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트랜지스터 (3592)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
SP8M7TB Rohm Semiconductor SP8M7TB -
RFQ
 ECAD 8394 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SP8M7 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 30V 5a, 7a 51mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 1mA 5.5NC @ 5V 230pf @ 10V 논리 논리 게이트
RT1E040RPTR Rohm Semiconductor rt1e040rptr 0.2100
RFQ
 ECAD 3295 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 RT1E040 MOSFET (금속 (() 8-TSST 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 4A (TA) 4V, 10V 45mohm @ 4a, 10V 2.5V @ 1mA 20 nc @ 10 v ± 20V 1000 pf @ 10 v - 550MW (TA)
DTA124XE3TL Rohm Semiconductor DTA124XE3TL 0.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 DTA143E 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTA124 150 MW EMT3 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) pnp- 사전- + 다이오드 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
RGTH60TS65GC11 Rohm Semiconductor RGTH60TS65GC11 3.7200
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 RGTH60 기준 197 w TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 30A, 10ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 650 v 58 a 120 a 2.1V @ 15V, 30A - 58 NC 27ns/105ns
EMT2T2R Rohm Semiconductor EMT2T2R 0.4000
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 EMT2T2 150MW EMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 50V 150ma 100NA (ICBO) 2 PNP (() 500mv @ 5ma, 50ma 120 @ 1ma, 6V 140MHz
MMST2222AT146 Rohm Semiconductor MMST2222AT146 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMST2222 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 600 MA 100NA (ICBO) NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 300MHz
RSS090N03FU6TB Rohm Semiconductor RSS090N03FU6TB -
RFQ
 ECAD 2530 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RSS090 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 9A (TA) 4V, 10V 15mohm @ 9a, 10V 2.5V @ 1mA 15 nc @ 5 v ± 20V 810 pf @ 10 v - 2W (TA)
UMG1NTR Rohm Semiconductor umg1ntr 0.4300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 UMG1 300MW UMT5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 500µA, 10MA 56 @ 5MA, 5V 250MHz 22kohms 22kohms
TT8J1TR Rohm Semiconductor tt8j1tr -
RFQ
 ECAD 4114 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 TT8J1 MOSFET (금속 (() 1.25W 8-TSST 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 12V 2.5A 61mohm @ 2.5a, 4.5v 1V @ 1mA 13NC @ 4.5V 1350pf @ 6v -
RMW200N03TB Rohm Semiconductor RMW200N03TB 0.8400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 RMW200 MOSFET (금속 (() 8-PSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 20A (TA) 4.5V, 10V 4.2MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 1mA 29 NC @ 10 v ± 20V 1780 pf @ 15 v - 3W (TA)
QS5W1TR Rohm Semiconductor qs5w1tr 0.7200
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-5 THIN, TSOT-23-5 QS5W1 1.25W TSMT5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 30V 3A 1µA (ICBO) 2 npn (() 공통 이미 터 400mv @ 50ma, 1a 200 @ 500ma, 2v 270MHz
RV4E031RPHZGTCR1 Rohm Semiconductor RV4E031RPHZGTCR1 0.8300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 6-powerwfdfn RV4E031 MOSFET (금속 (() DFN1616-6W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RV4E031RPHZGTCR1TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 3.1A (TA) 105mohm @ 3.1a, 10V 2.5V @ 1mA 4.8 NC @ 5 v ± 20V 460 pf @ 10 v - 1.5W (TA)
RS1G180MNTB Rohm Semiconductor RS1G180MNTB 1.5900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn Rs1g MOSFET (금속 (() 8 시간 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 18A (TA), 80A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 18a, 10V 2.5V @ 1mA 19.5 nc @ 10 v ± 20V 1293 pf @ 20 v - 3W (TA), 30W (TC)
RD3L01BATTL1 Rohm Semiconductor RD3L01BATTL1 1.1600
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RD3L01 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 10A (TA) 4.5V, 10V 84mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 1mA 15.2 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 30 v - 26W (TA)
R8003KNXC7G Rohm Semiconductor R8003KNXC7G 2.4900
RFQ
 ECAD 477 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 R8003 MOSFET (금속 (() TO-220FM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 3A (TA) 10V 1.8ohm @ 1.5a, 10V 4.5V @ 2MA 11.5 nc @ 10 v ± 20V 300 pf @ 100 v - 36W (TC)
