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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 최대 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 FET 종류 테스트 조건 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 관리요금 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
BC847BU3T106 Rohm Semiconductor BC847BU3T106 0.3500
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ECAD 1306 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 BC847 200mW UMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 45V 100mA 15nA(ICBO) NPN 600mV @ 5mA, 100mA 200 @ 2mA, 5V 200MHz
UMY1NTR Rohm Semiconductor UMY1NTR 0.4700
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ECAD 4 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 UMY1 150mW UMT5 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) NPN, PNP(이미터) 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA 120@1mA, 6V 180MHz, 140MHz
MMST4403T146 Rohm Semiconductor MMST4403T146 0.4700
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ECAD 1 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMST4403 200mW SMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 40V 600mA 100nA(ICBO) PNP 750mV @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 1V 200MHz
2SCR513RTL Rohm Semiconductor 2SCR513RTL 0.4700
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ECAD 9 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-96 2SCR513 500mW TSMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 1A 1μA(ICBO) NPN 350mV @ 25mA, 500mA 180@50mA, 2V 360MHz
BCX71HT216 Rohm Semiconductor BCX71HT216 0.0822
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ECAD 8299 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCX71 350mW SST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 10,000 45V 200mA 100nA PNP 550mV @ 1.25mA, 50mA 140 @ 2mA, 5V 180MHz
RJ1L12BGNTLL Rohm Semiconductor RJ1L12BGNTLL 6.8200
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ECAD 1 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB RJ1L12 MOSFET(금속) TO-263AB 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 60V 120A(타) 4.5V, 10V 2.9m옴 @ 40A, 10V 500μA에서 2.5V 175nC @ 10V ±20V 30V에서 9000pF - 192W(타)
R6535ENZC17 Rohm Semiconductor R6535ENZC17 7.8500
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ECAD 300 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3 풀팩 R6535 MOSFET(금속) TO-3PF 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-R6535ENZC17 EAR99 8541.29.0095 30 N채널 650V 35A(Tc) 10V 115m옴 @ 18.1A, 10V 4V @ 1.21mA 110nC @ 10V ±20V 25V에서 2600pF - 102W(Tc)
R6509KND3TL1 Rohm Semiconductor R6509KND3TL1 1.8500
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ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 R6509 MOSFET(금속) TO-252 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 650V 9A(TC) 10V 585m옴 @ 2.8A, 10V 5V @ 230μA 16.5nC @ 10V ±20V 25V에서 540pF - 94W(Tc)
EMF24T2R Rohm Semiconductor EMF24T2R 0.1035
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ECAD 5362 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 SOT-563, SOT-666 EMF24 150mW EMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA, 150mA 500nA NPN 사전 바이어스 1개, NPN 1개 300mV @ 500μA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA 30 @ 5mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V 250MHz, 180MHz 10kΩ 10kΩ
R6012JNXC7G Rohm Semiconductor R6012JNXC7G 4.0000
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ECAD 8804 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 R6012 MOSFET(금속) TO-220FM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-R6012JNXC7G EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 12A(TC) 15V 390m옴 @ 6A, 15V 7V @ 2.5mA 28nC @ 15V ±30V 100V에서 900pF - 60W(Tc)
DTC114TMFHAT2L Rohm Semiconductor DTC114TMFHAT2L 0.0668
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ECAD 7465 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 SOT-723 DTC114 150mW VMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 50V 100mA 500nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 300mV @ 1mA, 10mA 100 @ 1mA, 5V 250MHz 10kΩ
RGCL60TS60GC13 Rohm Semiconductor RGCL60TS60GC13 5.4400
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ECAD 6646 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 RGCL60 기준 111W TO-247G 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-RGCL60TS60GC13 EAR99 8541.29.0095 30 400V, 30A, 10옴, 15V 트렌치 필드스톱 600V 48A 120A 1.8V @ 15V, 30A 770μJ(켜짐), 1.11mJ(꺼짐) 68nC 44ns/186ns
FMA4AT148 Rohm Semiconductor FMA4AT148 0.5200
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ECAD 7 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-74A, SOT-753 FMA4 300mW SMT5 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 300mV @ 1mA, 10mA 100 @ 1mA, 5V 250MHz 10kΩ -
RUE003N02TL Rohm Semiconductor RUE003N02TL 0.4300
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ECAD 97 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 SC-75, SOT-416 RUE003 MOSFET(금속) EMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 20V 300mA(타) 1.8V, 4V 1옴 @ 300mA, 4V 1V @ 1mA ±8V 10V에서 25pF - 150mW(타)
