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트랜지스터 (3592)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
IMH21T110 Rohm Semiconductor IMH21T110 0.2037
RFQ
 ECAD 4871 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-74, SOT-457 IMH21 300MW smt6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 20V 600ma 500NA (ICBO) 2 npn--바이어스 (듀얼) 150mv @ 2.5ma, 50ma 820 @ 50MA, 5V 150MHz 10kohms -
2SD1766T100P Rohm Semiconductor 2SD1766T100p 0.2559
RFQ
 ECAD 8379 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SD1766 2 w MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 32 v 2 a 1µA (ICBO) NPN 800mv @ 200ma, 2a 82 @ 500ma, 3v 100MHz
BSS63T116 Rohm Semiconductor BSS63T116 -
RFQ
 ECAD 1527 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 100 v 100 MA 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 10ma, 100ma 30 @ 10ma, 1v 200MHz
DTA144EUBHZGTL Rohm Semiconductor DTA144EUBHZGTL 0.2000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-85 DTA144 200 MW umt3f 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 100 MA - pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 47 Kohms 47 Kohms
R6025JNZC8 Rohm Semiconductor R6025JNZC8 7.8800
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Rohm 반도체 - 가방 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 R6025 MOSFET (금속 (() to-3pf - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 360 n 채널 600 v 25A (TC) 15V 182mohm @ 12.5a, 15V 7V @ 4.5MA 57 NC @ 15 v ± 30V 1900 pf @ 100 v - 85W (TC)
RSR025N05HZGTL Rohm Semiconductor RSR025N05HZGTL 0.6800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 RSR025 MOSFET (금속 (() TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 45 v 2.5A (TA) 4V, 10V 100mohm @ 2.5a, 10V 3V @ 1mA 3.6 NC @ 5 v ± 20V 260 pf @ 10 v - 700MW (TA)
2SAR340PT100P Rohm Semiconductor 2SAR340PT100P 0.6600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SAR340 500MW MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1,000 400 v 100 MA 10µA (ICBO) PNP 400mv @ 2ma, 20ma 82 @ 10ma, 10V -
IMH23T110 Rohm Semiconductor IMH23T110 0.5000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-74, SOT-457 IMH23 300MW smt6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 20V 600ma - 2 npn--바이어스 (듀얼) 150mv @ 2.5ma, 50ma 820 @ 50MA, 5V 150MHz 4.7kohms -
DTD743XMT2L Rohm Semiconductor DTD743XMT2L 0.1035
RFQ
 ECAD 7029 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SOT-723 DTD743 150 MW VMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 30 v 200 MA 500NA npn-사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 140 @ 100MA, 2V 260MHz 4.7 Kohms 10 KOHMS
R6009KNX Rohm Semiconductor R6009knx 1.9900
RFQ
 ECAD 484 0.00000000 Rohm 반도체 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 R6009 MOSFET (금속 (() TO-220FM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 600 v 9A (TC) 10V 535mohm @ 2.8a, 10V 5V @ 1MA 16.5 nc @ 10 v ± 20V 540 pf @ 25 v - 48W (TC)
DTC114GUAT106 Rohm Semiconductor DTC114GUAT106 0.2600
RFQ
 ECAD 198 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-70, SOT-323 DTC114 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 250MHz 10 KOHMS
DTC123TKAT146 Rohm Semiconductor DTC123TKAT146 0.2500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC123 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 100 @ 1ma, 5V 250MHz 2.2 Kohms
UML6NTR Rohm Semiconductor uml6ntr 0.5300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 UML6 120 MW UMT5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 12 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN + 다이오드 (분리) 250mv @ 10ma, 200ma 270 @ 10MA, 2V 320MHz
2SAR513PT100 Rohm Semiconductor 2SAR513PT100 1.0600
RFQ
 ECAD 279 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SAR513 2 w MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 50 v 1 a 1µA (ICBO) PNP 400mv @ 25ma, 500ma 180 @ 50MA, 2V 400MHz
2SA2088T106Q Rohm Semiconductor 2SA2088T106Q 0.3800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 2SA2088 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 60 v 500 MA 1µA (ICBO) PNP 500mv @ 10ma, 100ma 120 @ 50MA, 2V 400MHz
