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트랜지스터(3592)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 최대 공급업체 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 테스트 조건 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 역복구 시간(trr) IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 카드가 사라졌습니다 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
SCT3060ARHRC15 Rohm Semiconductor SCT3060ARHRC15 2000년 15월
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 ECAD 6091 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-4 SCT3060 MOSFET(금속) TO-247-4L 다운로드 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-SCT3060ARHRC15 EAR99 8541.29.0095 450 N채널 650V 39A(Tc) 18V 78m옴 @ 13A, 18V 5.6V @ 6.67mA 58nC @ 18V +22V, -4V 500V에서 852pF - 165W
R5205PND3FRATL Rohm Semiconductor R5205PND3FRATL 2.2800
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 R5205 MOSFET(금속) TO-252 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 525V 5A(Tc) 10V 1.6옴 @ 2.5A, 10V 4.5V @ 1mA 10.8nC @ 10V ±30V 320pF @ 25V - 65W(Tc)
SH8K32TB1 Rohm Semiconductor SH8K32TB1 1.7000
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 ECAD 10 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) SH8K32 MOSFET(금속) 2W 8-SOP(5.0x6.0) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 2 N채널(듀얼) 60V 4.5A 65m옴 @ 4.5A, 10V 2.5V @ 1mA 10nC @ 5V 500pF @ 10V 게임 레벨 레벨
SP8K1FRATB Rohm Semiconductor SP8K1FRATB 1.3400
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) SP8K1 MOSFET(금속) 1.4W(타) 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 2 N채널(듀얼) 30V 5A(타) 51m옴 @ 5A, 10V 2.5V @ 1mA 5.5nC @ 5V 230pF @ 10V -
BC847CHZGT116 Rohm Semiconductor BC847CHZGT116 0.4200
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200mW SST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 45V 100mA 15nA(ICBO) NPN 400mV @ 5mA, 100mA 420 @ 2mA, 5V 300MHz
2SAR583D3FRATL Rohm Semiconductor 2SAR583D3FRATL 2.5500
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 10W TO-252 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 50V 7A 1μA(ICBO) PNP 400mV @ 150mA, 3A 180@1mA, 3V 230MHz
RCX050N25 Rohm Semiconductor RCX050N25 1.0786
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 ECAD 5457 0.00000000 로옴 - 대부분 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 RCX050 MOSFET(금속) TO-220FM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 500 N채널 250V 5A(타) 10V 1100m옴 @ 2.5A, 10V 5.5V @ 1mA 9nC @ 10V ±30V 25V에서 410pF - 30W(Tc)
RGT40NL65DGTL Rohm Semiconductor RGT40NL65DGTL 3.1400
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 ECAD 5306 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB RGT40 기준 161W LPDS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 400V, 20A, 10옴, 15V 58ns 트렌치 필드스톱 650V 40A 60A 2.1V @ 15V, 20A - 40nC 22ns/75ns
DTA124XE3HZGTL Rohm Semiconductor DTA124XE3HZGTL 0.4100
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 DTA124 150mW EMT3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-DTA124XE3HZGTLCT EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 68 @ 5mA, 5V 250MHz 22kΩ 47kΩ
RS1E200GNTB Rohm Semiconductor RS1E200GNTB 0.8600
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN RS1E MOSFET(금속) 8-HSOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 20A(타) 4.5V, 10V 4.6m옴 @ 20A, 10V 2.5V @ 1mA 16.8nC @ 10V ±20V 1080pF @ 15V - 3W(Ta), 25.1W(Tc)
US6J12TCR Rohm Semiconductor US6J12TCR 0.6100
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 ECAD 8977 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 US6J12 MOSFET(금속) 910mW(타) TUMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 2 P채널(듀얼) 12V 2A(타) 105m옴 @ 2A, 4.5V 1V @ 1mA 7.6nC @ 4.5V 850pF @ 6V -
DTD513ZMGT2L Rohm Semiconductor DTD513ZMGT2L 0.4600
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 ECAD 90 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 SOT-723 DTD513 150mW VMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 12V 500mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 300mV @ 5mA, 100mA 140 @ 100mA, 2V 260MHz 1kΩ 10kΩ
DTC115TCAT116 Rohm Semiconductor DTC115TCAT116 0.3500
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC115 200mW SST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 100μA에서 300mV, 1mA 100 @ 1mA, 5V 250MHz 100kΩ
RUF025N02FRATL Rohm Semiconductor RUF025N02FRATL 0.4100
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 ECAD 6 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 3-SMD, 플랫 리드 RUF025 MOSFET(금속) TUMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 20V 2.5A(타) 1.5V, 4.5V 54m옴 @ 2.5A, 4.5V 1.3V @ 1mA 5nC @ 4.5V ±10V 10V에서 370pF - 800mW(타)
RD3L140SPTL1 Rohm Semiconductor RD3L140SPTL1 1.7200
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 ECAD 22 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 RD3L140 MOSFET(금속) TO-252 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 P채널 60V 14A(타) 4V, 10V 84m옴 @ 14A, 10V 3V @ 1mA 27nC @ 10V ±20V 1900pF @ 10V - 20W(Tc)
RH6P040BHTB1 Rohm Semiconductor RH6P040BHTB1 1.8400
