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트랜지스터 (3592)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
2SC5866TLQ Rohm Semiconductor 2SC5866TLQ 0.4700
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 2SC5866 500MW TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 60 v 2 a 1µA (ICBO) NPN 500mv @ 100ma, 1a 120 @ 100MA, 2V 200MHz
DTC124TUAT106 Rohm Semiconductor DTC124TUAT106 0.0463
RFQ
 ECAD 7800 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 DTC124 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 5MA 100 @ 1ma, 5V 250MHz 22 KOHMS
R6024KNZ1C9 Rohm Semiconductor R6024KNZ1C9 3.2600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 24A (TC) 10V 165mohm @ 11.3a, 10V 5V @ 1MA 45 NC @ 10 v ± 20V 2000 pf @ 25 v - 245W (TC)
UT6JC5TCR Rohm Semiconductor ut6jc5tcr 0.8300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-powerudfn UT6JC5 MOSFET (금속 (() 2W (TA) HUML2020L8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-ut6jc5tcrtr 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 60V 2.5A (TA) 280mohm @ 2.5a, 10V 2.5V @ 1mA 6.3NC @ 10V 265pf @ 30V -
R6055VNXC7G Rohm Semiconductor R6055VNXC7G 8.6000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 R6055VN MOSFET (금속 (() TO-220FM 다운로드 1 (무제한) 846-R6055VNXC7G 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 23A (TC) 10V, 15V 71mohm @ 16a, 15V 6.5V @ 1.5MA 80 nc @ 10 v ± 30V 3700 pf @ 100 v - 100W (TC)
SH8K5TB1 Rohm Semiconductor SH8K5TB1 0.4190
RFQ
 ECAD 1361 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) Sh8k5 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 3.5a 83mohm @ 3.5a, 10V 2.5V @ 1mA 3.5NC @ 5V 140pf @ 10V 논리 논리 게이트
2SD2391T100Q Rohm Semiconductor 2SD2391T100Q 0.7600
RFQ
 ECAD 548 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SD2391 2 w MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 60 v 2 a 100NA (ICBO) NPN 350MV @ 50MA, 1A 120 @ 500ma, 2V 210MHz
EMZ51T2R Rohm Semiconductor EMZ51T2R 0.4700
RFQ
 ECAD 8999 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 EMZ51 150MW EMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 20V 200ma 100NA (ICBO) NPN, PNP 300mv @ 10ma, 100ma 120 @ 1ma, 6V 400MHz, 350MHz
RDX120N50FU6 Rohm Semiconductor RDX120N50FU6 -
RFQ
 ECAD 7814 0.00000000 Rohm 반도체 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 RDX120 MOSFET (금속 (() TO-220FM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 500 v 12A (TA) 10V 500mohm @ 6a, 10V 4V @ 1MA 45 NC @ 10 v ± 30V 1600 pf @ 25 v - 45W (TC)
UMZ1NTR Rohm Semiconductor umz1ntr 0.4400
RFQ
 ECAD 80 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMZ1 150MW UMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 150ma 100NA (ICBO) NPN, PNP 400mv @ 5ma, 50ma / 500mv @ 5ma, 50ma 120 @ 1ma, 6V 180MHz, 140MHz
2SD1760TLP Rohm Semiconductor 2SD1760TLP 0.3412
RFQ
 ECAD 9097 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 2SD1760 15 w CPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 50 v 3 a 1µA (ICBO) NPN 1V @ 200MA, 2A 82 @ 500ma, 3v 90MHz
R6018ANJTL Rohm Semiconductor R6018ANJTL 3.5001
RFQ
 ECAD 9501 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB R6018 MOSFET (금속 (() lpt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 18A (TA) 10V 270mohm @ 9a, 10V 4.5V @ 1mA 55 NC @ 10 v ± 30V 2050 pf @ 25 v - 100W (TC)
RS1E150GNTB Rohm Semiconductor rs1e150gntb 0.6900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn RS1E MOSFET (금속 (() 8 시간 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 15A (TA) 4.5V, 10V 8.8mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 1mA 10 nc @ 10 v ± 20V 590 pf @ 15 v - 3W (TA), 22.9W (TC)
RD3G400GNTL Rohm Semiconductor RD3G400GNTL 1.3700
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RD3G400 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 40A (TA) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 40a, 10V 2.5V @ 1mA 19 NC @ 10 v ± 20V 1410 pf @ 20 v - 26W (TA)
HP8M31TB1 Rohm Semiconductor HP8M31TB1 2.4200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn HP8M31 MOSFET (금속 (() 3W (TA) 8 시간 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 60V 8.5A (TA) 65mohm @ 8.5a, 10v, 70mohm @ 8.5a, 10v 3V @ 1mA 12.3nc @ 10v, 38nc @ 10v 470pf @ 30v, 2300pf @ 30v -