2SA2092TLQ Rohm Semiconductor 2SA2092TLQ 0.1137
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ECAD 9022 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 SC-96 2SA2092 500mW TSMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2SA2092MGTLQ EAR99 8541.21.0075 3,000 60V 1A 1μA(ICBO) PNP 500mV @ 50mA, 500mA 120 @ 100mA, 2V 300MHz
RGW60TK65GVC11 Rohm Semiconductor RGW60TK65GVC11 5.9000
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ECAD 450 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-3PFM, SC-93-3 RGW60 기준 72W TO-3PFM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 400V, 30A, 10옴, 15V 트렌치 필드스톱 650V 33A 120A 1.9V @ 15V, 30A 480μJ(켜짐), 490μJ(꺼짐) 84nC 37ns/114ns
UMB3NFHATN Rohm Semiconductor UMB3NFHATN 0.3300
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ECAD 2 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMB3 150mW UMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA(ICBO) 2 PNP 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 100 @ 1mA, 5V 250MHz
RTE002P02TL Rohm Semiconductor RTE002P02TL 0.1546
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ECAD 6377 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 SC-75, SOT-416 RTE002 MOSFET(금속) EMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 20V 200mA(타) 2.5V, 4.5V 1.5옴 @ 200mA, 4.5V 2V @ 1mA ±12V 10V에서 50pF - 150mW(타)
IMB1AT110 Rohm Semiconductor IMB1AT110 0.1088
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ECAD 8010 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 SC-74, SOT-457 IMB1 300mW SMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 500μA, 10mA에서 300mV 56 @ 5mA, 5V - 22k옴 22k옴
QS5W1TR Rohm Semiconductor QS5W1TR 0.7200
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ECAD 34 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-5 플라이, TSOT-23-5 QS5W1 1.25W TSMT5 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 3,000 30V 3A 1μA(ICBO) 2 NPN(이중) 섹션 이미터 400mV @ 50mA, 1A 200 @ 500mA, 2V 270MHz
RSS100N03HZGTB Rohm Semiconductor RSS100N03HZGTB 1.5800
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ECAD 990 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) RSS100 MOSFET(금속) 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 10A(타) 4V, 10V 13.3m옴 @ 10A, 10V 2.5V @ 1mA 20nC @ 5V ±20V 1070pF @ 10V - 2W(타)
2SA1774EBTLP Rohm Semiconductor 2SA1774EBTLP 0.0683
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ECAD 3769 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 SC-89, SOT-490 2SA1774 150mW EMT3F (SOT-416FL) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) PNP 500mV @ 5mA, 50mA 120@1mA, 6V 140MHz
SCT3022ALHRC11 Rohm Semiconductor SCT3022ALHRC11 73.6000
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ECAD 1 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 SCT3022 SiCFET(탄화규소) TO-247N 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 N채널 650V 93A(티씨) 18V 28.6m옴 @ 36A, 18V 5.6V @ 18.2mA 133nC @ 18V +22V, -4V 500V에서 2208pF - 339W
DTC124GKAT146 Rohm Semiconductor DTC124GKAT146 0.0463
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ECAD 5865 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC124 200mW SMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 56 @ 5mA, 5V 250MHz 22kΩ
RSS040P03FU6TB Rohm Semiconductor RSS040P03FU6TB -
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ECAD 3947 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) RSS040 MOSFET(금속) 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 P채널 30V 4A(타) 4V, 10V 58m옴 @ 4A, 10V 2.5V @ 1mA 8nC @ 5V ±20V 10V에서 800pF - 2W(타)
R6076ENZ1C9 Rohm Semiconductor R6076ENZ1C9 -
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ECAD 5068 0.00000000 로옴 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 450 N채널 600V 76A(티씨) 10V 42m옴 @ 44.4A, 10V 4V @ 1mA 260nC @ 10V ±20V 25V에서 6500pF - 120W(Tc)
DTC114EU3HZGT106 Rohm Semiconductor DTC114EU3HZGT106 0.3800
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ECAD 301 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 DTC114 200mW UMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 30 @ 5mA, 5V 250MHz 10kΩ 10kΩ
MMST3906T146 Rohm Semiconductor MMST3906T146 0.3500
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ECAD 7 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMST3906 300mW SMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 40V 200mA 50nA PNP 400mV @ 5mA, 50mA 100 @ 10mA, 1V 250MHz
RQ6C065BCTCR Rohm Semiconductor RQ6C065BCTCR 0.8000
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ECAD 6491 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 RQ6C065 MOSFET(금속) TSMT6 (SC-95) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 20V 6.5A(Tc) 4.5V 21m옴 @ 6.5A, 4.5V 1.2V @ 1mA 22nC @ 4.5V ±8V 1520pF @ 10V - 1.25W(Tc)
RQ1E100XNTR Rohm Semiconductor RQ1E100XNTR 0.4572
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ECAD 2461 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-SMD, 플랫 리드 RQ1E100 MOSFET(금속) TSMT8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 30V 10A(타) 4V, 10V 10.5m옴 @ 10A, 10V 2.5V @ 1mA 12.7nC @ 5V ±20V 10V에서 1000pF - 550mW(타)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고