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트랜지스터 (3592)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
DTA143TU3HZGT106 Rohm Semiconductor DTA143TU3HZGT106 0.3800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 DTA143 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 100 @ 1ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms
2SCR573D3TL1 Rohm Semiconductor 2SCR573D3TL1 0.8500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 2SCR573 10 W. TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 50 v 3 a 1µA (ICBO) NPN 350MV @ 50MA, 1A 180 @ 100MA, 3V 320MHz
2SA2029FHAT2LR Rohm Semiconductor 2SA2029FHAT2LR 0.3900
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-723 2SA2029 150 MW VMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-2SA2029FHAT2LRTR 귀 99 8541.21.0075 8,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 5ma, 50ma 180 @ 1ma, 6V 140MHz
R6504ENXC7G Rohm Semiconductor R6504ENXC7G 2.5300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 R6504 MOSFET (금속 (() TO-220FM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-R6504ENXC7G 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 4A (TA) 10V 1.05ohm @ 1.5a, 10V 4V @ 130µA 15 nc @ 10 v ± 20V 220 pf @ 25 v - 40W (TC)
2SC4726TLP Rohm Semiconductor 2SC4726TLP 0.5000
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 2SC4726 150 MW EMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 11 v 50 MA 500NA (ICBO) NPN 500mv @ 5ma, 10ma 56 @ 5MA, 10V 3.2GHz
IMB9AT110 Rohm Semiconductor IMB9AT110 0.4700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-74, SOT-457 IMB9 300MW smt6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 10kohms 47kohms
2SD2195T100 Rohm Semiconductor 2SD2195T100 0.3969
RFQ
 ECAD 7876 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SD2195 2 w MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 100 v 2 a 10µA (ICBO) npn-달링턴 1.5v @ 1ma, 1a 1000 @ 1a, 2v 80MHz
RGT00TS65DGC11 Rohm Semiconductor RGT00TS65DGC11 5.8000
RFQ
 ECAD 385 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 RGT00 기준 277 w TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 50A, 10ohm, 15V 54 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 85 a 150 a 2.1V @ 15V, 50A - 94 NC 42ns/137ns
US6J12TCR Rohm Semiconductor US6J12TCR 0.6100
RFQ
 ECAD 8977 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 US6J12 MOSFET (금속 (() 910MW (TA) Tumt6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 12V 2A (TA) 105mohm @ 2a, 4.5v 1V @ 1mA 7.6NC @ 4.5V 850pf @ 6v -
EMB60T2R Rohm Semiconductor EMB60T2R 0.3900
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 EMB60 150MW EMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 50V 100ma 500NA 2 pnp 프리 p p (듀얼) 150MV @ 500µA, 5MA 80 @ 5ma, 10V 250MHz 2kohms 47kohms
2SARA41CHZGT116R Rohm Semiconductor 2SARA41CHZGT116R 0.5000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SARA41 200 MW SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 120 v 50 MA 500NA (ICBO) PNP 500mv @ 1ma, 10ma 180 @ 2MA, 6V 140MHz
UMD3NTR Rohm Semiconductor umd3ntr 0.4100
RFQ
 ECAD 212 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMD3 150MW UMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 250MHz 10kohms 10kohms
DTC124XUAT106 Rohm Semiconductor DTC124XUAT106 0.3000
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-70, SOT-323 DTC124 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 50 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 22 KOHMS 47 Kohms
DTC314TUT106 Rohm Semiconductor DTC314TUT106 -
RFQ
 ECAD 8616 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-70, SOT-323 DTC314 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 15 v 600 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 80MV @ 2.5MA, 50MA 100 @ 50MA, 5V 200MHz 10 KOHMS
2SA1514KT146R Rohm Semiconductor 2SA1514KT146R 0.4200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1514 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 120 v 50 MA 500NA (ICBO) PNP 500mv @ 1ma, 10ma 180 @ 2MA, 6V 140MHz
2SB1184TLP Rohm Semiconductor 2SB1184TLP 0.3151
RFQ
 ECAD 3924 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 2SB1184 1 W. CPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 50 v 3 a 1µA (ICBO) PNP 1V @ 200MA, 2A 82 @ 500ma, 3v 70MHz
2SB1260T100R Rohm Semiconductor 2SB1260T100R 0.5600
RFQ
 ECAD 249 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SB1260 2 w MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 80 v 1 a 1µA (ICBO) PNP 400mv @ 50ma, 500ma 180 @ 100MA, 3V 100MHz
DTA143ZU3HZGT106 Rohm Semiconductor DTA143ZU3HZGT106 0.3800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 DTA143 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
DTA143TSATP Rohm Semiconductor DTA143TSATP -
RFQ
 ECAD 7272 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 SC-72 형성 2 리드 DTA143 300MW spt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 100 @ 1ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms
UMT2907AT106 Rohm Semiconductor UMT2907AT106 0.3800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 UMT2907 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 60 v 600 MA 100NA PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 200MHz
RGW80TS65HRC11 Rohm Semiconductor RGW80TS65HRC11 6.9900
RFQ
 ECAD 5388 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 RGW80 기준 214 w TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RGW80TS65HRC11 귀 99 8541.29.0095 450 400V, 20A, 10ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 650 v 80 a 160 a 1.9V @ 15V, 40A 110 NC 42ns/148ns
SP8K52FRATB Rohm Semiconductor SP8K52FRATB 1.0800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SP8K52 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 100V 3A (TA) 170mohm @ 3a, 10V 2.5V @ 1mA 8.5NC @ 5V 610pf @ 25v -
2SAR543RTL Rohm Semiconductor 2SAR543RTL 0.6700
RFQ
 ECAD 310 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 2SAR543 1 W. TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 50 v 3 a 1µA (ICBO) PNP 400mv @ 100ma, 2a 180 @ 100MA, 3V 300MHz
DTC114YE3TL Rohm Semiconductor DTC114YE3TL 0.3600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 DTA144E 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTC114 150 MW EMT3 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) pnp- 사전- + 다이오드 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 47 Kohms 47 Kohms
FML9T148 Rohm Semiconductor FML9T148 0.2350
RFQ
 ECAD 7983 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 FML9T148 200 MW SMT5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 12 v 1.5 a 100NA (ICBO) NPN + 다이오드 (분리) 200mv @ 25ma, 500ma 270 @ 200MA, 2V 400MHz
2SCR512PHZGT100 Rohm Semiconductor 2SCR512PHZGT100 0.6000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 500MW SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 30 v 2 a 1µA (ICBO) NPN 400mv @ 35ma, 700ma 200 @ 100ma, 2v 320MHz
2SD1733TLR Rohm Semiconductor 2SD1733TLR -
RFQ
 ECAD 5727 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 2SD1733 10 W. CPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 80 v 1 a 1µA (ICBO) NPN 400mv @ 20ma, 500ma 180 @ 500ma, 3v 100MHz
DTC143ESATP Rohm Semiconductor DTC143ESATP -
RFQ
 ECAD 8408 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 SC-72 형성 2 리드 DTC143 300MW spt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
BCX19T116 Rohm Semiconductor BCX19T116 0.4000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCX19 350 MW SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 620mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1V 250MHz
IMT1AT108 Rohm Semiconductor IMT1AT108 0.5000
RFQ
 ECAD 314 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 IMT1 300MW smt6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 150ma 100NA (ICBO) 2 PNP (() 500mv @ 5ma, 50ma 120 @ 1ma, 6V 140MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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