R6006JND3TL1 Rohm Semiconductor R6006JND3TL1 2.4200
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 R6006 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 6A (TC) 15V 936MOHM @ 3A, 15V 7V @ 800µA 15.5 nc @ 15 v ± 30V 410 pf @ 100 v - 86W (TC)
2SB1326TV2R Rohm Semiconductor 2SB1326TV2R -
RFQ
 ECAD 4720 0.00000000 Rohm 반도체 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 3-sip 2SB1326 1 W. ATV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 20 v 5 a 500NA (ICBO) PNP 1V @ 100MA, 4A 180 @ 500ma, 2V 120MHz
ES6U41FU7T2R Rohm Semiconductor es6u41fu7t2r -
RFQ
 ECAD 6205 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 846-es6u41fu7t2rtr 쓸모없는 8,000
EM6K33T2R Rohm Semiconductor EM6K33T2R 0.5100
RFQ
 ECAD 54 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 EM6K33 MOSFET (금속 (() 150MW EMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 2 n 채널 (채널) 50V 200ma 2.2ohm @ 200ma, 4.5v 1V @ 1mA - 25pf @ 10V 로직 로직 게이트, 1.2v 드라이브
2SD2226KT146W Rohm Semiconductor 2SD2226KT146W 0.4400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SD2226 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 150 MA 300NA (ICBO) NPN 300mv @ 5ma, 50ma 1200 @ 1ma, 5V 250MHz
DTA123EMT2L Rohm Semiconductor DTA123EMT2L 0.0615
RFQ
 ECAD 2482 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 DTA123 150 MW VMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 20 @ 5ma, 5V 250MHz 2.2 Kohms 2.2 Kohms
2SD1757KT146S Rohm Semiconductor 2SD1757KT146S 0.4200
RFQ
 ECAD 336 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SD1757 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 15 v 500 MA 500NA (ICBO) NPN 400mv @ 50ma, 500ma 120 @ 100MA, 3V 150MHz
2SD2351T106W Rohm Semiconductor 2SD2351T106W 0.3900
RFQ
 ECAD 807 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 2SD2351 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 150 MA 300NA (ICBO) NPN 300mv @ 5ma, 50ma 820 @ 1ma, 5V 250MHz
R6024KNXC7G Rohm Semiconductor R6024KNXC7G 5.5800
RFQ
 ECAD 970 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 R6024 MOSFET (금속 (() TO-220FM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-R6024KNXC7G 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 24A (TA) 10V 165mohm @ 11.3a, 10V 5V @ 1MA 45 NC @ 10 v ± 20V 2000 pf @ 25 v - 74W (TC)
UMF20NTR Rohm Semiconductor umf20ntr -
RFQ
 ECAD 2221 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMF20 150MW UMT6 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 846-umf20ntr 3,000 50V 100ma, 150ma 500NA, 100NA (ICBO) 1 npn 사전 n, 1 npn 300mv @ 500µa, 10ma / 400mv @ 5ma, 50ma 20 @ 20ma, 5v / 180 @ 1ma, 6v 250MHz, 180MHz 47kohms 47kohms
DTA143EE3TL Rohm Semiconductor DTA143EE3TL 0.3700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 DTC143Z 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTA143 150 MW EMT3 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- + 다이오드 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
R6055VNZ4C13 Rohm Semiconductor R6055VNZ4C13 11.7500
RFQ
 ECAD 677 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 R6055 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-R6055VNZ4C13 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 55A (TC) 10V, 15V 71mohm @ 16a, 15V 6.5V @ 1.5MA 80 nc @ 10 v ± 30V 3700 pf @ 100 v - 543W (TC)
2SA2018E3TL Rohm Semiconductor 2SA2018E3TL 0.4800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 2SA2018 150 MW EMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 12 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 250mv @ 10ma, 200ma 270 @ 10MA, 2V 260MHz
RD3G600GNTL Rohm Semiconductor RD3G600GNTL 1.9200
RFQ
 ECAD 1406 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RD3G600 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 60A (TA) 4.5V, 10V 3.6mohm @ 60a, 10V 2.5V @ 1mA 46.5 nc @ 10 v ± 20V 3400 pf @ 20 v - 40W (TA)
RGTH50TS65DGC11 Rohm Semiconductor RGTH50TS65DGC11 4.0100
RFQ
 ECAD 188 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 RGTH50 기준 174 w TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 25A, 10ohm, 15V 58 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 50 a 100 a 2.1V @ 15V, 25A - 49 NC 27ns/94ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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