- RFQ
- Bom
- 저희에게 연락하십시오
전화 : +86-0755-83501315
- 중국인
- 영어
- 프랑스 국민
- 독일 사람
- 포르투갈 인
- 스페인 사람
- 러시아인
- 일본어
- 한국인
- 아라비아 말
- 아일랜드
- 그리스 사람
- 터키
- 이탈리아 사람
- 덴마크 말
- 루마니아 사람
- 인도네시아 인
- 체코 사람
- 아프리카 어
- 스웨덴어
- 광택
- 바스크 사람
- 카탈로니아 사람
- 에스페란토 말
- 힌디 어
- 라오
- 알바니아
- 암하라
- 아르메니아 사람
- 아제르바이잔
- 벨로루시
- 벵골 사람
- 보스니아 인
- 불가리아 사람
- 세부 노
- Chichewa
- 코르시칸
- 크로아티아
- 네덜란드 사람
- 에스토니아 사람
- 필리핀
- 핀란드
- 프리 시안
- 갈리시아어
- 그루지야 사람
- 구자라트
- 아이티 섬 사람
- 하우사
- 하와이
- 헤브라이 사람
- 몽족
- 헝가리 인
- 아이슬란드
- Igbo
- 자바어
- 칸나다어
- 카자흐
- 크메르
- 쿠르드족
- 키르기즈
- 라틴어
- 라트비아 사람
- 리투아니아 사람
- 룩셈부 ..
- 마케도니아 어
- 마다가스카르 사람
- 말레이 사람
- 말라 얄 람어
- 몰티즈
- 마오리족
- 마라 티
- 몽고 어
- 버마 사람
- 네팔
- 노르웨이 인
- 파슈토
- 페르시아 인
- 펀 자브
- 세르비아 사람
- 세소 토
- 신 할라
- 슬로바키아 사람
- 슬로베니아
- 소말리아
- 사모아
- 스코틀랜드 게 일어
- 쇼나
- 신디
- Sundanese
- 스와 할리
- 태조
- 타밀 사람
- 텔루구 어
- 태국
- 우크라이나 말
- 우르두어
- 우즈벡
- 베트남 사람
- 웨일스 말
- Xhosa
- 이디시어
- 요 루바
- 줄루 족
- Kinyarwanda
- 타타르
- 오리 야
- 투르크멘 말
- uyghur
트랜지스터 (3592)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2SD1863TV2Q | - |  | 4069 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 3-sip | 2SD1863 | 1 W. | ATV | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 2,500 | 80 v | 1 a | 1µA (ICBO) | NPN | 400mv @ 20ma, 500ma | 120 @ 500ma, 3v | 100MHz | |||||||||||||||||
 | SP8J5FU6TB | - | | 5786 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SP8J5 | MOSFET (금속 (() | 2W | 8-SOP | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 p 채널 (채널) | 30V | 7a | 28mohm @ 7a, 10V | 2.5V @ 1mA | 25NC @ 5V | 2600pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||
 | UMT4403U3HZGT106 | 0.6100 | | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | UMT4403 | 200 MW | UMT3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40 v | 600 MA | 100NA (ICBO) | PNP | 750mv @ 50ma, 500ma | 100 @ 150ma, 1V | 200MHz | |||||||||||||||||
 | dtc113ze3hzgtl | 0.4100 | | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-75, SOT-416 | DTC113 | 150 MW | EMT3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 500NA | npn-사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 33 @ 5MA, 5V | 250MHz | 1 KOHMS | 10 KOHMS | |||||||||||||||||
 | umd6ntr | 0.4400 | | 9 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | UMD6 | 150MW | UMT6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100ma | - | 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) | 300MV @ 250µA, 5MA | 100 @ 1ma, 5V | 250MHz | 4.7kohms | - | ||||||||||||||||
 | 2SA1037AKT146Q | 0.2800 | | 18 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2SA1037 | 200 MW | smt3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 150 MA | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 5ma, 50ma | 120 @ 1ma, 6V | 140MHz | |||||||||||||||||
 | QS8M12TCR | 0.3776 | | 1980 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-smd,, 리드 | QS8M12 | MOSFET (금속 (() | 1.5W | TSMT8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 및 p 채널 | 30V | 4a | 42mohm @ 4a, 10V | 2.5V @ 1mA | 3.4NC @ 5V | 250pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||
 | RQ5E070BNTCL | 0.7500 | | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-96 | RQ5E070 | MOSFET (금속 (() | TSMT3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 7A (TC) | 10V | 16.1mohm @ 7a, 10V | 2.5V @ 1mA | 23 nc @ 10 v | ± 20V | 950 pf @ 15 v | - | 1W (TC) | |||||||||||||
 | DTA114TETL | 0.0678 | | 4855 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-75, SOT-416 | DTA114 | 150 MW | EMT3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 500NA (ICBO) | pnp- 사전- | 300mv @ 1ma, 10ma | 100 @ 1ma, 5V | 250MHz | 10 KOHMS | |||||||||||||||||
| 2SB1237TV2Q | - | | 7438 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 3-sip | 1 W. | ATV | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 2,500 | 32 v | 1 a | 500NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 50ma, 500ma | 120 @ 100MA, 3V | 150MHz | ||||||||||||||||||
| DTC114EU3T106 | 0.2000 | | 28 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | DTC114 | 200 MW | UMT3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 100 MA | - | npn-사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 30 @ 5MA, 5V | 250MHz | 10 KOHMS | 10 KOHMS | |||||||||||||||||
 | DTD123YCHZGT116 | 0.3700 | | 4 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DTD123 | 200 MW | SST3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 500 MA | 500NA | npn-사전- | 300mv @ 2.5ma, 50ma | 56 @ 50MA, 5V | 200MHz | 2.2 Kohms | 10 KOHMS | ||||||||||||||||
| US6T9tr | 0.2300 | | 2253 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | US6T9 | 400MW | UMT6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30V | 1A | 100NA (ICBO) | 2 PNP (() | 350MV @ 25MA, 500MA | 270 @ 100MA, 2V | 320MHz | |||||||||||||||||
| SP8K2TB | 1.0000 | | 35 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SP8K2 | MOSFET (금속 (() | 2W | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 6A | 30mohm @ 6a, 10V | 2.5V @ 1mA | 10.1nc @ 5v | 520pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||