RSS060P05TB1 Rohm Semiconductor RSS060P05TB1 -
RFQ
 ECAD 6028 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 846-RSS060P05TB1TR 쓸모없는 2,500 -
SH8MA3TB1 Rohm Semiconductor SH8MA3TB1 1.0100
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) sh8ma3 MOSFET (금속 (() 2W (TA) 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 30V 7A (TA), 6A (TA) 28mohm @ 7a, 10v, 50mohm @ 6a, 10V 2.5V @ 1mA 7.2NC @ 10V, 10NC @ 10V 300pf @ 15V, 480pf @ 15V -
SP8M24FU7TB1 Rohm Semiconductor SP8M24FU7TB1 -
RFQ
 ECAD 8284 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 SP8M24 - - Rohs3 준수 1 (무제한) 846-sp8m24fu7tb1tr 쓸모없는 2,500 -
RQ5C030TPTL Rohm Semiconductor RQ5C030TPTL 0.6000
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 RQ5C030 MOSFET (금속 (() TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 3A (TA) 2.5V, 4.5V 75mohm @ 3a, 4.5v 2V @ 1mA 9.3 NC @ 4.5 v ± 12V 840 pf @ 10 v - 700MW (TA)
EMB4T2R Rohm Semiconductor EMB4T2R 0.1035
RFQ
 ECAD 3963 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 EMB4T2 150MW EMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 50V 100ma - 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300mv @ 1ma, 10ma 100 @ 1ma, 5V 250MHz 10kohms -
DTC124XEFRATL Rohm Semiconductor dtc124xefratl 0.3000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTC124 150 MW EMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 100 MA - npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 22 KOHMS 47 Kohms
EM6K7T2CR Rohm Semiconductor EM6K7T2CR 0.4200
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 EM6K7 MOSFET (금속 (() 150MW EMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 2 n 채널 (채널) 20V 200MA (TA) 1.2ohm @ 200ma, 2.5v 1V @ 1mA - 25pf @ 10V -
RGS30TSX2GC11 Rohm Semiconductor RGS30TSX2GC11 6.3500
RFQ
 ECAD 1436 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 267 w TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 450 600V, 15a, 10ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 1200 v 30 a 45 a 2.1V @ 15V, 15a 740µJ (ON), 600µJ (OFF) 41 NC 30ns/70ns
RGT40NS65DGTL Rohm Semiconductor RGT40NS65DGTL 2.7100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RGT40 기준 161 w LPD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 400V, 20A, 10ohm, 15V 58 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 40 a 60 a 2.1V @ 15V, 20A - 40 NC 22ns/75ns
RGT16NS65DGTL Rohm Semiconductor RGT16NS65DGTL 1.8300
RFQ
 ECAD 266 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RGT16 기준 94 w LPD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 400V, 8A, 10ohm, 15V 42 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 16 a 24 a 2.1V @ 15V, 8A - 21 NC 13ns/33ns
2SAR513RHZGTL Rohm Semiconductor 2SAR513RHZGTL 0.7200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 500MW TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 1 a 1µA (ICBO) PNP 400mv @ 25ma, 500ma 180 @ 50MA, 2V 400MHz
RGT40TM65DGC9 Rohm Semiconductor RGT40TM65DGC9 3.2800
RFQ
 ECAD 799 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 RGT40 기준 39 w TO-220NFM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 400V, 20A, 10ohm, 15V 58 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 17 a 60 a 2.1V @ 15V, 20A - 40 NC 22ns/75ns
2SA1037AKT146R Rohm Semiconductor 2SA1037AKT146R 0.2800
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1037 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 5ma, 50ma 180 @ 1ma, 6V 140MHz
RGW60TK65GVC11 Rohm Semiconductor RGW60TK65GVC11 5.9000
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 To-3pfm, SC-93-3 RGW60 기준 72 W. to-3pfm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 30A, 10ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 650 v 33 a 120 a 1.9V @ 15V, 30A 480µJ (ON), 490µJ (OFF) 84 NC 37ns/114ns
RGS50TSX2DHRC11 Rohm Semiconductor RGS50TSX2DHRC11 10.6100
RFQ
 ECAD 406 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 RGS50 기준 395 w TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RGS50TSX2DHRC11 귀 99 8541.29.0095 30 600V, 25A, 10ohm, 15V 182 ns 트렌치 트렌치 정지 1200 v 50 a 75 a 2.1V @ 15V, 25A 1.4mj (on), 1.65mj (OFF) 67 NC 37ns/140ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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