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트랜지스터 (3592)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | DTC024XMT2L | 0.3000 |  | 3 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOT-723 | DTC024 | 150 MW | VMT3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 v | 50 MA | 500NA | npn-사전- | 150MV @ 500µA, 5MA | 80 @ 5ma, 10V | 250MHz | 22 KOHMS | 47 Kohms | ||||||||||||||||
 | qs5u34tr | 0.5600 | | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C | 표면 표면 | SOT-23-5 THIN, TSOT-23-5 | QS5U34 | MOSFET (금속 (() | TSMT5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 1.5A (TA) | 1.8V, 4.5V | 180mohm @ 1.5a, 4.5v | 1.3v @ 1ma | 2.5 NC @ 4.5 v | 10V | 110 pf @ 10 v | Schottky 분리 (다이오드) | 1.25W (TA) | |||||||||||||
 | dtc114ye3hzgtl | 0.4100 | | 3 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-75, SOT-416 | DTC114 | 150 MW | EMT3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 846-DTC114YE3HZGTLCT | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 500NA | npn-사전- | 300MV @ 250µA, 5MA | 68 @ 5MA, 5V | 250MHz | 10 KOHMS | 47 Kohms | ||||||||||||||||
| SCT4026DW7TL | 19.2700 | | 1 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA | sicfet ((카바이드) | TO-263-7L | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 750 v | 51A (TJ) | 18V | 34mohm @ 29a, 18V | 4.8V @ 15.4mA | 94 NC @ 18 v | +21V, -4V | 2320 pf @ 500 v | - | 150W | |||||||||||||||
 | qsx5tr | - | | 5054 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | QSX | 1.25 w | TSMT6 (SC-95) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 3,000 | 12 v | 2 a | 100NA (ICBO) | NPN | 180mv @ 50ma, 1a | 270 @ 200MA, 2V | 360MHz | |||||||||||||||||
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 | BSM250D17P2E004 | 1.0000 | | 3 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 상자 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | BSM250 | 실리콘 실리콘 (sic) | 1800W (TC) | 기준 기준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4 | 2 n 채널 (채널 교량) | 1700V (1.7kv) | 250A (TC) | - | 4V @ 66MA | - | 30000pf @ 10V | - | |||||||||||||||
 | SH8K25GZ0TB | 0.7300 | | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SH8K25 | MOSFET (금속 (() | 2W (TA) | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 40V | 5.2A (TA) | 85mohm @ 5.2a, 10V | 2.5V @ 1mA | 1.7NC @ 5V | 100pf @ 10V | - | |||||||||||||||
 | 2SK3019TL | 0.3800 | | 15 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-75, SOT-416 | 2SK3019 | MOSFET (금속 (() | EMT3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 100MA (TA) | 2.5V, 4V | 8ohm @ 10ma, 4v | 1.5V @ 100µa | ± 20V | 13 pf @ 5 v | - | 150MW (TA) | ||||||||||||||
| SP8M8TB | - | | 7833 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SP8M8 | MOSFET (금속 (() | 2W | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 및 p 채널 | 30V | 6A, 4.5A | 30mohm @ 6a, 10V | 2.5V @ 1mA | 7.2NC @ 5V | 520pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||
| qs5u23tr | 0.2451 | | 2702 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-5 THIN, TSOT-23-5 | QS5U23 | MOSFET (금속 (() | TSMT5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 1.5A (TA) | 2.5V, 4.5V | 200mohm @ 1.5a, 4.5v | 2V @ 1mA | 4.2 NC @ 4.5 v | ± 12V | 325 pf @ 10 v | Schottky 분리 (다이오드) | 1.25W (TA) | |||||||||||||
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 | 2SK2740 | - | | 7821 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | 2SK27 | MOSFET (금속 (() | TO-220FN | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 600 v | 7A (TA) | 10V | 1.2ohm @ 4a, 10V | 4V @ 1MA | ± 30V | 1050 pf @ 10 v | - | 30W (TC) | ||||||||||||||
 | IMH2AT110 | 0.4000 | | 6958 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-74, SOT-457 | IMH2 | 300MW | smt6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100ma | 500NA | 2 npn--바이어스 (듀얼) | 300MV @ 500µA, 10MA | 68 @ 5MA, 5V | 250MHz | 47kohms | 47kohms | ||||||||||||||||
