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트랜지스터(3592)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 공급업체 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 테스트 조건 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 역복구 시간(trr) IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 관리요금 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
RGT20NL65GTL Rohm Semiconductor RGT20NL65GTL 2.2200
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB 기준 106W TO-263AB 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 400V, 10A, 10옴, 15V 트렌치 필드스톱 650V 20A 30A 2.1V @ 15V, 10A - 22nC 12ns/32ns
RGT50NL65DGTL Rohm Semiconductor RGT50NL65DGTL 3.4500
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB RGT50 기준 194W LPDS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 400V, 25A, 10옴, 15V 58ns 트렌치 필드스톱 650V 48A 75A 2.1V @ 15V, 25A - 49nC 27ns/88ns
BCW72T116 Rohm Semiconductor BCW72T116 0.1088
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 ECAD 1405 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. - 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCW72 SST3 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 45V 100mA - NPN - 200 @ 2mA, 5V -
DTB123EKT146 Rohm Semiconductor DTB123EKT146 0.4500
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 ECAD 5 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTB123 200mW SMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 500mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 300mV @ 2.5mA, 50mA 39 @ 50mA, 5V 200MHz 2.2kΩ 2.2kΩ
2SD1759TL Rohm Semiconductor 2SD1759TL 0.5175
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 ECAD 5332 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 2SD1759 1W CPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 2,500 40V 2A 1μA(ICBO) NPN-달링턴 1.5V @ 1.2mA, 600mA 1000 @ 500mA, 3V 150MHz
RRS125N03TB1 Rohm Semiconductor RRS125N03TB1 -
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 ECAD 6193 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) MOSFET(금속) 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 12.5A(타) 10m옴 @ 12.5A, 10V - 40.5nC @ 15V 10V에서 2300pF - -
DTC314TKT146 Rohm Semiconductor DTC314TKT146 0.1312
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 ECAD 5434 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC314 200mW SMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 15V 600mA 500nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 80mV @ 2.5mA, 50mA 100 @ 50mA, 5V 200MHz 10kΩ
EMT2T2R Rohm Semiconductor EMT2T2R 0.4000
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 ECAD 7 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 EMT2T2 150mW EMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 50V 150mA 100nA(ICBO) 2 PNP(이중) 500mV @ 5mA, 50mA 120@1mA, 6V 140MHz
RS1E281BNTB1 Rohm Semiconductor RS1E281BNTB1 1.9300
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 ECAD 940 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN RS1E MOSFET(금속) 8-HSOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 28A(Ta), 80A(Tc) 4.5V, 10V 2.3m옴 @ 28A, 10V 2.5V @ 1mA 94nC @ 10V ±20V 5100pF @ 15V - 3W(타)
DTA143EEBHZGTL Rohm Semiconductor DTA143EEBHZGTL -
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 ECAD 6917 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 SC-89, SOT-490 DTA143 150mW EMT3F (SOT-416FL) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 100mA - PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 30 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ 4.7kΩ
R6050JNZC17 Rohm Semiconductor R6050JNZC17 11.5700
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 ECAD 300 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3 풀팩 R6050 MOSFET(금속) TO-3PF 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-R6050JNZC17 EAR99 8541.29.0095 30 N채널 600V 50A(Tc) 15V 83m옴 @ 25A, 15V 7V @ 5mA 120nC @ 15V ±30V 100V에서 4500pF - 120W(Tc)
DTA123EEFRATL Rohm Semiconductor DTA123EEFRATL 0.3100
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 DTA123 150mW EMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 100mA - PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 20 @ 20mA, 5V 250MHz 2.2kΩ 2.2kΩ
RV3C002UNT2CL Rohm Semiconductor RV3C002UNT2CL 0.4900
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 ECAD 197 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 3-XFDFN RV3C002 MOSFET(금속) VML0604 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 8,000 N채널 20V 150mA(타) 1.5V, 4.5V 2옴 @ 150mA, 4.5V 1V @ 100μA ±10V 12pF @ 10V - 100mW(타)
2SC5658FHAT2LQ Rohm Semiconductor 2SC5658FHAT2LQ 0.3800
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 ECAD 7 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-723 150mW VMT3 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-2SC5658FHAT2LQTR EAR99 8541.21.0075 8,000 50V 150mA 100nA(ICBO) NPN 400mV @ 5mA, 50mA 120@1mA, 6V 180MHz
RS3E075ATTB1 Rohm Semiconductor RS3E075ATTB1 1.1400
