SIC
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트랜지스터 (3592)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
UM6K34NTCN Rohm Semiconductor um6k34ntcn 0.3900
RFQ
 ECAD 449 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UM6K34 MOSFET (금속 (() 120MW UMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 50V 200ma 2.2ohm @ 200ma, 4.5v 800mv @ 1ma - 26pf @ 10V 로직 로직 게이트, 0.9V 드라이브
R6025ANZFL1C8 Rohm Semiconductor R6025ANZFL1C8 -
RFQ
 ECAD 8796 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 R6025 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 846-R6025ANZFL1C8 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 25A (TC) 10V 150mohm @ 12.5a, 10V 4.5V @ 1mA 88 NC @ 10 v ± 30V 3250 pf @ 10 v - 150W (TC)
RSD131P10TL Rohm Semiconductor RSD131P10TL 0.6497
RFQ
 ECAD 8158 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RSD131 MOSFET (금속 (() CPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 100 v 13A (TC) 4V, 10V 200mohm @ 6.5a, 10V 2.5V @ 1mA 40 nc @ 10 v ± 20V 2400 pf @ 25 v - 850MW (TA), 20W (TC)
R6535ENZC8 Rohm Semiconductor R6535ENZC8 -
RFQ
 ECAD 4858 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 R6535 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 846-R6535ENZC8 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 35A (TC) 10V 115mohm @ 18.1a, 10V 4V @ 1.21MA 110 NC @ 10 v ± 20V 2600 pf @ 25 v - 102W (TC)
UMD9NFHATR Rohm Semiconductor umd9nfhatr 0.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMD9 150MW UMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 10kohms 47kohms
RD3L140SPTL1 Rohm Semiconductor RD3L140SPTL1 1.7200
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RD3L140 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 14A (TA) 4V, 10V 84mohm @ 14a, 10V 3V @ 1mA 27 NC @ 10 v ± 20V 1900 pf @ 10 v - 20W (TC)
RUF020N02TL Rohm Semiconductor RUF020N02TL 0.4100
RFQ
 ECAD 44 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 리드 RUF020 MOSFET (금속 (() tumt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 2A (TA) 1.5V, 4.5V 105mohm @ 2a, 4.5v 1V @ 1mA 2 nc @ 4.5 v ± 10V 180 pf @ 10 v - 320MW (TA)
SCT3022KLGC11 Rohm Semiconductor SCT3022KLGC11 52.3500
RFQ
 ECAD 260 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SCT3022 sicfet ((카바이드) TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 95A (TC) 18V 28.6mohm @ 36a, 18V 5.6v @ 18.2ma 178 NC @ 10 v +22V, -4V 2879 pf @ 800 v - 427W
UMH9NFHATN Rohm Semiconductor umh9nfhatn 0.4800
RFQ
 ECAD 625 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMH9 150MW UMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 10kohms 47kohms
RGTH80TS65GC11 Rohm Semiconductor RGTH80TS65GC11 4.3500
RFQ
 ECAD 153 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 RGTH80 기준 234 W. TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 450 400V, 40A, 10ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 650 v 70 a 160 a 2.1V @ 15V, 40A - 79 NC 34ns/120ns
BSM600C12P3G201 Rohm Semiconductor BSM600C12P3G201 1.0000
RFQ
 ECAD 7927 0.00000000 Rohm 반도체 - 쟁반 활동적인 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 BSM600 sicfet ((카바이드) 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4 n 채널 1200 v 600A (TC) - - 5.6v @ 182ma +22V, -4V 28000 pf @ 10 v - 2460W (TC)
RSQ015P10HZGTR Rohm Semiconductor rsq015p10hzgtr 0.8100
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 RSQ015 MOSFET (금속 (() TSMT6 (SC-95) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 100 v 1.5A (TA) 4V, 10V 470mohm @ 1.5a, 10V 2.5V @ 1mA 17 nc @ 5 v ± 20V 950 pf @ 25 v - 950MW (TA)
RCD041N25TL Rohm Semiconductor RCD041N25TL 0.2664
RFQ
 ECAD 2286 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RCD041 MOSFET (금속 (() CPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,500 n 채널 250 v 4A (TC) 10V 1.3ohm @ 2a, 10V 5.5V @ 1mA 8.5 NC @ 10 v ± 30V 350 pf @ 25 v - 850MW (TA), 29W (TC)
RSR015P06HZGTL Rohm Semiconductor RSR015P06HZGTL 0.6500
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 RSR015 MOSFET (금속 (() TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 60 v 1.5A (TA) 4V, 10V 280mohm @ 1.5a, 10V 3V @ 1mA 10 nc @ 10 v ± 20V 500 pf @ 10 v - 700MW (TA)
R6020FNJTL Rohm Semiconductor R6020FNJTL 2.8724
RFQ
 ECAD 5929 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB R6020 MOSFET (금속 (() lpt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1,000 n 채널 600 v 20A (TC) 10V 280mohm @ 10a, 10V 5V @ 1MA 60 nc @ 10 v ± 30V 2350 pf @ 25 v - 304W (TC)
RD3H045SPTL1 Rohm Semiconductor RD3H045SPTL1 1.1700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RD3H045 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 45 v 4.5A (TA) 4V, 10V 155mohm @ 4.5a, 10V 3V @ 1mA 12 nc @ 5 v ± 20V 550 pf @ 10 v - 15W (TC)