| DTA023YMT2L | 0.2400 | | 7 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOT-723 | DTA023 | 150 MW | VMT3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 v | 100 MA | - | pnp- 사전- | 150MV @ 500µA, 5MA | 35 @ 5MA, 10V | 250MHz | 2.2 Kohms | 10 KOHMS | ||||||||||||||||
 | R6015ENJTL | 4.0000 | | 4 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | R6015 | MOSFET (금속 (() | lpt | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 15A (TC) | 10V | 290mohm @ 6.5a, 10V | 4V @ 1MA | 40 nc @ 10 v | ± 20V | 910 pf @ 25 v | - | 40W (TC) | |||||||||||||
 | 2SCR543RTL | 0.6500 | | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-96 | 2SCR543 | 1 W. | TSMT3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 3,000 | 50 v | 3 a | 1µA (ICBO) | NPN | 350MV @ 100MA, 2A | 180 @ 100MA, 3V | 300MHz | |||||||||||||||||
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 | 2SB1181TLP | 0.3735 | | 6426 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | 2SB1181 | 1 W. | CPT3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 2,500 | 80 v | 1 a | 1µA (ICBO) | PNP | 400mv @ 50ma, 500ma | 82 @ 100MA, 3V | 100MHz | |||||||||||||||||
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 | rze002p02tl | 0.3900 | | 109 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-75, SOT-416 | Rze002 | MOSFET (금속 (() | EMT3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 200MA (TA) | 1.2V, 4.5V | 1.2ohm @ 200ma, 4.5v | 1V @ 100µA | 1.4 NC @ 4.5 v | ± 10V | 115 pf @ 10 v | - | 150MW (TA) | |||||||||||||
| rp1e075rptr | - | | 5780 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-SMD,, 리드 | RP1E075 | MOSFET (금속 (() | MPT6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | p 채널 | 30 v | 7.5A (TA) | 4V, 10V | 21mohm @ 7.5a, 10V | 2.5V @ 1mA | 21 NC @ 5 v | ± 20V | 1900 pf @ 10 v | - | 2W (TA) | |||||||||||||
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 | EMT1T2R | 0.3900 | | 38 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | EMT1T2 | 150MW | EMT6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50V | 150ma | 100NA (ICBO) | 2 PNP (() | 500mv @ 5ma, 50ma | 120 @ 1ma, 6V | 140MHz | |||||||||||||||||
| 2SD2114KT146V | 0.4100 | | 10 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2SD2114 | 200 MW | smt3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 20 v | 500 MA | 500NA (ICBO) | NPN | 400mv @ 20ma, 500ma | 820 @ 10ma, 3v | 350MHz | |||||||||||||||||
 | R6524ENXC7G | 5.5800 | | 1 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | R6524 | MOSFET (금속 (() | TO-220FM | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 846-R6524ENXC7G | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 650 v | 24A (TA) | 10V | 185mohm @ 11.3a, 10V | 4V @ 750µA | 70 nc @ 10 v | ± 20V | 1650 pf @ 25 v | - | 74W (TC) | ||||||||||||
| RRS040P03FRATB | 0.3489 | | 2760 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | RRS040 | MOSFET (금속 (() | 8-SOP | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 30 v | 4A (TA) | 4V, 10V | 75mohm @ 4a, 10V | 2.5V @ 1mA | 5.2 NC @ 5 v | ± 20V | 480 pf @ 10 v | - | 2W (TA) | ||||||||||||||
 | tt8m2tr | 0.3578 | | 4924 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-smd,, 리드 | TT8M2 | MOSFET (금속 (() | 1.25W | 8-TSST | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 및 p 채널 | 30V, 20V | 2.5A | 90mohm @ 2.5a, 4.5v | 1.5V @ 1mA | 3.2NC @ 4.5V | 180pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||
| SP8M41HZGTB | 1.6200 | | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SP8M41 | MOSFET (금속 (() | 2W (TA) | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 및 p 채널 | 80V | 3.4A (TA), 2.6A (TA) | 130mohm @ 3.4a, 10v, 240mohm @ 2.6a, 10v | 2.5V @ 1mA | 9.2NC @ 5V, 11.5NC @ 5V | 600pf @ 10V, 1000pf @ 10V | - |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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