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 ECAD 5 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN MOSFET(금속) 8-HSMT(3.2x3) 다운로드 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-RH6P040BHTB1CT EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 100V 40A(Tc) 6V, 10V 15.6m옴 @ 40A, 10V 4V @ 1mA 16.7nC @ 10V ±20V 50V에서 1080pF - 59W(Tc)
QH8KB6TCR Rohm Semiconductor QH8KB6TCR 1.1100
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 ECAD 5 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-SMD, 플랫 리드 QH8KB6 MOSFET(금속) 1.1W(타) TSMT8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 40V 8A(타) 17.7m옴 @ 8A, 10V 2.5V @ 1mA 10.6nC @ 10V 530pF @ 20V -
RV4C020ZPHZGTCR1 Rohm Semiconductor RV4C020ZPHZGTCR1 0.7200
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장, 일부 6-파워WFDFN RV4C020 MOSFET(금속) DFN1616-6W 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 20V 2A(타) 1.5V, 4.5V 260m옴 @ 2A, 4.5V 1.3V @ 1mA 2nC @ 4.5V ±8V 10V에서 80pF - 1.5W(타)
R6020PNJFRATL Rohm Semiconductor R6020PNJFRATL 6.4800
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 ECAD 693 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB R6020 MOSFET(금속) LPTS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 600V 20A(TC) 10V 250m옴 @ 10A, 10V 4.5V @ 1mA 65nC @ 10V ±30V 2040pF @ 25V - 304W(Tc)
IMT18T110 Rohm Semiconductor IMT18T110 0.1676
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 ECAD 1051 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-74, SOT-457 IMT18 300mW SMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 12V 500mA 100nA(ICBO) 2 PNP(이중) 250mV @ 10mA, 200mA 270@10mA, 2V 260MHz
R6504KNXC7G Rohm Semiconductor R6504KNXC7G 2.5300
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 ECAD 995 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 R6504 MOSFET(금속) TO-220FM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-R6504KNXC7G EAR99 8541.29.0095 50 N채널 650V 4A(타) 10V 1.05옴 @ 1.5A, 10V 5V @ 130μA 10nC @ 10V ±20V 270pF @ 25V - 40W(Tc)
RGWS00TS65DGC13 Rohm Semiconductor RGWS00TS65DGC13 6.4000
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 ECAD 2348 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 RGWS00 기준 245W TO-247G 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-RGWS00TS65DGC13 EAR99 8541.29.0095 30 400V, 50A, 10옴, 15V 88ns 트렌치 필드스톱 650V 88A 150A 2V @ 15V, 50A 980μJ(켜짐), 910μJ(꺼짐) 108nC 46ns/145ns
RGCL60TS60DGC13 Rohm Semiconductor RGCL60TS60DGC13 6.2500
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 ECAD 9655 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 RGCL60 기준 111W TO-247G 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-RGCL60TS60DGC13 EAR99 8541.29.0095 30 400V, 30A, 10옴, 15V 58ns 트렌치 필드스톱 600V 48A 120A 1.8V @ 15V, 30A 770μJ(켜짐), 1.11mJ(꺼짐) 68nC 44ns/186ns
SCT3040KRC14 Rohm Semiconductor SCT3040KRC14 54.0100
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 ECAD 917 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-4 SCT3040 SiCFET(탄화규소) TO-247-4L 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 N채널 1200V 55A(Tc) 18V 52m옴 @ 20A, 18V 5.6V @ 10mA 107nC @ 18V +22V, -4V 800V에서 1337pF - 262W
EMG5T2R Rohm Semiconductor EMG5T2R 0.3800
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 ECAD 7 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-SMD(5리드), 플랫 리드 EMG5T2 150mW EMT5 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 68 @ 5mA, 5V 250MHz 10k옴 47k옴
RRS040P03FRATB Rohm Semiconductor RRS040P03FRATB 0.3489
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 ECAD 2760 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) RRS040 MOSFET(금속) 8-SOP 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 P채널 30V 4A(타) 4V, 10V 75m옴 @ 4A, 10V 2.5V @ 1mA 5.2nC @ 5V ±20V 10V에서 480pF - 2W(타)
DTA143EUBHZGTL Rohm Semiconductor DTA143EUBHZGTL 0.2200
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 ECAD 390 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 SC-85 DTA143 200mW UMT3F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 100mA - PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 30 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ 4.7kΩ
RS3E130ATTB1 Rohm Semiconductor RS3E130ATTB1 2.0500
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) RS3E MOSFET(금속) 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 P채널 30V 13A(타) 4.5V, 10V 8.5m옴 @ 13A, 10V 2.5V @ 2mA 83nC @ 10V ±20V 3730pF @ 15V - 1.4W(타)
R6035ENZC17 Rohm Semiconductor R6035ENZC17 7.8500
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 ECAD 300 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3 풀팩 R6035 MOSFET(금속) TO-3PF 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-R6035ENZC17 EAR99 8541.29.0095 30 N채널 600V 35A(Tc) 10V 102m옴 @ 18.1A, 10V 4V @ 1mA 110nC @ 10V ±20V 2720pF @ 25V - 120W(Tc)
R6535ENZC8 Rohm Semiconductor R6535ENZC8 -
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 ECAD 4858 0.00000000 로옴 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3 풀팩 R6535 MOSFET(금속) TO-3PF 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. 846-R6535ENZC8 EAR99 8541.29.0095 30 N채널 650V 35A(Tc) 10V 115m옴 @ 18.1A, 10V 4V @ 1.21mA 110nC @ 10V ±20V 25V에서 2600pF - 102W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

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