SIC
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트랜지스터 (3592)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
RW1A025APT2CR Rohm Semiconductor RW1A025APT2CR -
RFQ
 ECAD 4370 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 RW1A025 MOSFET (금속 (() 6-wemt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 p 채널 12 v 2.5A (TA) 1.5V, 4.5V 62mohm @ 2.5a, 4.5v 1V @ 1mA 16 nc @ 4.5 v -8V 2000 pf @ 6 v - 400MW (TA)
US6J11TR Rohm Semiconductor US6J11tr 0.6700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 US6J11 MOSFET (금속 (() 320MW Tumt6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 12V 1.3a 260mohm @ 1.3a, 4.5v 1V @ 1mA 2.4NC @ 4.5V 290pf @ 6v 논리 논리 게이트
DTA124TETL Rohm Semiconductor DTA124TETL 0.0678
RFQ
 ECAD 4034 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTA124 150 MW EMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 5MA 100 @ 1ma, 5V 250MHz 22 KOHMS
2SB1189T100Q Rohm Semiconductor 2SB1189T100Q 0.5300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SB1189 2 w MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 80 v 700 MA 500NA (ICBO) PNP 400mv @ 50ma, 500ma 120 @ 100MA, 3V 100MHz
QH8JB5TCR Rohm Semiconductor QH8JB5TCR 1.2600
RFQ
 ECAD 662 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 QH8JB5 MOSFET (금속 (() 1.1W (TA) TSMT8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 40V 5A (TA) 41mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 1mA 17.2NC @ 10V 920pf @ 20V -
RP1E070XNTCR Rohm Semiconductor rp1e070xntcr -
RFQ
 ECAD 8467 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 RP1E070 MOSFET (금속 (() MPT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 30 v 7A (TA) 4V, 10V 28mohm @ 7a, 10V 2.5V @ 1mA 5.8 NC @ 5 v ± 20V 390 pf @ 10 v - 2W (TA)
DTA043TEBTL Rohm Semiconductor DTA043TEBTL 0.1900
RFQ
 ECAD 6650 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-89, SOT-490 DTA043 150 MW EMT3F (SOT-416FL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) pnp- 사전- 150MV @ 500µA, 5MA 100 @ 5ma, 10V 250MHz 4.7 Kohms
UMB6NTR Rohm Semiconductor umb6ntr 0.0848
RFQ
 ECAD 2555 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMB6 150MW UMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 30ma 500NA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 47kohms 47kohms
EMF17T2R Rohm Semiconductor EMF17T2R 0.1035
RFQ
 ECAD 4005 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SOT-563, SOT-666 EMF17 150MW EMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 50V 100ma, 150ma 500NA 1 npn 프리 n, 1 pnp 300mv @ 500µa, 10ma / 500mv @ 5ma, 50ma 20 @ 20ma, 5v / 180 @ 1ma, 6v 250MHz, 140MHz 2.2kohms 2.2kohms
UMH10NTN Rohm Semiconductor umh10ntn 0.4300
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMH10 150MW UMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2kohms 47kohms
RSS070P05FU6TB Rohm Semiconductor RSS070P05FU6TB -
RFQ
 ECAD 2505 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RSS070 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 45 v 7A (TA) 4V, 10V 27mohm @ 7a, 10V - 47.6 NC @ 5 v ± 20V 4100 pf @ 10 v - 2W (TA)
SCT4045DEHRC11 Rohm Semiconductor SCT4045DEHRC11 15.2900
RFQ
 ECAD 460 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 sicfet ((카바이드) TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-SCT4045DEHRC11 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 750 v 34A (TC) 18V 59mohm @ 17a, 18V 4.8V @ 8.89ma 63 NC @ 18 v +21V, -4V 1460 pf @ 500 v - 115W
RRR030P03TL Rohm Semiconductor RRR030P03TL 0.6000
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 RRR030 MOSFET (금속 (() TSMT3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 3A (TA) 4V, 10V 75mohm @ 3a, 10V 2.5V @ 1mA 5.2 NC @ 5 v ± 20V 480 pf @ 10 v - 1W (TA)
RCJ081N20TL Rohm Semiconductor RCJ081N20TL 1.1600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RCJ081 MOSFET (금속 (() lpt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 200 v 8A (TC) 10V 770mohm @ 4a, 10V 5.25V @ 1mA 8.5 NC @ 10 v ± 30V 330 pf @ 25 v - 1.56W (TA), 40W (TC)
DTC143TCAHZGT116 Rohm Semiconductor DTC143TCAHZGT116 0.2100
RFQ
 ECAD 4328 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC143 350 MW SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 100 @ 1ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms
2SC5824T100R Rohm Semiconductor 2SC5824T100R 0.6600
RFQ
 ECAD 4800 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SC5824 2 w MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 60 v 3 a 1µA (ICBO) NPN 500mv @ 200ma, 2a 180 @ 100MA, 2V 200MHz
2SA1579U3T106S Rohm Semiconductor 2SA1579U3T106S 0.4900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 2SA1579 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-2SA1579U3T106str 귀 99 8541.21.0075 3,000 120 v 50 MA 500NA (ICBO) PNP 500mv @ 1ma, 10ma 180 @ 2MA, 6V 140MHz
2SA1577T106R Rohm Semiconductor 2SA1577T106R 0.3300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 2SA1577 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 32 v 500 MA 1µA (ICBO) PNP 600mv @ 30ma, 300ma 120 @ 100MA, 3V 200MHz
2SCR572D3FRATL Rohm Semiconductor 2SCR572D3FRATL 1.6000
RFQ
 ECAD 273 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 2SCR572 10 W. TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 30 v 5 a 1µA (ICBO) NPN 400mv @ 100ma, 2a 200 @ 500ma, 3v 300MHz
DTA023JMT2L Rohm Semiconductor DTA023JMT2L 0.2400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 DTA023 150 MW VMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 50 v 100 MA - pnp- 사전- 150MV @ 500µA, 5MA 80 @ 5ma, 10V 250MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
DTC123JETL Rohm Semiconductor DTC123JETL 0.3500
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTC123 150 MW EMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
DTA144TKAT146 Rohm Semiconductor DTA144TKAT146 0.0488
RFQ
 ECAD 2463 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA144 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 5MA 100 @ 1ma, 5V 250MHz 47 Kohms
IMZ2AT108 Rohm Semiconductor IMZ2AT108 0.3900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 IMZ2 300MW smt6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 150ma 100NA (ICBO) NPN, PNP 400mv @ 5ma, 50ma / 500mv @ 5ma, 50ma 120 @ 1ma, 6V 180MHz, 140MHz
2SA2018E3HZGTL Rohm Semiconductor 2SA2018E3HZGTL 0.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 2SA2018 150 MW EMT3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 12 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 250mv @ 10ma, 200ma 270 @ 10MA, 2V 260MHz
RCD050N20TL Rohm Semiconductor RCD050N20TL 0.5385
RFQ
 ECAD 3726 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RCD050 MOSFET (금속 (() CPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 200 v 5A (TA) 10V 618mohm @ 2.5a, 10V 5.25V @ 1mA 9 NC @ 10 v ± 30V 380 pf @ 25 v - 20W (TC)
RGWS60TS65GC13 Rohm Semiconductor RGWS60TS65GC13 4.9800
RFQ
 ECAD 3173 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 RGWS60 기준 156 w TO-247G 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RGWS60TS65GC13 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 30A, 10ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 650 v 51 a 90 a 2V @ 15V, 30A 500µJ (on), 450µJ (OFF) 58 NC 32ns/91ns
2SK2103T100 Rohm Semiconductor 2SK2103T100 0.7700
RFQ
 ECAD 72 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SK2103 MOSFET (금속 (() MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1,000 n 채널 30 v 2A (TA) 4V, 10V 400mohm @ 1a, 10V 2.5V @ 1mA ± 20V 230 pf @ 10 v - 500MW (TA)
DTD713ZETL Rohm Semiconductor DTD713ZETL 0.1126
RFQ
 ECAD 7051 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTD713 150 MW EMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 200 MA 500NA npn-사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 140 @ 100MA, 2V 260MHz 1 KOHMS 10 KOHMS
2SC5103TLQ Rohm Semiconductor 2SC5103TLQ 1.1800
RFQ
 ECAD 7927 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 2SC5103 1 W. CPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 60 v 5 a 10µA (ICBO) NPN 500mv @ 200ma, 4a 120 @ 1a, 2v 120MHz
IMX25T110 Rohm Semiconductor IMX25T110 0.4800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 IMX25 300MW smt6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 20V 300ma 100NA (ICBO) 2 NPN (() 100mv @ 3ma, 30ma 820 @ 4ma, 2v 35MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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