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트랜지스터 (3592)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
DTD743XMT2L Rohm Semiconductor DTD743XMT2L 0.1035
RFQ
 ECAD 7029 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SOT-723 DTD743 150 MW VMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 30 v 200 MA 500NA npn-사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 140 @ 100MA, 2V 260MHz 4.7 Kohms 10 KOHMS
2SCR512RTL Rohm Semiconductor 2SCR512RTL 0.5200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 2SCR512 1 W. TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 30 v 2 a 1µA (ICBO) NPN 400mv @ 35ma, 700ma 200 @ 100ma, 2v 320MHz
DTB143EKT146 Rohm Semiconductor DTB143EKT146 0.4000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTB143 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 MA 500NA pnp- 사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 47 @ 50MA, 5V 200MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
DTC143TEBTL Rohm Semiconductor DTC143TEBTL 0.0366
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTC143 150 MW EMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 150mv @ 250µa, 5mA 100 @ 1ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms
SST4403T116 Rohm Semiconductor SST4403T116 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SST4403 200 MW SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 600 MA 100NA (ICBO) PNP 750mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 1V 200MHz
2SA1577T106Q Rohm Semiconductor 2SA1577T106Q 0.3300
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 2SA1577 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 32 v 500 MA 1µA (ICBO) PNP 600mv @ 30ma, 300ma 120 @ 100MA, 3V 200MHz
DTD523YETL Rohm Semiconductor DTD523YETL 0.4800
RFQ
 ECAD 223 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTD523 150 MW EMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 12 v 500 MA 500NA npn-사전- 300mv @ 5ma, 100ma 140 @ 100MA, 2V 260MHz 2.2 Kohms 10 KOHMS
2SC4102T106R Rohm Semiconductor 2SC4102T106R 0.4000
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 2SC4102 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 120 v 50 MA 500NA (ICBO) NPN 500mv @ 1ma, 10ma 180 @ 2MA, 6V 140MHz
SSTA14T116 Rohm Semiconductor SSTA14T116 -
RFQ
 ECAD 5226 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSTA14 SST3 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 846-SSTA14T116TR 3,000 30 v 500 MA 100NA (ICBO) - - 20000 @ 100MA, 5V 125MHz
DTA114EKAT146 Rohm Semiconductor DTA114EKAT146 0.2700
RFQ
 ECAD 70 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA114 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 50 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 250MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
2SCR293P5T100 Rohm Semiconductor 2SCR293P5T100 0.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SCR293 500MW MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 30 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 350MV @ 25MA, 500MA 270 @ 100MA, 2V 320MHz
R6011ENJTL Rohm Semiconductor r6011enjtl 3.7800
RFQ
 ECAD 1483 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB R6011 MOSFET (금속 (() lpt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 11A (TC) 10V 390mohm @ 3.8a, 10V 4V @ 1MA 32 NC @ 10 v ± 20V 670 pf @ 25 v - 40W (TC)
2SD2703TL Rohm Semiconductor 2SD2703TL 0.6200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 리드 2SD2703 800MW tumt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 350MV @ 25MA, 500MA 270 @ 100MA, 2V 320MHz
DTC124ESATP Rohm Semiconductor DTC124ESATP -
RFQ
 ECAD 2845 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 SC-72 형성 2 리드 DTC124 300MW spt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 50 v 30 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 56 @ 5MA, 5V 250MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
2SC1741ASTPQ Rohm Semiconductor 2SC1741ASTPQ -
RFQ
 ECAD 9542 0.00000000 Rohm 반도체 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 SC-72 형성 2 리드 2SC1741A 300MW spt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 50 v 500 MA 500NA (ICBO) NPN 400mv @ 15ma, 150ma 120 @ 100MA, 3V 250MHz
DTA143TMFHAT2L Rohm Semiconductor DTA143TMFHAT2L 0.2400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 DTA143 150 MW VMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 100 @ 1ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms
DTB123EKT146 Rohm Semiconductor DTB123EKT146 0.4500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTB123 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 MA 500NA pnp- 사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 39 @ 50MA, 5V 200MHz 2.2 Kohms 2.2 Kohms
DTA143ZKAT146 Rohm Semiconductor DTA143ZKAT146 0.2700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA143 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
DTA113ZEFRATL Rohm Semiconductor dta113zefratl 0.2600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTA113 150 MW EMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 100 MA - pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 33 @ 5MA, 5V 250MHz 1 KOHMS 10 KOHMS
QH8MA3TCR Rohm Semiconductor QH8MA3TCR 0.7800
RFQ
 ECAD 6604 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 QH8MA3 MOSFET (금속 (() 1.5W TSMT8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 30V 7A, 5.5A 29mohm @ 7a, 10V 2.5V @ 1mA 7.2NC @ 10V 300pf @ 15V -
RUF015N02TL Rohm Semiconductor RUF015N02TL 0.4900
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 리드 RUF015 MOSFET (금속 (() tumt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 1.5A (TA) 1.8V, 4.5V 180mohm @ 1.5a, 4.5v 1V @ 1mA 2.5 NC @ 4.5 v ± 10V 110 pf @ 10 v - 800MW (TA)
RZM001P02T2CL Rohm Semiconductor RZM001P02T2CL -
RFQ
 ECAD 1875 0.00000000 Rohm 반도체 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 RZM001 - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RZM001P02T2CLTR 귀 99 8541.21.0095 8,000 -
DTC044EUBTL Rohm Semiconductor DTC044EUBTL 0.3000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-85 DTC044 200 MW umt3f 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 30 MA - npn-사전- 150MV @ 500µA, 5MA 80 @ 5ma, 10V 250MHz 47 Kohms 47 Kohms
DTC023JUBTL Rohm Semiconductor DTC023JUBTL 0.3000
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-85 DTC023 200 MW umt3f 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA - npn-사전- 150MV @ 500µA, 5MA 80 @ 5ma, 10V 250MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
DTA144TMT2L Rohm Semiconductor DTA144TMT2L 0.3900
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 DTA144 150 MW VMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 5MA 100 @ 1ma, 5V 250MHz 47 Kohms
IMT4T108 Rohm Semiconductor IMT4T108 0.3800
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 MT4 300MW smt6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 120V 50ma 500NA (ICBO) 2 PNP (() 500mv @ 1ma, 10ma 180 @ 2MA, 6V 140MHz
DTA144WKAT146 Rohm Semiconductor DTA144WKAT146 0.2800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA144 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 30 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 56 @ 5MA, 5V 250MHz 47 Kohms 22 KOHMS
RDN050N20FU6 Rohm Semiconductor RDN050N20FU6 -
RFQ
 ECAD 4676 0.00000000 Rohm 반도체 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 RDN050 MOSFET (금속 (() TO-220FN 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 200 v 5A (TA) 10V 720mohm @ 2.5a, 10V 4V @ 1MA 18.6 NC @ 10 v ± 30V 292 pf @ 10 v - 30W (TC)
2SD2150T100S Rohm Semiconductor 2SD2150T100S 0.2271
RFQ
 ECAD 6066 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SD2150 500MW MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 20 v 3 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 100ma, 2a 270 @ 100MA, 2V 290MHz
DTB543ZMT2L Rohm Semiconductor DTB543ZMT2L -
RFQ
 ECAD 5503 0.00000000 Rohm 반도체 DTB543Z 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 DTB543 150 MW VMT3 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 846-DTB543ZMT2LTR 귀 99 8541.21.0075 8,000 12 v 500 MA 500NA pnp- 사전- + 다이오드 300mv @ 5ma, 100ma 140 @ 100MA, 2V 260MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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