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) RS3E MOSFET(금속) 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 P채널 30V 7.5A(타) 4.5V, 10V 23.5m옴 @ 7.5A, 10V 2.5V @ 1mA 25nC @ 10V ±20V 15V에서 1250pF - 2W(타)
RGS00TS65HRC11 Rohm Semiconductor RGS00TS65HRC11 7.5200
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 ECAD 2797 0.00000000 로옴 - 튜브 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -40°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 RGS00 기준 326W TO-247N 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-RGS00TS65HRC11 EAR99 8541.29.0095 30 400V, 50A, 10옴, 15V 트렌치 필드스톱 650V 88A 150A 2.1V @ 15V, 50A 1.46mJ(켜짐), 1.29mJ(꺼짐) 58nC 36ns/115ns
BCX17HZGT116 Rohm Semiconductor BCX17HZGT116 0.4100
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCX17 200mW SST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 45V 500mA 100nA(ICBO) 620mV @ 50mA, 500mA 100 @ 100mA, 1V
R6007ENJTL Rohm Semiconductor R6007ENJTL 1.9600
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB R6007 MOSFET(금속) LPTS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 600V 7A(TC) 10V 620m옴 @ 2.4A, 10V 4V @ 1mA 20nC @ 10V ±20V 390pF @ 25V - 40W(Tc)
RTF020P02TL Rohm Semiconductor RTF020P02TL 0.3700
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 ECAD 6496 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 3-SMD, 플랫 리드 RTF020 MOSFET(금속) TUMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 20V 2A(타) 2.5V, 4.5V 85m옴 @ 2A, 4.5V 2V @ 1mA 7nC @ 4.5V ±12V 10V에서 640pF - 800mW(타)
2SD1857TV2R Rohm Semiconductor 2SD1857TV2R -
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 ECAD 7791 0.00000000 로옴 - 테이프 및 박스(TB) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 3-SIP 2SD1857 1W ATV 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 2,500 120V 2A 1μA(ICBO) NPN 2V @ 100mA, 1A 180 @ 100mA, 5V 80MHz
2SA1774TLS Rohm Semiconductor 2SA1774TLS 0.3800
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 ECAD 12 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 SC-75, SOT-416 2SA1774 150mW EMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) PNP 500mV @ 5mA, 50mA 120@1mA, 6V 140MHz
QS8M31TR Rohm Semiconductor QS8M31TR 0.8300
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-SMD, 플랫 리드 QS8M31 MOSFET(금속) 1.1W(타) TSMT8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N 및 P 채널 60V 3A(타), 2A(타) 112m옴 @ 3A, 10V, 210m옴 @ 2A, 10V 2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA 4nC @ 5V, 7.2nC @ 5V 270pF @ 10V, 750pF @ 10V -
DTC143ZETL Rohm Semiconductor DTC143ZETL 0.3500
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 ECAD 77 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 DTC143 150mW EMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ 47kΩ
QH8MA3TCR Rohm Semiconductor QH8MA3TCR 0.7800
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 ECAD 6604 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-SMD, 플랫 리드 QH8MA3 MOSFET(금속) 1.5W TSMT8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N 및 P 채널 30V 7A, 5.5A 29m옴 @ 7A, 10V 2.5V @ 1mA 7.2nC @ 10V 300pF @ 15V -
2SC2412KT146R Rohm Semiconductor 2SC2412KT146R 0.2300
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 ECAD 76 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC2412 200mW SMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) NPN 400mV @ 5mA, 50mA 180@1mA, 6V 180MHz
R6012FNJTL Rohm Semiconductor R6012FNJTL 1.9948
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 ECAD 1245 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB R6012 MOSFET(금속) LPTS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 1,000 N채널 600V 12A(TC) 10V 510m옴 @ 6A, 10V 5V @ 1mA 35nC @ 10V ±30V 25V에서 1300pF - 50W(Tc)
IMX9T110 Rohm Semiconductor IMX9T110 0.3900
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 ECAD 8 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 SC-74, SOT-457 IMX9 300mW SMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 20V 500mA 500nA(ICBO) 2 NPN(이중) 400mV @ 20mA, 500mA 560 @ 10mA, 3V 350MHz
RCX220N25 Rohm Semiconductor RCX220N25 2.2500
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 ECAD 318 0.00000000 로옴 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 RCX220 MOSFET(금속) TO-220FM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 500 N채널 250V 22A(TC) 10V 140m옴 @ 11A, 10V 5V @ 1mA 60nC @ 10V ±30V 3200pF @ 25V - 2.23W(Ta), 40W(Tc)
DTB143EKT146 Rohm Semiconductor DTB143EKT146 0.4000
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 ECAD 5 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTB143 200mW SMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 500mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 300mV @ 2.5mA, 50mA 47 @ 50mA, 5V 200MHz 4.7kΩ 4.7kΩ
DTC024XUBTL Rohm Semiconductor DTC024XUBTL 0.0488
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 ECAD 3225 0.00000000 로옴 DTC024X 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-85 DTC024 200mW UMT3F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스 + 의무 500μA에서 150mV, 5mA 80 @ 5mA, 10V 250MHz 22kΩ
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