RSD200N05TL Rohm Semiconductor RSD200N05TL 0.4542
RFQ
 ECAD 9711 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RSD200 MOSFET (금속 (() CPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 45 v 20A (TA) 4V, 10V 28mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 1mA 12 nc @ 5 v ± 20V 950 pf @ 10 v - 20W (TC)
R6020ANZFL1C8 Rohm Semiconductor R6020ANZFL1C8 -
RFQ
 ECAD 4337 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 쓸모없는 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 R6020 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 846-R6020ANZFL1C8 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 20A (TA) 10V 220mohm @ 10a, 10V 4.15v @ 1ma 65 nc @ 10 v ± 30V 2040 pf @ 25 v - 120W (TC)
EMZ1FHAT2R Rohm Semiconductor emz1fhat2r 0.0967
RFQ
 ECAD 1483 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 emz1fhat2 150MW EMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 50V 150ma 100NA (ICBO) NPN, PNP 400mv @ 5ma, 50ma / 500mv @ 5ma, 50ma 120 @ 1ma, 6V 180MHz, 140MHz
RGWX5TS65EHRC11 Rohm Semiconductor RGWX5TS65EHRC11 11.4700
RFQ
 ECAD 8732 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 RGWX5TS65 기준 348 w TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RGWX5TS65EHRC11 귀 99 8541.29.0095 450 400V, 37.5A, 10ohm, 15V 100 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 132 a 300 a 1.9V @ 15V, 75A 213 NC 59ns/243ns
R6530ENZ4C13 Rohm Semiconductor R6530ENZ4C13 6.8600
RFQ
 ECAD 486 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 R6530 MOSFET (금속 (() TO-247G 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-R6530ENZ4C13 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 30A (TC) 10V 140mohm @ 14.5a, 10V 4V @ 960µA 90 NC @ 10 v ± 20V 2100 pf @ 25 v - 305W (TC)
RGWX5TS65HRC11 Rohm Semiconductor RGWX5TS65HRC11 8.5600
RFQ
 ECAD 4632 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 RGWX5TS65 기준 348 w TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RGWX5TS65HRC11 귀 99 8541.29.0095 450 400V, 37.5A, 10ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 650 v 132 a 300 a 1.9V @ 15V, 75A 213 NC 62ns/237ns
RGW80TS65EHRC11 Rohm Semiconductor RGW80TS65EHRC11 8.0200
RFQ
 ECAD 8016 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 RGW80 기준 214 w TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RGW80TS65EHRC11 귀 99 8541.29.0095 450 400V, 20A, 10ohm, 15V 86 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 80 a 160 a 1.9V @ 15V, 40A 110 NC 43ns/148ns
RGW60TS65DHRC11 Rohm Semiconductor RGW60TS65DHRC11 6.7700
RFQ
 ECAD 6850 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 RGW60 기준 178 w TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RGW60TS65DHRC11 귀 99 8541.29.0095 450 400V, 15a, 10ohm, 15V 87 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 64 a 120 a 1.9V @ 15V, 30A 84 NC 36ns/107ns
EMT18T2R Rohm Semiconductor EMT18T2R 0.1462
RFQ
 ECAD 5716 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 EMT18 150MW EMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 12V 500ma 100NA (ICBO) 2 PNP (() 250mv @ 10ma, 200ma 270 @ 10MA, 2V 260MHz
R6507KND3TL1 Rohm Semiconductor R6507KND3TL1 1.7200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 R6507 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 650 v 7A (TC) 10V 665mohm @ 2.4a, 10V 5V @ 200µA 14.5 nc @ 10 v ± 20V 470 pf @ 25 v - 78W (TC)
SP8M24FRATB Rohm Semiconductor SP8M24FRATB 1.8100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SP8M24 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 45V 4.5A (TA), 3.5A (TA) 46MOHM @ 4.5A, 10V, 63MOHM @ 3.5A, 10V 2.5V @ 1mA 9.6nc @ 5v, 18.2nc @ 5v 550pf @ 10V, 1700pf @ 10V -
2SB1443TV2Q Rohm Semiconductor 2SB1443TV2Q -
RFQ
 ECAD 8547 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 3-sip 1 W. ATV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 50 v 2 a 100NA (ICBO) PNP 350MV @ 50MA, 1A 120 @ 500ma, 2V 200MHz
SP8J66FRATB Rohm Semiconductor SP8J66FRATB 1.2240
RFQ
 ECAD 1793 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SP8J66 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 9A (TA) 18.5mohm @ 9a, 10V 2.5V @ 1mA -
DTD113ZCT116 Rohm Semiconductor DTD113ZCT116 0.3800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTD113 200 MW SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 MA 500NA npn-사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 82 @ 50MA, 5V 200MHz 1 KOHMS 10 KOHMS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

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  • Standard Product Unit

    30,000,000

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