SIC
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트랜지스터 (3592)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
DTA124XEFRATL Rohm Semiconductor dta124xefratl 0.2300
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTA124 150 MW EMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 100 MA - pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 22 KOHMS 47 Kohms
R6002ENDTL Rohm Semiconductor R6002endtl 0.2832
RFQ
 ECAD 3999 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 R6002 MOSFET (금속 (() CPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 1.7A (TC) 10V 3.4ohm @ 500ma, 10V 4V @ 1MA 6.5 NC @ 10 v ± 20V 65 pf @ 25 v - 20W (TC)
RSD140P06TL Rohm Semiconductor RSD140P06TL -
RFQ
 ECAD 2817 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RSD140 MOSFET (금속 (() CPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 14A (TA) 4V, 10V 84mohm @ 14a, 10V 3V @ 1mA 27 NC @ 10 v ± 20V 1900 pf @ 10 v - 20W (TC)
DTC114TUBTL Rohm Semiconductor dtc114tubtl 0.0366
RFQ
 ECAD 3892 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-70, SOT-323 DTC114 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 300mv @ 1ma, 10ma 100 @ 1ma, 5V 250MHz 10 KOHMS
DSC2A01T0L Rohm Semiconductor DSC2A01T0L -
RFQ
 ECAD 6582 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW Mini3-G3-B - Rohs3 준수 1 (무제한) 846-DSC2A01T0LTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 50 MA 1µA NPN 200mv @ 1ma, 10ma 1000 @ 2MA, 10V 150MHz
R6020ENZ1C9 Rohm Semiconductor R6020ENZ1C9 -
RFQ
 ECAD 2772 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 600 v 20A (TC) 10V 196MOHM @ 9.5A, 10V 4V @ 1MA 60 nc @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 25 v - 120W (TC)
RX3L18BBGC16 Rohm Semiconductor RX3L18BBGC16 7.6800
RFQ
 ECAD 7327 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 RX3L18 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RX3L18BBGC16 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 240A (TA), 180A (TC) 4.5V, 10V 1.84mohm @ 90a, 10V 2.5V @ 1mA 160 nc @ 10 v ± 20V 11000 pf @ 30 v - 192W (TC)
DTC123YKAT146 Rohm Semiconductor DTC123YKAT146 0.2600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC123 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 33 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2 Kohms 10 KOHMS
RMW130N03TB Rohm Semiconductor RMW130N03TB 0.8200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,500
DTC363TKT146 Rohm Semiconductor DTC363TKT146 -
RFQ
 ECAD 6449 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC363 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 15 v 600 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 80MV @ 2.5MA, 50MA 100 @ 50MA, 5V 200MHz 6.8 Kohms
RSY200N05TL Rohm Semiconductor RSY200N05TL -
RFQ
 ECAD 7210 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 리드 RSY200 MOSFET (금속 (() TCPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 45 v 20A (TA) 4.5V, 10V - - ± 20V - 20W (TA)
2SCR522UBTL Rohm Semiconductor 2SCR522UBTL 0.2100
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-85 2SCR522 200 MW umt3f 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 20 v 200 MA 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 10ma, 100ma 120 @ 1ma, 2v 400MHz
RK7002T116 Rohm Semiconductor RK7002T116 -
RFQ
 ECAD 7171 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RK7002 MOSFET (금속 (() SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 115MA (TA) 5V, 10V 7.5ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 1mA ± 20V 50 pf @ 25 v - 225MW (TA)
RMW150N03TB Rohm Semiconductor RMW150N03TB 0.9200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 * 컷 컷 (CT) 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,500
RSE002N06TL Rohm Semiconductor RSE002N06TL 0.4300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 RSE002 MOSFET (금속 (() EMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 250MA (TA) 2.5V, 10V 2.4ohm @ 250ma, 10V 2.3v @ 1ma ± 20V 15 pf @ 25 v - 150MW (TA)