RZQ050P01TR Rohm Semiconductor rzq050p01tr 0.8800
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 RZQ050 MOSFET (금속 (() TSMT6 (SC-95) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 12 v 5A (TA) 1.5V, 4.5V 26mohm @ 5a, 4.5v 1V @ 1mA 35 NC @ 4.5 v ± 10V 2850 pf @ 6 v - 600MW (TA)
DTA144EU3T106 Rohm Semiconductor DTA144EU3T106 0.2000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 DTA144 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 100 MA - pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 47 Kohms 47 Kohms
RQ6A045APTCR Rohm Semiconductor RQ6A045APTCR 0.6900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 RQ6A045 MOSFET (금속 (() TSMT6 (SC-95) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 12 v 4.5A (TA) 1.5V, 4.5V 30mohm @ 4.5a, 4.5v 1V @ 1mA 40 nc @ 4.5 v ± 8V 4200 pf @ 6 v - 950MW (TA)
DTC143TMT2L Rohm Semiconductor DTC143TMT2L 0.4700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 DTC143 150 MW VMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 100 @ 1ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms
DTC043ZMT2L Rohm Semiconductor DTC043ZMT2L 0.3100
RFQ
 ECAD 143 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 DTC043 150 MW VMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 150MV @ 500µA, 5MA 80 @ 5ma, 10V 250MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
R6509ENJTL Rohm Semiconductor R6509ENJTL 3.4100
RFQ
 ECAD 88 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB R6509 MOSFET (금속 (() lpt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 9A (TC) 10V 585mohm @ 2.8a, 10V 4V @ 230µA 24 nc @ 10 v ± 20V 430 pf @ 25 v - 94W (TC)
DTA024XEBTL Rohm Semiconductor DTA024XEBTL 0.2300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-89, SOT-490 DTA024 150 MW EMT3F (SOT-416FL) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 150MV @ 500µA, 5MA 80 @ 5ma, 10V 250MHz 22 KOHMS 47 Kohms
DTA144WUAT106 Rohm Semiconductor DTA144WUAT106 0.3000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 DTA144 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 30 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 56 @ 5MA, 5V 250MHz 47 Kohms 22 KOHMS
2SAR574D3FRATL Rohm Semiconductor 2SAR574D3FRATL 1.7200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 2SAR574 10 W. TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-2SAR574D3FRATLTR 귀 99 8541.21.0075 2,500 80 v 2 a 1µA (ICBO) 400mv @ 50ma, 1a 180 @ 100MA, 3V
DTD543ZE3TL Rohm Semiconductor DTD543ZE3TL 0.4000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTD543 150 MW EMT3 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 12 v 500 MA 500NA npn-사전- + 다이오드 300mv @ 5ma, 100ma 140 @ 100MA, 2V 260MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
DTC114TETL Rohm Semiconductor DTC114TETL 0.3800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTC114 150 MW EMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 300mv @ 1ma, 10ma 100 @ 1ma, 5V 250MHz 10 KOHMS
2SAR544PT100 Rohm Semiconductor 2SAR544PT100 0.7000
RFQ
 ECAD 465 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SAR544 2 w MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 80 v 2.5 a 1µA (ICBO) PNP 400mv @ 50ma, 1a 120 @ 100MA, 3V 280MHz
UMD12NTR Rohm Semiconductor UMD12NTR 0.4700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMD12 150MW UMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 47kohms 47kohms
2SAR572D3TL1 Rohm Semiconductor 2SAR572D3TL1 0.8500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 2SAR572 10 W. TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 30 v 5 a 1µA (ICBO) PNP 400mv @ 100ma, 2a 200 @ 500ma, 3v 300MHz
RSS090P03FU6TB Rohm Semiconductor RSS090P03FU6TB -
RFQ
 ECAD 9168 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RSS090 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 9A (TA) 4V, 10V 14mohm @ 9a, 10V 2.5V @ 1mA 39 NC @ 5 v ± 20V 4000 pf @ 10 v - 2W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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