| DTD123TCT116 | 0.3700 | | 36 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DTD123 | 200 MW | SST3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40 v | 500 MA | 500NA (ICBO) | npn-사전- | 300mv @ 2.5ma, 50ma | 100 @ 50MA, 5V | 200MHz | 2.2 Kohms | |||||||||||||||||
 | vt6z2t2r | 0.1045 | | 7139 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-SMD | vt6z2 | 150MW | VMT6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50V | 100ma | 100NA (ICBO) | NPN, PNP | 300mv @ 5ma, 50ma | 120 @ 1ma, 6V | 350MHz | |||||||||||||||||
 | RSJ400N10TL | 3.8400 | | 15 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | RSJ400 | MOSFET (금속 (() | lpt | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 100 v | 40A (TC) | 4V, 10V | 27mohm @ 40a, 10V | 2.5V @ 1mA | 90 NC @ 10 v | ± 20V | 3600 pf @ 25 v | - | 1.35W (TA), 50W (TC) | |||||||||||||
 | sct3030aw7tl | 39.5900 | | 437 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA | SCT3030 | sicfet ((카바이드) | TO-263-7 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 650 v | 70A (TC) | 39mohm @ 27a, 18V | 5.6v @ 13.3ma | 104 NC @ 18 v | +22V, -4V | 1526 pf @ 500 v | - | 267W | ||||||||||||||
 | DTA043TUBTL | 0.0536 | | 1772 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | DTA043T | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-85 | DTA043 | 200 MW | umt3f | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 500NA (ICBO) | pnp- 사전- | 150MV @ 500µA, 5MA | 100 @ 5ma, 10V | 250MHz | 4.7 Kohms | |||||||||||||||||
 | RCX080N25 | 1.3000 | | 442 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | RCX080 | MOSFET (금속 (() | TO-220FM | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 250 v | 8A (TC) | 10V | 600mohm @ 4a, 10V | 5V @ 1MA | 15 nc @ 10 v | ± 30V | 840 pf @ 25 v | - | 2.23W (TA), 35W (TC) | |||||||||||||
| DTC143EKAT146 | 0.2700 | | 648 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DTC143 | 200 MW | smt3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 500NA | npn-사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 30 @ 10ma, 5V | 250MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | ||||||||||||||||
| DTC113ZUAT106 | 0.2600 | | 4 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | DTC113 | 200 MW | UMT3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 500NA | npn-사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 33 @ 5MA, 5V | 250MHz | 1 KOHMS | 10 KOHMS | ||||||||||||||||
 | DTC143TSATP | - | | 2512 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | SC-72 형성 2 리드 | DTC143 | 300MW | spt | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 50 v | 100 MA | 500NA (ICBO) | npn-사전- | 300MV @ 250µA, 5MA | 100 @ 1ma, 5V | 250MHz | 4.7 Kohms | |||||||||||||||||
| DTA124EUAT106 | 0.2600 | | 12 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | DTA124 | 200 MW | UMT3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 30 MA | 500NA | pnp- 사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 56 @ 5MA, 5V | 250MHz | 22 KOHMS | 22 KOHMS | ||||||||||||||||
 | tt8j11tcr | 0.6600 | | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-smd,, 리드 | TT8J11 | MOSFET (금속 (() | 650MW | 8-TSST | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 12V | 3.5a | 43mohm @ 3.5a, 4.5v | 1V @ 1mA | 22NC @ 4.5V | 2600pf @ 6v | 논리 논리 게이트, 1.5V 드라이브 | |||||||||||||||
 | R6050JNZC8 | - | | 7204 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3 p 팩 | R6050 | MOSFET (금속 (() | to-3pf | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 846-R6050JNZC8 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 600 v | 50A (TC) | 15V | 83mohm @ 25a, 15V | 7V @ 5MA | 120 nc @ 15 v | ± 30V | 4500 pf @ 100 v | - | 120W (TC) | ||||||||||||
 | RMW180N03TB | 1.0200 | | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | * | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,500 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SB1590KT146Q | 0.1857 | | 3 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2SB1590 | 200 MW | smt3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 15 v | 1 a | 500NA (ICBO) | PNP | 300mv @ 20ma, 400ma | 120 @ 500ma, 2V | 200MHz | |||||||||||||||||
| DTB123TCT116 | 0.0658 | | 6757 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DTB123 | 200 MW | SST3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40 v | 500 MA | 500NA (ICBO) | pnp- 사전- | 300mv @ 2.5ma, 50ma | 100 @ 50MA, 5V | 200MHz | 2.2 Kohms | |||||||||||||||||
 | qsx3tr | - | | 6286 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | QSX | 1.25 w | TSMT6 (SC-95) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 3,000 | 30 v | 5 a | 100NA (ICBO) | NPN | 250MV @ 30MA, 1.5A | 270 @ 500ma, 2V | 360MHz |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
위시리스트 (0 항목)