RQ6E030ATTCR Rohm Semiconductor RQ6E030ATTCR 0.5400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 RQ6E030 MOSFET (금속 (() TSMT6 (SC-95) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 3A (TA) 91mohm @ 3a, 10V 2.5V @ 1mA 5.4 NC @ 10 v 240 pf @ 15 v -
SST4403HZGT116 Rohm Semiconductor SST4403HZGT116 0.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SST4403 200 MW SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 40 v 600 MA 100NA (ICBO) 750mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 1V
RTR020N05HZGTL Rohm Semiconductor RTR020N05HZGTL 0.6800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 RTR020 MOSFET (금속 (() TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 45 v 2A (TA) 2.5V, 4.5V 180mohm @ 2a, 4.5v 1.5V @ 1mA 4.1 NC @ 4.5 v ± 12V 200 pf @ 10 v - 700MW (TA)
DTA114YE3HZGTL Rohm Semiconductor dta114ye3hzgtl 0.4100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTA114 150 MW EMT3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-dta114ye3hzgtltr 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 10 KOHMS 47 Kohms
RUR040N02HZGTL Rohm Semiconductor RUR040N02HZGTL 0.8000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 RUR040 MOSFET (금속 (() TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 4A (TA) 1.5V, 4.5V 35mohm @ 4a, 4.5v 1.3v @ 1ma 8 NC @ 4.5 v ± 10V 680 pf @ 10 v - 700MW (TA)
DTA123EMFHAT2L Rohm Semiconductor DTA123EMFHAT2L 0.2400
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 DTA123 150 MW VMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 100 MA - pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 20 @ 20ma, 5V 250MHz 2.2 Kohms 2.2 Kohms
SH8M24GZETB Rohm Semiconductor SH8M24GZETB 1.3200
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) Sh8m24 MOSFET (금속 (() 1.4W (TA) 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 45V 6A (TA) 46MOHM @ 4.5A, 10V, 63MOHM @ 3.5A, 10V 2.5V @ 1mA 9.6nc @ 5v, 18.2nc @ 5v 550pf @ 10V, 1700pf @ 10V -
DTC113ZEBTL Rohm Semiconductor DTC113ZEBTL 0.2600
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-89, SOT-490 DTC113 150 MW EMT3F (SOT-416FL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 33 @ 5MA, 5V 250MHz 1 KOHMS 10 KOHMS
DTA143XUBTL Rohm Semiconductor DTA143XUBTL 0.2000
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-85 DTA143 200 MW umt3f 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 10 KOHMS
DTA114EE3HZGTL Rohm Semiconductor dta114ee3hzgtl 0.4100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTA114 150 MW EMT3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-dta114ee3hzgtltr 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 250MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
DTA144VCAT116 Rohm Semiconductor DTA144VCAT116 0.3500
RFQ
 ECAD 950 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA144 200 MW SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 33 @ 5MA, 5V 250MHz 47 Kohms 10 KOHMS
RGT40NL65DGTL Rohm Semiconductor RGT40NL65DGTL 3.1400
RFQ
 ECAD 5306 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RGT40 기준 161 w LPD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 400V, 20A, 10ohm, 15V 58 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 40 a 60 a 2.1V @ 15V, 20A - 40 NC 22ns/75ns
DTC115TMT2L Rohm Semiconductor DTC115TMT2L 0.3700
RFQ
 ECAD 8378 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 DTC115 150 MW VMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 300mv @ 100µa, 1ma 100 @ 1ma, 5V 250MHz 100 KOHMS
RZM002P02T2L Rohm Semiconductor RZM002P02T2L 0.3600
RFQ
 ECAD 165 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-723 RZM002 MOSFET (금속 (() VMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 p 채널 20 v 200MA (TA) 1.2V, 4.5V 1.2ohm @ 200ma, 4.5v 1V @ 100µA 1.4 NC @ 4.5 v ± 10V 115 pf @ 10 v - 150MW (TA)
2SAR513P5T100 Rohm Semiconductor 2SAR513P5T100 0.4800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SAR513 500MW MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 50 v 1 a 1µA (ICBO) PNP 400mv @ 25ma, 500ma 180 @ 50MA, 2V 400MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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