mA 3.1NC @ 10V 135pf @ 30v -
2SA2018E3HZGTL Rohm Semiconductor 2SA2018E3HZGTL 0.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 2SA2018 150 MW EMT3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 12 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 250mv @ 10ma, 200ma 270 @ 10MA, 2V 260MHz
DTD113ZCT116 Rohm Semiconductor DTD113ZCT116 0.3800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTD113 200 MW SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 MA 500NA npn-사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 82 @ 50MA, 5V 200MHz 1 KOHMS 10 KOHMS
2SCR372PFRAT100Q Rohm Semiconductor 2SCR372PFRAT100Q 0.3494
RFQ
 ECAD 5937 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SCR372 500MW MPT3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 120 v 700 MA 1µA (ICBO) NPN 300mv @ 50ma, 500ma 120 @ 100MA, 5V 220MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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