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트랜지스터(3592)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 최대 공급업체 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 테스트 조건 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 역복구 시간(trr) IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 카드가 사라졌습니다 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
DTA143ZEFRATL Rohm Semiconductor DTA143ZEFRATL 0.2300
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 ECAD 6 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 DTA143 150mW EMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 100mA - PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ 47kΩ
R6055VNXC7G Rohm Semiconductor R6055VNXC7G 8.6000
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 R6055VN MOSFET(금속) TO-220FM 다운로드 1(무제한) 846-R6055VNXC7G EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 23A(TC) 10V, 15V 71m옴 @ 16A, 15V 6.5V @ 1.5mA 80nC @ 10V ±30V 100V에서 3700pF - 100W(Tc)
R6061YNZ4C13 Rohm Semiconductor R6061YNZ4C13 11.1300
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 ECAD 2333 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 R6061 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 1(무제한) 846-R6061YNZ4C13 30 N채널 600V 61A (Tc) 10V, 12V 60m옴 @ 13A, 12V 6V @ 3.5mA 76nC @ 10V ±30V 100V에서 3700pF - 568W(Tc)
DTC114GKAT146 Rohm Semiconductor DTC114GKAT146 0.2600
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC114 200mW SMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 30 @ 5mA, 5V 250MHz 10kΩ
UM5K1NTR Rohm Semiconductor UM5K1NTR -
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 ECAD 8604 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 UM5K1 MOSFET(금속) 150mW UMT5 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 2 N채널(이중) 둘째 소스 30V 100mA 8옴 @ 10mA, 4V 1.5V @ 100μA - 13pF @ 5V 게임 레벨 레벨
RQ6E055BNTCR Rohm Semiconductor RQ6E055BNTCR 0.6500
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 RQ6E055 MOSFET(금속) TSMT6 (SC-95) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 5.5A(타) 4.5V, 10V 25m옴 @ 5.5A, 10V 2.5V @ 1mA 8.6nC @ 10V ±20V 15V에서 355pF - 1.25W(타)
SP8J2FU6TB Rohm Semiconductor SP8J2FU6TB -
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 ECAD 4096 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) SP8J2 MOSFET(금속) 2W 8-SOP - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 2 P채널(듀얼) 30V 4.5A 56m옴 @ 4.5A, 10V 2.5V @ 1mA 8.5nC @ 5V 850pF @ 10V 게임 레벨 레벨
RSS095N05FU7TB1 Rohm Semiconductor RSS095N05FU7TB1 -
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 ECAD 6951 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - ROHS3 준수 1(무제한) 846-RSS095N05FU7TB1TR 더 이상 사용하지 않는 경우 2,500 -
R6535KNZC8 Rohm Semiconductor R6535KNZC8 -
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 ECAD 4720 0.00000000 로옴 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3 풀팩 R6535 MOSFET(금속) TO-3PF 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. 846-R6535KNZC8 EAR99 8541.29.0095 30 N채널 650V 35A(Tc) 10V 115m옴 @ 18.1A, 10V 5V @ 1.21mA 72nC @ 10V ±20V 3000pF @ 25V - 102W(Tc)
RCJ331N25TL Rohm Semiconductor RCJ331N25TL 4.3400
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB RCJ331 MOSFET(금속) TO-263S 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 250V 33A(티씨) 10V 105m옴 @ 16.5A, 10V 5V @ 1mA 80nC @ 10V ±30V 25V에서 4500pF - 1.56W(Ta), 211W(Tc)
RGWX5TS65GC11 Rohm Semiconductor RGWX5TS65GC11 6.7700
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 ECAD 4802 0.00000000 로옴 - 튜브 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -40°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 RGWX5TS65 기준 348W TO-247N 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-RGWX5TS65GC11 EAR99 8541.29.0095 30 400V, 75A, 10옴, 15V 트렌치 필드스톱 650V 132A 300A 1.9V @ 15V, 75A - 213nC 64ns/229ns
EMD6FHAT2R Rohm Semiconductor EMD6FHAT2R 0.0630
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 ECAD 7217 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 SOT-563, SOT-666 EMD6FHAT2 150mW EMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 50V 100mA 500nA(ICBO) NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 100 @ 1mA, 5V 250MHz 4.7k옴 -
RSS125N03FU6TB Rohm Semiconductor RSS125N03FU6TB -
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 ECAD 9211 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) RSS125 MOSFET(금속) 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 12.5A(타) 4V, 10V 8.9m옴 @ 12.5A, 10V 2.5V @ 1mA 28nC @ 5V 20V 10V에서 1670pF - 2W(타)
RSF015N06FRATL Rohm Semiconductor RSF015N06FRATL 0.4200
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 ECAD 7 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 3-SMD, 플랫 리드 RSF015 MOSFET(금속) TUMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 60V 1.5A(타) 4V, 10V 290m옴 @ 1.5A, 10V 2.5V @ 1mA 2nC @ 5V ±20V 110pF @ 10V - 800mW(타)
FMG9AT248 Rohm Semiconductor FMG9AT248 -
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 ECAD 6436 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-74A, SOT-753 FMG9 300mW SMT5 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 10,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 500μA, 10mA에서 300mV 30 @ 5mA, 5V 250MHz 10k옴 10k옴
DTC123JCAT116 Rohm Semiconductor DTC123JCAT116 0.2800
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 ECAD 396 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC123 200mW SST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2kΩ 47kΩ
2SA2029T2LQ Rohm Semiconductor 2SA2029T2LQ 0.4000
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 ECAD 49 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-723 2SA2029 150mW VMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 50V 150mA 100nA(ICBO) PNP 500mV @ 5mA, 50mA 120@1mA, 6V 140MHz
DTC114EE3TL Rohm Semiconductor DTC114EE3TL 0.3700
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 DTC123E 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 DTC114 150mW EMT3 - ROHS3 준수 3(168시간) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스 + 의무 500μA, 10mA에서 300mV 33 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2kΩ 10kΩ
2SAR512RTL Rohm Semiconductor 2SAR512RTL 0.5500
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 ECAD 5 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-96 2SAR512 1W TSMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 3,000 30V 2A 1μA(ICBO) PNP 400mV @ 35mA, 700mA 200 @ 100mA, 2V 430MHz
RGT00TS65DGC13 Rohm Semiconductor RGT00TS65DGC13 11.3000
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 ECAD 1829년 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 RGT00 기준 277W TO-247G 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-RGT00TS65DGC13 EAR99 8541.29.0095 600 400V, 50A, 10옴, 15V 54ns 트렌치 필드스톱 650V 85A 150A 2.1V @ 15V, 50A - 94nC 42ns/137ns
QS8K21TR Rohm Semiconductor QS8K21TR 0.9400
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-SMD, 플랫 리드 QS8K21 MOSFET(금속) 550mW TSMT8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 45V 4A 53m옴 @ 4A, 10V 2.5V @ 1mA 5.4nC @ 5V 460pF @ 10V 게임 레벨 레벨
RGCL80TK60DGC11 Rohm Semiconductor RGCL80TK60DGC11 6.0100
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 ECAD 433 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-3PFM, SC-93-3 RGCL80 기준 57W TO-3PFM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 450 400V, 40A, 10옴, 15V 58ns 트렌치 필드스톱 600V 35A 160A 1.8V @ 15V, 40A 1.11mJ(켜짐), 1.68mJ(꺼짐) 98nC 53ns/227ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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